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公开(公告)号：CN119008763A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411082943.3
申请日：2024-08-08
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(衢州)
IPC: H01L31/113
Abstract: 本发明涉及半导体人工神经形态器件领域，具体是一种基于横向多孔GaN的光电神经突触器件。本发明旨在解决传统电学突触器件的互连问题，通过光电神经突触器件实现高带宽、低串扰、低功耗的信息传输，为人工神经网络的研究提供创新和优化，同时拓宽GaN材料的应用范围。该器件主要包括横向多孔GaN层、源极、漏极、绝缘层和栅极。横向多孔GaN层通过阳极电化学腐蚀法制得，具有厚度大于100nm的特点。源极和漏极采用两层金属材料，下层与GaN形成肖特基接触，上层为Au。绝缘层用于隔离栅极与横向多孔GaN，材料包括SiO2、TiO2、Ta2O5、Al2O3，厚度在20nm～100nm之间。栅极为Cr/Au两层金属，厚度分别大于20nm、50nm。
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公开(公告)号：CN118826796A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410932832.0
申请日：2024-07-12
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(衢州)
IPC: H04B7/0413 , H04B17/00 , G01S13/86
Abstract: 本发明公开了一种RAMIMO通信系统分集复用增益分析方法，涉及通信技术领域，本发明包括，对通信接收端观测到的时间样本建模，依据时间样本模型计算出关于通信信号协方差矩阵的通信互信息的熵值；依据熵值计算通信中断概率获取分集增益；计算当前通信信道容量与对应的最大复用增益；获取到RAMIMO通信子系统分集复用最优折中曲线；依据最优折中曲线从观测数据中提取最大的RAMIMO通信分集增益和RAMIMO通信复用增益。本发明的分析方法评估合作式MIMO雷达通信一体化系统的通信性能，与MIMO雷达系统合作提升通信系统的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118731114A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410752946.7
申请日：2024-06-11
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(衢州)
Abstract: 本发明涉及半导体材料领域，具体为一种高灵敏度的稀土掺杂氧化锡薄膜气敏传感器，旨在提高氧化锡薄膜的气体检测灵敏度和选择性，增强传感器稳定性，并简化制备工艺以适应大规模生产。关键技术创新包括使用稀土元素掺杂和优化工艺条件来提升SnO2薄膜的光学和电学性能，使其适用于太阳能电池、光电子器件和气体传感器等多个领域。技术方案主要包括：选择柔性材料PI作为电极基底并进行清洗；在基底上制备铂电极；制备SnO2前驱体溶液；采用超声喷雾热解法生成SnO2：La薄膜；对薄膜进行后退火处理；在薄膜上制备铂电极；对传感器进行多层封装处理。
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公开(公告)号：CN118613072A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410750944.4
申请日：2024-06-11
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(衢州)
Abstract: 本发明涉及透明导电薄膜器件领域，提供了一种铂掺杂氧化锡透明导电薄膜、制备方法及应用，旨在解决现有技术中导电性和透明性之间的权衡问题、电子迁移率低导致的效率下降，以及薄膜材料的化学稳定性不足和界面不匹配导致的能量损失。主要方案包括，其中器件包括衬底、SnO2：Mg薄膜透明导电氧化物层、Pt：SnO2薄膜电子传输层、光敏层、缓冲层及CNT背电极。制备方法涉及SnO2：Mg薄膜透明导电氧化物层的制备、电子传输层的制备、钙钛矿光吸收层的制备、空穴传输层的制备、背电极的制备以及器件的集成与封装。铂掺杂氧化锡透明导电薄膜，由铂和氧化锡组成，铂以原子掺杂形式均匀分布在氧化锡晶格中，掺杂浓度1‑3at.％。
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公开(公告)号：CN118332136B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410749472.0
申请日：2024-06-12
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(衢州)
Abstract: 本发明涉及数据科学和人工智能技术，提供了一种基于知识图谱的中文部首嵌入方法，解决的技术问题是如何通过构建中文部首知识图谱和开发相应的嵌入模型，提高对汉字部首结构及语义关系的理解和处理能力，从而提升中文自然语言处理的准确性和效率。主要方案包括构建中文部首知识图谱，对中文字符的组成部首及字符间的关系进行编码，并将知识图谱嵌入到对偶四元数空间中。该嵌入方法利用邻居选择器和层次转换器来捕获复杂的关系模式，并通过可视化工具展示和验证知识图谱的结构。本发明应用于处理中文自然语言处理技术，特别是在教育、搜索引擎优化和人工智能领域。
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公开(公告)号：CN117642061A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202410109454.6
申请日：2024-01-26
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(衢州)
Abstract: 本发明涉及透明导电氧化物薄膜材料的制备、异质结及阻变存储器的设计，具体为一种基于铂掺杂氧化锡的异质结和阻变存储器。本发明的目的在于解决不同材料的晶格不完全匹配导致的晶格失配、导电性差以及不同材料之间的界面存在的化学反应损害器件的质量和稳定性等问题。主要方案包括在SnO2:Pt薄膜上采用PLD技术沉积一层SnO2:Mg薄膜作为顶层电极，形成异质结，并溅射Cu和Ag电极。然后在Si基片上制备ATO薄膜作为底电极，然后在ATO薄膜上制备所述的SnO2基异质结作为阻变层，最后制备顶部Au电极。
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公开(公告)号：CN117038778A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311051713.6
申请日：2023-08-18
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(衢州)
IPC: H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L27/144
Abstract: 本发明属于半导体光电器件领域，提供一种适用于可见光通信的快速、高响应InxGa1‑xN光电探测阵列。目的在于实现兼具快响应速度、高响应度双重优势的InxGa1‑xN基可见光探测器。主要方案包括位于所述衬底之上的金属底电极，金属底电极分为两个纵向金属底电极和两个横向金属底电极；所述两个纵向金属底电极通过m条横向叉指相连；所述两个横向金属底电极分别对应引出n个纵向叉指作为高透射顶电极连接口；还包括m*n的InxGa1‑xN薄膜阵列，每行InxGa1‑xN薄膜设置在对应行的横向叉指之上，每列InxGa1‑xN薄膜上通过高透射顶电极相连，高透射顶电极与两个横向金属底电极分别对应引出的高透射顶电极连接口连接。
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