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公开(公告)号：CN104925736B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510116967.0
申请日：2015-03-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 古畑诚
CPC classification number: G01P15/18 , G01C19/5783 , G01P15/08 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种电子装置、电子设备以及移动体。电子装置具备对第一基材与第二基材之间进行密封而形成的收纳空间和被收纳于收纳空间内的功能元件，收纳空间在俯视观察时被形成于第一基材与第二基材的接合部的内部区域内，并具有从内部区域起经由接合部而向收纳空间的外部延伸设置的布线，接合部包含第一接合区域和第二接合区域，布线具备具有从内部区域起经由第一接合区域而朝向外部的第一方向的第一布线部，和具有从内部区域起经由第二接合区域而朝向外部的第二方向的第二布线部，第一方向和第二方向为不同的方向。
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公开(公告)号：CN102006024B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201010597294.2
申请日：2009-01-04
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H03H3/02
CPC classification number: H03H9/1021 , H03H3/04 , H03H9/21 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49155 , Y10T29/49574
Abstract: 本发明涉及一种振动片的制造方法和振子的制造方法。在该振动片和振子的制造方法中准备支撑体(10)，该支撑体(10)具有彼此背向相对来确定厚度的第一及第二表面(12、14)，并包括基部(16)和从基部(16)并排延伸且与厚度方向正交的多个臂部(18)。支撑体(10)构成为：在多个臂部(18)各自的第一表面(12)上形成有下部电极膜(20)，在下部电极膜(20)上形成有压电膜(22)，在压电膜(22)上形成有上部电极膜(26)，多个臂部(18)各自的至少一部分在第二表面(14)具有露出区域(30)。对第二表面(14)的露出区域(30)进行蚀刻。通过蚀刻降低厚度，使多个臂部(18)容易沿厚度方向弯曲。
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公开(公告)号：CN102197592B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN200980142077.X
申请日：2009-10-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H03H9/21 , H03H9/0547 , H03H9/1021 , H03H9/19 , H03H9/215
Abstract: 本发明抑制起因于热弹性效应的Q值劣化。第1槽部(15)的第1深度(d1)和第2槽部(16)的第2深度(d2)小于包括第3面(13)的面与包括第4面(14)的面之间的距离，因而第1槽部(15)和第2槽部(16)不会贯通包括第3面(13)的面与包括第4面(14)的面之间。并且，第1槽部(15)的第1深度(d1)与第2槽部(16)的第2深度(d2)之和大于第3面(13)与第4面(14)之间的距离，因而第1伸缩部(17)(第1面(11))与第2伸缩部(18)(第2面(12))之间的热移动路径不会形成为直线。这样，能够使第1伸缩部(17)(第1面(11))与第2伸缩部(18)(第2面(12))之间的热移动路径在第1槽部(15)和第2槽部(16)中迂回而变长。
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公开(公告)号：CN101847978B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010148319.0
申请日：2010-03-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H03H9/21
CPC classification number: H03H9/215
Abstract: 本发明提供抑制了Q值降低的小型弯曲振动片及利用该弯曲振动片的振荡器。在由基部(52)和从基部(52)一端侧延伸出的一对振动臂(53、54)构成的音叉型石英振动片(50)中，在包括各振动臂(53、54)的与基部(52)相连的根部附近区域形成激励电极(36A、37A)。振动臂(53、54)沿图中箭头(G)的方向弯曲振动时压缩或拉伸应力作用的第1区域(110、112)和第2区域(111、113)热连接。振动臂(53、54)各自的热传导路径的条数设为m、热传导路径的热阻率设为ρth、振动臂(53、54)热阻率设为ρV、与振动臂(53、54)的振动方向正交的方向的厚度设为tv、热传导路径的振动臂(53、54)的振动方向正交的方向的厚度设为tth时，满足tth≥(1/m)×tv×(ρth/ρv)的关系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101847979B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201010148347.2
