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公开(公告)号：CN105897269A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610325898.9
申请日：2016-05-17
Applicant: 福州大学
IPC: H03M1/12
CPC classification number: H03M1/123
Abstract: 本发明涉及一种基于忆阻器的模数转换电路及转换方法，利用忆阻器随电流规律变化的特点，采用电压脉冲Vp产生稳定电流改变忆阻器阻值，电流源读出每次脉冲后忆阻器阻值的变化量；同时，结合比较器读出每个输出模拟信号需要的电压脉冲次数，对电压脉冲次数进行编码，输出数字信号。本发明可根据需求调节电压脉冲Vp的幅度、周期、占空比，可改变模拟信号进行数字编码的区间宽度，实现大范围模拟信号到数字信号的转换。
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公开(公告)号：CN105897254A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610325873.9
申请日：2016-05-17
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/21
CPC classification number: H03K19/21
Abstract: 本发明涉及一种基于忆阻器与MOS管的异或门逻辑电路，包括第一忆阻器M1与第二忆阻器M2，第一忆阻器M1的负端作为第一输入端V1与第一PMOS管P1的源极连接，第二忆阻器M2的负端作为第二输入端V2与第二PMOS管P2的源极连接；还包括第一NMOS管N1与第二NMOS管N2，第一忆阻器M1的正端、第二忆阻器M2的正端、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1与第二NMOS管N2的栅极互相连接；第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1与第二NMOS管N2的漏极互相连接并作为输出端Vout，第一NMOS管N1的源极与第二NMOS管N2的源极互相连接且接地；本发明还涉及一种基于忆阻器与MOS管的异或门逻辑电路的实现方法。本发明为忆阻器在逻辑运算中可发挥的作用提供了一种新的思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205622621U
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201620448036.0
申请日：2016-05-17
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/21
Abstract: 本实用新型涉及一种基于忆阻器与MOS管的异或门逻辑电路，包括第一忆阻器M1与第二忆阻器M2，第一忆阻器M1的负端作为第一输入端V1与第一PMOS管P1的源极连接，第二忆阻器M2的负端作为第二输入端V2与第二PMOS管P2的源极连接；还包括第一NMOS管N1与第二NMOS管N2，第一忆阻器M1的正端、第二忆阻器M2的正端、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1与第二NMOS管N2的栅极互相连接；第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1与第二NMOS管N2的漏极互相连接并作为输出端Vout，第一NMOS管N1的源极与第二NMOS管N2的源极相互连接且接地。本实用新型为忆阻器在逻辑运算中可发挥的作用提供了一种新的思路。
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公开(公告)号：CN205622620U
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201620448026.7
申请日：2016-05-17
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本实用新型涉及一种实现与非、或非门逻辑的忆阻器电路，包括忆阻器M1与忆阻器M2；忆阻器M1的正端与NMOS管N1的漏极、NMOS管N2的源极连接，忆阻器M1的负端与NMOS管N5的源极、NMOS管N6的漏极连接，N1的源极与N5的漏极连接并作为输入端V1；忆阻器M2的正端与NMOS管N3的源极、NMOS管N4的漏极连接，忆阻器M2的负端与NMOS管N7的漏极、NMOS管N8的源极连接，N4的源极与N8的漏极连接并作为输入端V2；N2的漏极、N3的漏极、N6的源极、N7的源极与反相器的输入端V3互相连接，反相器的输出端作为忆阻器电路的输出端Vout；NMOS管N1、N4、N6与N7的栅极连接至A选择端，NMOS管N2、N3、N5与N8的栅极连接至B选择端。本实用新型为忆阻器在逻辑运算中可发挥的作用提供了一种新的思路。
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公开(公告)号：CN205789932U
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201620509927.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01L23/367
Abstract: 本实用新型涉及一种采用微热电发电机的3D芯片，包括一N层结构的3D芯片，所述3D芯片的顶层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连，所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第一热电偶，则所述3D芯片的顶层、中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第一微热温差发电机；所述3D芯片的底层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连，所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第二热电偶，则所述3D芯片的底层、中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第二微热温差发电机。本实用新型利用其高的热功率密度和多维的空间结构，在现有的半导体工艺下，采用微热电发电机技术，提高芯片的整体能效，加快芯片散热。
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公开(公告)号：CN205354662U
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201620100513.4
申请日：2016-02-01
Applicant: 福州大学
Abstract: 本实用新型涉及一种基于Memristor/MOSFET的可编程电路，包括忆阻器阻值控制模块、忆阻器、系统电路；所述忆阻器阻值控制模块包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4，所述第一NMOS管M1的栅极与所述第一NMOS管M1的漏极、所述第二NMOS管M2的栅极相连并作为所述忆阻器阻值控制模块的第一编程输入端口，所述第三NMOS管M3的栅极与所述第四NMOS管M4的栅极、所述第四NMOS管M4的漏极相连，所述第一NMOS管M1的源极与所述第三NMOS管M3的漏极相连，所述第二NMOS管M2的漏极与所述第四NMOS管M4的源极相连。通过忆阻器（Memristor）与MOS管结合使用，使编程电压能够产生改变忆阻器阻值的稳定电流，发挥忆阻器阻值可变及非易失特性，达到可编程的效果。
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公开(公告)号：CN205622624U
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201620448015.9
申请日：2016-05-17
Applicant: 福州大学
IPC: H03M1/12
Abstract: 本实用新型涉及一种基于忆阻器的模数转换电路，利用忆阻器随电流规律变化的特点，采用电压脉冲Vp产生稳定电流改变忆阻器阻值，电流源读出每次脉冲后忆阻器阻值的变化量；同时，结合比较器读出每个输出模拟信号需要的电压脉冲次数，对电压脉冲次数进行编码，输出数字信号。本实用新型可根据需求调节电压脉冲Vp的幅度、周期、占空比，可改变模拟信号进行数字编码的区间宽度，实现大范围模拟信号到数字信号的转换。
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