公开(公告)号：CN101320721A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810126249.1

申请日：2005-09-08

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 前村公博 ,  小林等 ,  中岛忠俊 ,  小平觉

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/552 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种遮光效果好、可靠性高，而且有助于实现半导体装置的微型化的半导体装置。该半导体装置包括：具有被遮光区域(10A)的半导体层(10)；设于该被遮光区域(10A)的该半导体层(10)上的半导体器件(100、120)；设于该半导体器件(100、120)上面的第一层间绝缘层(40)；设于该第一层间绝缘层上面的多个第一遮光层(44)；至少设于第一遮光层(44)上面的第二层间层间绝缘层(50)；以及设置在该第二层间绝缘层(50)的上面、并且具有预定图案的第二遮光层(54)，其中，该第二遮光层(54)具有至少位于相邻的该第一遮光层(44)之间的图案。

公开(公告)号：CN100440516C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200510076677.4

申请日：2005-06-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 前村公博 ,  小平觉 ,  小林等

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L21/28273 ,  G11C16/0416 ,  G11C2216/10 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11558 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7883

Abstract: 本发明涉及单层栅极型非易失性存储装置，尤其提供写入及擦除等工作性能优越的非易失性存储装置，其包括：由隔离绝缘层划分出第一区域、第二区域及第三区域的第一导电型半导体层；设置在第一区域，起到控制栅作用的第二导电型半导体部；设置在第二区域的第一导电型半导体部；设置在第三区域的第二导电型半导体部；设置在第一～第三区域的半导体层上方的绝缘层；设置在绝缘层上方，横跨第一～第三区域的浮动栅电极；设置在第一区域的浮动栅电极侧旁的第一导电型杂质区域；设置在第二区域的浮动栅电极的侧旁，成为源极区域或漏极区域的第二导电型杂质区域；设置在第三区域的浮动栅电极的侧旁，成为源极区域或漏极区域的第一导电型杂质区域。