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公开(公告)号：CN1953239A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610101662.3
申请日：1997-11-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05B33/10 , H01L27/3211 , H01L27/3218 , H01L27/3244 , H01L27/3281 , H01L27/3283 , H01L51/0005 , H01L51/001 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/5284 , H01L51/56 , Y10S428/917 , Y10T428/10 , Y10T428/24868 , Y10T428/31855
Abstract: 本发明提供一种制造有机电致发光元件的方法，包括下列步骤：形成一个像素电极；在所述像素电极之上形成空穴注入输送层；在所述空穴注入输送层之上形成发光层，其中，所述发光层和所述空穴注入输送层的材料处于相互浸透的状态且在所述发光层和所述空穴注入输送层的界面附近彼此扩散进入。
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公开(公告)号：CN1294626C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN00800438.2
申请日：2000-03-29
IPC: H01L21/208 , C01B33/02
CPC classification number: C23C18/06 , C08G77/60 , C09D183/16 , C23C18/08 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02628 , H01L21/02636 , H01L29/6675 , H01L51/0005 , Y02P20/582
Abstract: 本发明涉及包括用喷墨头(12)把油墨组合物(11)选择性的喷至基片的预定区域以形成硅前体图案以及其后用热和或光处理把硅前体转变成无定形硅膜或多晶硅膜的硅膜形成方法。该方法可被用来以省能、低价在基片的大面积部分提供硅膜图案。
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公开(公告)号：CN1722475A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510091746.9
申请日：2000-03-29
IPC: H01L31/18
Abstract: 太阳能电池的制造方法，所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构，其特征在于，其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序：把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。
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公开(公告)号：CN1719955A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200510068871.8
申请日：2005-05-12
CPC classification number: G02B3/0043 , B82Y30/00 , G02B3/0012 , H01L27/3244 , H01L51/5275 , Y10S264/72
Abstract: 本发明提供一种光射出效率很高的有机薄膜元件，及以简便方法制造有机薄膜元件的方法，利用该元件制造电光学装置的方法，及制造电子仪器的方法。本发明的有机薄膜元件的制造方法，是在至少一个电极为透明电极的一对薄膜电极间含有有机薄膜的有机薄膜元件制造方法，包括：向基质材料上喷射含有透明电极形成材料的原料液，形成透明电极的工序；和在上述透明电极上形成有机薄膜的工序，从而解决了上述课题。
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公开(公告)号：CN1219419C
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN99801678.0
申请日：1999-09-24
IPC: H05H1/24 , H05H1/46 , H01L21/3065 , C23C16/50
CPC classification number: C23C14/185 , H05H1/48
Abstract: 基底电极等离子体发生装置由小间隙薄膜电极对1，2，3，4陈列构成，通过在具有氧化表面的硅基底5上溅射和干腐蚀钨形成这些电极对。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1529344A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN200310119973.9
申请日：1997-05-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G02F1/136227 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , Y10T428/1064 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供了一种薄膜器件制造方法，其特征在于：准备具有多个排出口的涂敷液排出喷嘴；相对地改变基板与所述多个涂敷液排出喷嘴的位置，同时使所述涂敷液只排出到基板上的涂敷区上，在基板上形成构图了的涂敷膜。根据本发明方法制造的薄膜器件借助于利用廉价、产量高、涂敷液使用效率高的制造装置来制造TFT，大幅度削减初期投资及液晶显示装置的成本。
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公开(公告)号：CN1523938A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200310110299.8
申请日：1997-11-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05B33/10 , H01L27/3211 , H01L27/3218 , H01L27/3244 , H01L27/3281 , H01L27/3283 , H01L51/0005 , H01L51/001 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/5284 , H01L51/56 , Y10S428/917 , Y10T428/10 , Y10T428/24868 , Y10T428/31855
Abstract: 本发明的有机EL元件的制造方法的特征是，它包含：在透明基板(804)上形成象素电极(801)、(802)、(803)的工序；在象素电极上按喷墨方式形成由有机化合物构成的发光层(806)、(807)、(808)的工序。借此可以简便而且短时间地进行高精度的图案成形，也可以简单地进行膜设计和发光性能的最优化，而且可以容易地调整发光效率。
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公开(公告)号：CN1519942A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410005319.X
申请日：2004-02-05
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/8239
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 提供一种能高度集成化的强介电存储器。本发明的强介电存储器(1000)包括片状器件(100)，而片状器件(100)具有包含强介电电容器(20)的存储单元阵列(102)，和包含在存储单元阵列(102)上方形成的薄膜晶体管的电路部分(104)。
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公开(公告)号：CN1103106C
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN95119975.7
申请日：1995-10-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G11B20/10148 , G11B7/004 , G11B7/0045 , G11B7/005 , G11B11/10502 , G11B20/10009 , G11B20/10083 , G11B20/10101 , G11B20/10111 , G11B20/1426
Abstract: 本发明的光磁录放装置设置有对数字信息序列{Ai}进行(1，7)RLL编码·NRZI编码的编码调制器11；把编码序列{ai}记录在光磁记录载体上，用光学传感头从记录载体上把模拟信号重放为单元波形序列e(t)的录放系统3；由横向滤波器构成的波形均衡器14，低通滤波器15；对均衡波形序列x(t)进行取样量化的A/D变换器16；以及把其输出{ai}与规定的期待值对比，把最大似然路径作为译码序列{Ai}的维特比译码器18。
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公开(公告)号：CN1393037A
公开(公告)日：2003-01-22
申请号：CN01802788.1
申请日：2001-08-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/105 , G11C11/22
CPC classification number: H01L27/11502 , G11C11/22 , H01L27/11585 , H01L27/1159
Abstract: 本发明的强电介质存储装置包括存储单元阵列(100)和用于对存储单元选择性地进行信息的写入或者读出的周边电路部分(200)，其中，存储单元阵列(100)矩阵形地排列存储单元，包括第1信号电极(12)，沿着与第1信号电极(12)交叉的方向排列的第2信号电极(16)和至少配置在第1信号电极(12)与第2信号电极(16)的交叉区域中的强电介质层(14)，存储单元阵列(100)与周边电路部分(200)配置在不同的层中，周边电路部分(200)形成在存储单元阵列的外侧区域(100)中。
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