公开(公告)号：CN100464973C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN00118480.6

申请日：2000-06-28

Applicant: 索尼化学株式会社

Inventor： 栗田英之 ,  中村雅之

IPC: B32B15/08 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明提供一种没有因热疲劳引起的连接部分的破坏的多层基板。本发明的多层基板1中，交替地层叠了聚酰亚胺膜11～16与铜膜21～26。通过使聚酰亚胺膜11～16的热膨胀系数为2-5ppm/℃，可使多层基板1整体的热膨胀系数不到10ppm/℃。由于接近于所安装的半导体元件的热膨胀系数，故与半导体元件的连接部分不受到破坏。可将本发明的多层基板1用作插入板或母板。

公开(公告)号：CN1192421C

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN00104696.9

申请日：2000-02-03

Applicant: 索尼化学株式会社

Inventor： 栗田英之 ,  谷口正人 ,  中村雅之 ,  菱沼敬之 ,  波木秀次

IPC: H01L21/60 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K3/4617 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/28 ,  H05K3/4007 ,  H05K3/423 ,  H05K3/4647 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/0347 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/09481 ,  H05K2201/09563 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 把衬底元片组装起来得到低成本的软衬底。本发明的衬底元片(81a～81c)的单面配置支持膜(24a～24c)，另一面配置有粘接性的树脂被覆膜(19a～19c)。连接口设置在支持膜(24a～24c)上，金属布线表面作为台面(23a～23c)露出其底面。另一块面，连接在金属布线(14a～14c)上的导电性隆起物(16a～16c)的前端突出被覆膜(19a～19c)。在使用多片衬底元片(81a～81c)组装软衬底(83)时，使导电性隆起物(16a～16c)的前端接触连接口底面的台面(23a、23b)，在热压时，树脂被覆膜(19a、19b)的粘接力就把同样的衬底元片(81a～81c)贴合起来。

公开(公告)号：CN1291070A

公开(公告)日：2001-04-11

申请号：CN00131392.4

申请日：2000-09-30

Applicant: 索尼化学株式会社

Inventor： 中村雅之 ,  福田光博

IPC: H05K3/46 ,  H05K1/02 ,  H05K3/36 ,  B32B33/00

CPC classification number: H05K3/4635 ,  H01L2224/16237 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/28 ,  H05K3/4617 ,  H05K2201/0129 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/099

Abstract: 在用于本发明多层挠性布线板40的第1挠性布线板10中,在金属布线膜19表面形成金属覆膜14,在连接区域内露出金属覆膜。露出的金属膜周围配置有比金属膜表面要高的壁构件。壁构件例如由形成于第1布线膜19上的树脂膜15的开口部17壁面23构成。使具有低熔点金属覆膜36的凸点34接触连接区域内的金属膜,边挤压边加热到焊锡金属的熔点以上时,低熔点金属覆膜36熔化。这时熔化的焊锡金属因壁面阻挡而不能向连接区域外部溢出。

公开(公告)号：CN1279157A

公开(公告)日：2001-01-10

申请号：CN00118480.6

申请日：2000-06-28

Applicant: 索尼化学株式会社

Inventor： 栗田英之 ,  中村雅之

IPC: B32B15/08 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明提供一种没有因热疲劳引起的连接部分的破坏的多层基板。本发明的多层基板1中,交替地层叠了聚酰亚胺膜11～16与铜膜21～26。通过使聚酰亚胺膜11～16的热膨胀系数为2～5ppm/℃,可使多层基板1整体的热膨胀系数不到10ppm/℃。由于接近于所安装的半导体元件的热膨胀系数,故与半导体元件的连接部分不受到破坏。可将本发明的多层基板1用作插入板或母板。

公开(公告)号：CN1268769A

公开(公告)日：2000-10-04

申请号：CN00104696.9

申请日：2000-02-03

Applicant: 索尼化学株式会社

Inventor： 栗田英之 ,  谷口正人 ,  中村雅之 ,  菱沼敬之 ,  波木秀次

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H05K3/4617 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/28 ,  H05K3/4007 ,  H05K3/423 ,  H05K3/4647 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/0347 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/09481 ,  H05K2201/09563 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 把衬底元片组装起来得到低成本的软衬底。本发明的衬底元片81a～81c的单面配置支持膜24a～24c,另一面配置有粘接性的树脂被覆膜19a～19c。连接口设置在支持膜24a～24c上,金属布线表面作为台面23a～23c露出其底面。另一块面,连接在金属布线14a～14c上的导电性隆起物16a～16c的前端突出被覆膜19a～19c。在使用多片衬底元片81a～81c组装软衬底83时,使导电性隆起物16a～16c的前端接触连接口底面的台面23a、23b,在热压时,树脂被覆膜19a、19b的粘接力就把同样的衬底元片81a～81c贴合起来。