公开(公告)号：CN103547632A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280024659.X

申请日：2012-07-11

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 山崎亮介 ,  谷川满 ,  渡边贵志 ,  乾靖 ,  国广良隆 ,  金千鹤 ,  小林佑辅 ,  保井秀文 ,  末崎穣 ,  日下康成 ,  山田佑

IPC: C08L83/07 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  C08L83/05 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L33/56 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  C08G77/70 ,  C08K5/56 ,  C08L83/04 ,  C08L83/00

Abstract: 本发明提供一种固化物表面的发粘得以抑制、且固化物的耐热性及冷热循环特性得以提高的光半导体装置用密封剂。本发明的光半导体装置用密封剂包含第1有机聚硅氧烷、第2有机聚硅氧烷及硅氢化反应用催化剂，所述第1有机聚硅氧烷由式(1A)或式(1B)表示、且具有烯基及与硅原子键合的甲基，所述第2有机聚硅氧烷由式(51A)或式(51B)表示、且具有与硅原子键合的氢原子及与硅原子键合的甲基。第1、第2有机聚硅氧烷中的与硅原子键合的甲基的含有比例分别为80摩尔%以上。(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c …式(1A)(R51R52R535iO1/2)p(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r …式(51A)(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c …式(1B)(R51R52R53SiO1/2)P(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r …式(51B)。