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公开(公告)号：CN101271211A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810083047.3
申请日：2008-03-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G06F3/0412 , G06F3/044
Abstract: 本发明提供一种液晶装置(D)，具备液晶面板(100)与触摸屏(40)。位置信号生成电路(60)依次选择触摸屏(40)中形成的多个检测用电极，并生成用于特定与选择到的检测用电极相重叠的显示区域的屏蔽信号。显示控制电路(120)生成将由屏蔽信号指定的显示区域的亮度等级置换成黑等级的输出图像数据GD2，并输出到驱动电路(110)。由此，可固定配置于构成选择对象的检测用电极正下方的像素电极的电位，可伴随亮度等级的变化，大幅度降低重叠于检测用电极上的噪声电压。由此抑制检测用电极的噪声引起的检测精度的下降。
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公开(公告)号：CN101047124A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710088485.4
申请日：2007-03-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 宇都宫纯夫
IPC: H01L21/20 , H01L21/336 , H01L21/84 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L21/02667 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , Y10S438/909
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其中包括：第一工序，将燃烧至少包括含氢原子的气体和氧气的混合气体而获得的燃烧气体(14)，喷射到促进硅的结晶化的金属元素所构成的网(24)之后，喷射到表面为绝缘性的基板(20)上配置的非晶硅膜(22)，向非晶硅膜(22)的至少表面附近添加金属元素。由此，通过在低温下使层叠于廉价的玻璃基板上的非晶半导体膜结晶化，从而以低成本形成大面积的多晶硅膜。
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公开(公告)号：CN1975992A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610146405.1
申请日：2006-11-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L21/20 , H01L21/31 , H01L21/316 , C30B33/02 , C30B25/00
Abstract: 本发明提供一种能够降低对基板的热负荷的半导体装置的制造方法。此外，还提供一种能够提高半导体元件的特性的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法具有：将以氢及氧的混合气体为燃料的气体燃烧器(22)的火焰作为热源，对在基板(100)上成膜的半导体层(103)进行热处理的工序，通过该热处理，使半导体层再结晶化(102a)，在半导体层的表面形成氧化膜(102b)。可将该氧化膜(102b)使用作栅极绝缘膜或电容绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1881545A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610084197.7
申请日：2006-03-31
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02667 , F27B17/0025 , H01L21/2022 , H01L21/67103 , H01L27/1214 , H01L29/66757
Abstract: 提供在低温工艺中能够质量优良地进行大面积半导体基板热处理的半导体装置的制造方法等。在半导体装置的制造中包含使用将氢和氧的混合气体作为燃料的长的气体燃烧器的线状火焰作为热源，对成膜在基板上的半导体层进行热处理的工序。通过这样的构成，可以在加热的同时将由燃烧产生的水蒸气添加在半导体层中，通过氢或氧终结再结晶化和薄膜半导体层的自由键以减少电荷的阱。此外，能够热处理大型基板。
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公开(公告)号：CN1575049A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410045314.X
申请日：2004-05-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L51/5253 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种更薄的片状有机EL显示装置。有机EL显示装置包括：基板(51)，兼作阻止水分或氧等向内部透过的保护层与成膜的支撑层；层叠体，具有成膜于底层(13)之上且担负电路责任的薄膜电路层(20)、和担负有机EL发光体责任的有机EL发光层(30)；及粘接层(41)，粘接上述层叠体与上述基板，上述有机EL发光体向上述底层(13)侧发射发光光。由此，可以得到薄的有机EL显示装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102665308B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210101553.7
申请日：2008-02-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , H01L27/323 , H01L27/3244
Abstract: 本发明提供一种带输入功能的有机场致发光装置及电子设备。带输入功能的有机场致发光装置(1)具备：具有在一对电极(20、21)之间夹持的发光层(50b)的元件基板(11)；对该元件基板(11)进行密封的密封基板(12)；在该密封基板(12)的内面侧设置的第一检测电极(14)；设置在密封基板(12)的外面侧，具有与第一检测电极(14)不同的检测轴的第二检测电极(18)；层叠在第二检测电极(18)上的电介质膜(15)；和对隔着电介质膜(15)分别与第一及第二检测电极(14、18)间形成的静电电容的形成位置进行检测的检测机构。由此，可提供一种能够得到高检测精度、具有高性能和高可靠性的带输入功能的有机EL装置及电子设备。
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公开(公告)号：CN101299175A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810092970.3
申请日：2008-04-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G06F3/044
CPC classification number: G06F3/044
Abstract: 本发明提供一种能够简化制造工序的坐标输入装置及显示装置。其中，检测电极(51、52)沿着检测区域(A)内的X轴方向形成，并且沿Y轴方向排列，由相邻的一对检测电极(51、52)构成多个检测电极对(56)，构成检测电极对(56)的检测电极(51)的宽度与检测电极(52)的宽度的比率沿着X轴方向变化，多条迂回布线(53)分别与检测电极(51、52)中X轴方向的任意一个端部连接，并且与检测电极(51、52)形成在同一层上。
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公开(公告)号：CN101261377A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810083443.6
申请日：2008-03-05
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/1362 , G06F3/044
CPC classification number: G09G3/3655 , G06F3/0412 , G06F3/044 , G09G2300/0876
Abstract: 本发明提供一种液晶装置。在第一基板形成检测用电极。像素电极的液晶电容包括像素电极和连接于控制线的对置电极及被施加两电极间边缘电场的液晶。选择电路在选择期间将与选择行的扫描线对应的像素电极与信号线连接，在经过选择期间后与信号线绝缘。信号供给电路在选择期间向信号线供给与正极性写入或负极性写入对应的电位。电位控制电路在选择与该控制线对应的扫描线的选择期间，在正极性写入时将该控制线设定在电位(VL)(＜LCCOM)，在负极性写入时将该控制线设定在电位(VH)(＞LCCOM)，在经过该选择期间后设定在电位(LCCOM)。由此，能以简单的结构抑制检测用电极所产生的噪声的影响。
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公开(公告)号：CN101257745A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810081544.X
申请日：2008-02-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , H01L27/323 , H01L27/3244
Abstract: 一种带输入功能的有机场致发光装置(1)，具备：具有在一对电极(20、21)之间夹持的发光层(50b)的元件基板(11)；对该元件基板(11)进行密封的密封基板(12)；在该密封基板(12)的内面侧设置的第一检测电极(14)；设置在密封基板(12)的外面侧，具有与第一检测电极(14)不同的检测轴的第二检测电极(18)；层叠在第二检测电极(18)上的电介质膜(15)；和对隔着电介质膜(15)分别与第一及第二检测电极(14、18)间形成的静电电容的形成位置进行检测的检测机构。由此，可提供一种能够得到高检测精度、具有高性能和高可靠性的带输入功能的有机EL装置及电子设备。
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公开(公告)号：CN100413092C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510052686.X
申请日：2005-03-03
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L51/0013 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2924/19041
Abstract: 本发明目的在于提供一种简便地将被转印层在具有柔软性或挠性的转印体上剥离转印的技术。而且本发明目的也在于提供一种利用这种剥离转印技术制造半导体装置的方法以及用该方法制造的电子仪器。上述课题是通过包括以下被转印层的转印方法解决的，该方法是将在支持基板上形成的被转印层在具有柔软性或挠性的转印体上的转印方法，其中包括：在基板上形成被转印层的第一工序、将基板上形成的被转印层接合在固定于固定具上的具有柔软性或挠性的转印体上的第二工序、和将被转印层从基板上剥离转印在转印体上的第三工序。
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