公开(公告)号：CN104882542A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510281381.X

申请日：2015-05-28

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  胡海龙 ,  周雄图 ,  吕军 ,  杨洋

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/05 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0032 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/107

Abstract: 本发明涉及一种基于金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合结构光控薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，制备出金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合膜层，再通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合导电沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极和漏极，再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合结构光控薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，制作成本低且工艺简单，同时可充分利用金属量子点等离子体激元对于光场增强调控作用、复合量子点膜层的量子尺寸效应，从而有效提高光控栅极晶体管的灵敏度。

公开(公告)号：CN104882383A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510281343.4

申请日：2015-05-28

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  胡海龙 ,  周雄图 ,  吕军 ,  杨洋

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/22

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/12 ,  H01L29/2203 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及一种基于等离激元增强光控量子点薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出金属量子点等离子激元增强层、绝缘有机隔离层、CdSe半导体量子点导电沟道层，随后，通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在CdSe量子点沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极和漏极，再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于等离激元增强光控量子点薄膜晶体管。本发明制备方法新，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，所制备的光控栅极型量子点薄膜晶体管具有特殊量子点导电沟道、金属量子点等离子激元增强特性，有效提高了光控栅极晶体管的灵敏度。