申请日：2010-03-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H03H9/21
CPC classification number: H03H9/215 , H03H9/02102 , H03H9/02133
Abstract: 本发明提供一种抑制了Q值降低的小型弯曲振动片及利用该弯曲振动片的振荡器。该音叉型石英振动片(50)由基部(52)和从该基部(52)的一端侧分叉出两支并彼此平行地延伸的一对振动臂(53、54)构成。在各振动臂(53、54)形成有激励电极(36A、37A)，在基部(52)设置了分别与激励电极(36A、37A)相对应的外部连接电极(66、67)。另外，在振动臂(53)的与基部(52)相连的根部附近的基部(52)上设置有由热传导率高的材料形成的热传导路径(57)，该热传导路径(57)被连接于侧面电极(26A、26B)，该侧面电极(26A、26B)分别设置在与振动臂(53)的形成有激励电极(36A)的主面正交的两侧面。从而，图中箭头所示的振动臂(53)的弯曲振动方向的成为与基部(52)相连的根部的第1区域(110)和第2区域(111)通过热传导路径(57)被热连接。
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公开(公告)号：CN101877575A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN201010170631.X
申请日：2010-04-30
Applicant: 爱普生拓优科梦株式会社 , 精工爱普生株式会社
IPC: H03H9/21
Abstract: 一种弯曲振动片，能够消除弯曲振动片的振动泄漏，提高Q值，改善CI值，促进小型化以及薄型化。在弯曲振动片中，从基部延伸的振动臂具有在彼此相对的第1以及第2主面上沿着振动臂的长度方向形成的第1以及第2槽部。第1槽部由沿着振动臂的长度方向分割而成的、相对于振动臂长度方向的中心线交替错开地配置在中心线两侧的多个第1槽部分构成，第2槽部由沿着振动臂的长度方向分割而成的、相对于中心线交替错开地配置在中心线两侧且相对于中心线配置在各第1槽部分的相反侧的多个第2槽部分构成。当对第1以及第2槽部的第1激励电极和振动臂两侧面的第2激励电极施加交流电压时，振动臂在第1或第2主面的面内方向上弯曲振动。
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公开(公告)号：CN100367649C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200410043578.1
申请日：1999-09-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L41/0913 , H02N2/004 , H02N2/103
Abstract: 本发明涉及一种压电驱动装置，其特征在于：具备：支撑体；振动板，层叠了呈纵向的板状的压电元件和增强部；旋转体，以可对上述支撑体旋转的方式被支撑，同时，使其旋转轴可移动；支撑部件，该支撑部件具有被固定在上述支撑体上的固定部和被安装在上述振动板上的安装部，在上述支撑体上支撑上述振动板；以及弹性部件，该弹性部件对上述旋转体提供弹性力，使上述旋转体的外周面与上述振动板的纵向的端部相接，在上述压电元件在上述振动板的纵向上已振动的情况下，上述振动板因该振动而振动，伴随因该振动引起的上述振动板的位移，驱动上述旋转体。
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公开(公告)号：CN100346566C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN03152287.4
申请日：1999-09-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H02N2/00
CPC classification number: H01L41/0913 , H02N2/004 , H02N2/103
Abstract: 一种压电驱动装置，该压电驱动装置具有压电元件，利用上述压电元件的振动来驱动驱动对象，其特征在于：具备被层叠在上述压电元件的上下并由导体形成的增强部，通过上述增强部对上述压电元件供给电力。
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公开(公告)号：CN1783711A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510125795.X
申请日：2005-12-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 表面声波元件及其制造方法。本发明的课题是提供具有良好的频率特性和通过特性的表面声波元件和该表面声波元件的制造方法。作为解决手段，表面声波元件(10)在半导体基板(硅层50)的同一平面上并列地形成有半导体配线区域(20)和SAW区域(30)，在晶片(1)上以栅格状布置表面声波元件(10)，并且将相邻的表面声波元件(10)上所形成的半导体配线区域(20)和所述SAW区域(30)布置成相间方格状，在半导体配线区域(20)和SAW区域(30)的上面形成同一平面的绝缘层(71～74)，在最上层的绝缘层(74)的表面上形成压电层(90)，在SAW区域(30)的压电层(90)的表面上形成IDT(40)。
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