太阳能电池的制造方法以及太阳能电池

    公开(公告)号:CN111566822A

    公开(公告)日:2020-08-21

    申请号:CN201980008021.9

    申请日:2019-03-13

    Abstract: 本发明的目的在于,提供一种太阳能电池的制造方法,其能够设置沿着基材的流向形成的连续的长切削线,能够抑制因切削线断开所导致的不良的发生。本发明为一种太阳能电池的制造方法,其具有以下工序:工序(1):在长条状的基材上制膜出下部电极,对上述下部电极进行切削加工,设置沿着上述基材的流向形成的切削线;工序(2):在设有上述切削线的下部电极上制膜出光电转换层,对上述光电转换层进行切削加工,设置沿着上述基材的流向形成的切削线;以及工序(3):在设有上述切削线的光电转换层上制膜出上部电极,对上述上部电极进行切削加工,设置沿着上述基材的流向形成的切削线,上述工序(1)~(3)之中的至少1个工序中的切削加工具有以下工序:工序(a):设置第一切削线;工序(b):设置第二切削线;以及工序(c):设置第三切削线。

    太阳能电池和太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:CN110268537A

    公开(公告)日:2019-09-20

    申请号:CN201880010715.1

    申请日:2018-03-02

    Abstract: 本发明的第一目的在于,提供可良好地进行制造时的切削加工(例如机械图案化)且光电转换效率优异的太阳能电池以及该太阳能电池的制造方法。第一本发明为一种太阳能电池,其为在柔性基材(1、2)上具有电极(4)、透明电极、以及配置于上述电极(4)与上述透明电极之间的光电转换层的太阳能电池,其还具有配置于上述柔性基材(1、2)与上述电极(4)之间的硬质膜(3),上述硬质膜(3)包含含有选自钛、锆、铝、硅、镁、钒、铬、钼、钽和钨中的至少1种元素的氮化物、碳化物或硼化物。

    太阳能电池
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107408630A

    公开(公告)日:2017-11-28

    申请号:CN201680012526.9

    申请日:2016-03-17

    Abstract: 本发明提供一种阻气性优异、且不易产生布线的劣化的太阳能电池。一种太阳能电池(1),其具备:第一电极(2);第二电极(7),其以与第一电极(2)对置的方式配置;光电变换层(5),配置于第一电极(2)和第二电极(7)之间,包含有机无机钙钛矿化合物;多个辅助布线(8),其设置于第二电极(7)上;树脂层(9),其设置于第二电极(7)上,且以对多条辅助布线(8)之间进行填埋的方式设置;无机层(10),其以覆盖多条辅助布线(8)及树脂层(9)的方式设置。

    太阳能电池
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106796991B

    公开(公告)日:2020-03-13

    申请号:CN201580055525.8

    申请日:2015-10-14

    Abstract: 本发明的目的在于提供光电转换效率优异、密封时的劣化(初期劣化)少、耐久性优异的太阳能电池。本发明的太阳能电池中,具有电极、对向电极、和在所述电极与所述对向电极之间配置的光电转换层的层叠体被覆盖在所述对向电极上的无机层密封,所述光电转换层包含通式R‑M‑X3(其中,R为有机分子,M为金属原子,X为卤原子或硫族原子。)所表示的有机无机钙钛矿化合物,所述无机层包含金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物。

    太阳能电池
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106796990B

    公开(公告)日:2020-03-13

    申请号:CN201580055341.1

    申请日:2015-10-14

    Abstract: 本发明的目的在于提供光电转换效率优异、密封时的劣化(初始劣化)少且高温耐久性优异的太阳能电池。本发明为一种太阳能电池,其是具有层叠体和密封树脂层的太阳能电池,所述层叠体具有电极、对置电极和配置于上述电极与上述对置电极之间的光电转换层,所述密封树脂层覆盖在上述对置电极上而将上述层叠体密封,上述光电转换层包含通式R‑M‑X3(其中,R为有机分子,M为金属原子,X为卤素原子或硫属原子。)所示的有机无机钙钛矿化合物,上述密封树脂层包含溶解参数(SP值)为10以下的树脂。

    临时固定带和半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN117133700A

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202310595994.5

    申请日:2023-05-24

    Abstract: 本发明提供一种临时固定带,其适合用于具有激光剥离工序的半导体器件的制造方法,能够降低激光对半导体器件的损伤,能够容易地剥离。另外,提供一种半导体器件的制造方法,其具有激光剥离工序,能够降低激光对半导体器件的损伤,能够容易地剥离临时固定带。一种临时固定带,其至少具有基材和层叠于上述基材的一个面的第1粘合剂层,对于将上述临时固定带的上述第1粘合剂层侧贴附于玻璃而成的层叠体,以照射能量2000mJ/cm2以下从上述玻璃的背面照射波长360nm以下的激光后,当在上述临时固定带的上述基材被固定的状态下,沿相对于上述玻璃的上述背面垂直方向施加40N的力时,上述第1粘合剂层与上述基材的界面发生剥离。

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