公开(公告)号：CN1219419C

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN99801678.0

申请日：1999-09-24

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  寺岛和夫

Inventor： 关俊一 ,  下田达也 ,  井崎武士 ,  寺岛和夫

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C14/185 ,  H05H1/48

Abstract: 基底电极等离子体发生装置由小间隙薄膜电极对1，2，3，4陈列构成，通过在具有氧化表面的硅基底5上溅射和干腐蚀钨形成这些电极对。

公开(公告)号：CN1286892A

公开(公告)日：2001-03-07

申请号：CN99801678.0

申请日：1999-09-24

Applicant: 精工爱普生股份株式会社 ,  寺岛和夫

Inventor： 关俊一 ,  下田达也 ,  井崎武士 ,  寺岛和夫

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C14/185 ,  H05H1/48

Abstract: 基底电极等离子体发生装置由小间隙薄膜电极对1,2,3,4陈列构成,通过在具有氧化表面的硅基底5上溅射和干腐蚀钨形成这些电极对。