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公开(公告)号：CN103866388A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410121418.8
申请日：2014-03-28
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种可应用于可见-近红外光区的立方相萤石型铌酸铽钙磁光晶体及其制备方法。该晶体采用熔体提拉法生长，分子式为Tb3xCa2-2xNb2-xO7，其中x＝0～1，属立方晶系，空间群为Fm-3m。本发明磁光晶体在可见近红外光区具有较高的透过率，晶体中磁性稀土离子含量高，电子交换作用大，有利于产生较好的磁光性能。同时，其立方晶系各向同性的特点，可有效避免晶体双折射对磁光效应的影响。此外，本发明磁光晶体为一致熔融化合物，可采用中频感应提拉法生长，其生长工艺简单、周期短，能够实现大规模低成本的批量生产。
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公开(公告)号：CN101792926B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010154255.5
申请日：2010-04-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种导模提拉法生长铽铝石榴石晶体的方法，该方法将内部带有纵向缝隙的导模模具放入坩埚中，再向坩埚中加入多晶原料，加热坩埚使多晶原料熔化，并使多晶原料的熔融体没过导模模具下部的缝隙，以使多晶原料的熔融体在毛细管效应的作用下沿着导模模具内的纵向缝隙上升到导模模具的上表面，然后下籽晶并提拉成与导模模具形状一致的单晶。本发明能够制备大尺寸铽铝石榴石单晶晶体，同时能够简化晶体的后加工工序，降低制备晶体的成本，且晶体生长速率快，制备的晶体光学均匀性好，解决了提拉法难以制备大尺寸体单晶的问题。
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公开(公告)号：CN102583275A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210068017.1
申请日：2012-03-15
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种醇热法制备的GaN纳米晶及其制备方法。将前驱物Ga(H2NCONH2)6Cl3置于聚四氟乙烯反应釜中，同时加入醇类溶剂，并用氮气排除聚四氟乙烯反应釜中的空气，然后置于140-200℃下恒温1-7天，让前驱物在高压下分解形成GaN纳米晶。本发明能够制备物相纯净的GaN纳米晶，且产率较高。该制备方法具有方法简单、条件温和、成本低、便于大批量制备高质量GaN纳米晶等优点。
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公开(公告)号：CN101319394A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810071257.0
申请日：2008-06-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供一种非线性光学晶体钒酸镧钙及其制备方法和用途，该晶体的化学式为Ca9La(VO4)7，属三方晶系，R3cH空间群；采用提拉法生长单晶，生长气氛为惰性气体气氛。该钒酸镧钙晶体具有用于按照加工要求经定向、切割、粗磨、抛光、镀膜后得到各种光学器件的用途。本发明的制备方法科学合理，可操作性强，工艺简单、周期短，能够实现大规模低成本的批量生产，制备的晶体钒酸镧钙的尺寸大，光学均匀性好、物化性能优良、具有较大非线性光学系数且能适用于可见光和近红外光区域，可在各种非线性光学邻域获得广泛应用，具有显著的经济效益和社会效益。
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公开(公告)号：CN114369872A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210022927.X
申请日：2022-01-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种含铕、铽的氧基磷灰石稀土硅酸盐磁光晶体及其制备方法。本发明中的磁光晶体分子式为Eu2Tb8(SiO4)6O2，为同成分熔融化合物，可采用中频感应提拉法生长，还原方法方便快捷，生长周期较短、工艺简单，原料成本较低，能够实现批量生产。本发明Eu2Tb8(SiO4)6O2磁光晶体在1064 nm波长处的费尔德常数（Verdet constant）为76‑78 rad/T·m，约是此波段下商品化的TGG晶体的1.9倍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103898608B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201410121980.0
申请日：2014-03-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明属于晶体材料生长技术领域，特别涉及一种改进提拉法生长稀土烧绿石型晶体的装置及方法，该装置包括提拉炉，所述提拉炉的炉膛侧壁上穿设有一套管，所述套管内穿设有一丝条，所述丝条位于炉膛内的一端悬挂有辅助籽晶，所述辅助籽晶伸入炉膛的保温罩内，所述丝条另一端穿出炉膛并与传动装置相连接，以在所述传动装置的控制下带动所述辅助籽晶向下且同时向炉膛中心移动。该方法在原料熔化后，先控制辅助籽晶向下且向炉膛中心液面移动，将液面上的不熔物粘结提起，然后点下主籽晶开始晶体生长。该装置及方法有利于消除原料熔化产生的不熔物，生长出高质量的稀土烧绿石型晶体。
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公开(公告)号：CN103834998A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410120913.7
申请日：2014-03-28
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种在可见-近红外光区具有高透过率、高费尔德常数的磷灰石型硅酸铽磁光晶体及其制备方法。该晶体采用熔体提拉法生长，分子式为Tb10-x(SiO4)6O3-1.5x，其中x＝0～2，属六方晶系，空间群为。该磁光晶体具有优良的磁光效应，其费尔德常数（Verdetconstant）高于目前商品化应用的掺铽玻璃及铽镓石榴石（TGG）晶体。同时，该磁光晶体在400～1500nm波段，除485nm附近有Tb3+离子的特征吸收峰外，其他波段均表现出较高的透过率。特别在可见光波段400～650nm处，该磁光晶体的透过率较TGG晶体有明显的增大，其作为磁光材料，在该波段将有更好的应用前景。此外，本发明磁光晶体为一致熔融化合物，可采用中频感应提拉法生长，其生长工艺简单、周期短，能够实现大规模低成本的批量生产。
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公开(公告)号：CN102616770B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201210084629.X
申请日：2012-03-28
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种水蒸气刻蚀碳纳米管制备石墨烯纳米带的方法。该方法将多壁碳纳米管放入聚四氟乙烯内衬中，并加入一定量的蒸馏水，振荡使碳纳米管分散均匀，然后将聚四氟乙烯内衬放入反应釜中，加热到150-225℃，恒温5h-20h，使多壁碳纳米管从纵向裂解开，形成高质量的石墨烯纳米带。采用本发明制备的石墨烯纳米带具有褶皱少、不易团聚、层数可控、产率高等优点，同时制备过程简单易操作，可以一步完成，无须采用表面活性剂进行分散，过程无污染，绿色环保。本发明克服了其他方法制备石墨烯的中存在的过程繁琐、污染严重、产率低等缺点。
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公开(公告)号：CN101792926A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010154255.5
申请日：2010-04-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种导模提拉法生长铽铝石榴石晶体的方法，该方法将内部带有纵向缝隙的导模模具放入坩埚中，再向坩埚中加入多晶原料，加热坩埚使多晶原料熔化，并使多晶原料的熔融体没过导模模具下部的缝隙，以使多晶原料的熔融体在毛细管效应的作用下沿着导模模具内的纵向缝隙上升到导模模具的上表面，然后下籽晶并提拉成与导模模具形状一致的单晶。本发明能够制备大尺寸铽铝石榴石单晶晶体，同时能够简化晶体的后加工工序，降低制备晶体的成本，且晶体生长速率快，制备的晶体光学均匀性好，解决了提拉法难以制备大尺寸体单晶的问题。
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