公开(公告)号：CN1241252C

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN03124021.6

申请日：2003-04-24

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫泽郁也 ,  池原忠好

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L21/268 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05147

Abstract: 在形成有集成电路(12)的半导体基板(10)上形成贯穿孔(30)，该贯穿孔(30)具有从开口朝深度方向逐渐变细的锥度。从开口向贯穿孔(30)供给绝缘材料，以在贯穿孔(30)的内表面形成绝缘层(32)。从开口向形成有绝缘层(32)的贯穿孔(30)供给导电材料，以在绝缘层(32)的内侧形成导电部(44)。

公开(公告)号：CN1533603A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN03800706.1

申请日：2003-03-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫泽郁也

IPC: H01L21/768 ,  H01L25/065 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  Y10S438/959 ,  Y10S438/977 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体基板(10)上从第一面(20)形成凹部(22)。在凹部(22)的底面以及内壁面上设置绝缘层(28)。在绝缘层(28)的内侧设置导电部(30)。通过具有对半导体基板(10)的蚀刻量大于对绝缘层(28)的蚀刻量的性质的第一蚀刻剂，对半导体基板(10)的第二面(28)进行蚀刻，在由绝缘层(28)覆盖的状态下使导电部(30)突出。通过具有在导电部(30)上不留有残留物地对绝缘层(28)进行蚀刻的性质的第二蚀刻剂，对绝缘层(28)上至少形成在凹部(22)的底面上的部分进行蚀刻，使导电部(30)突出。