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公开(公告)号：CN118738164A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410831253.7
申请日：2024-06-26
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(衢州)
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/102
Abstract: 本发明涉及半导体光电器件技术领域，尤其涉及一种非对称结构及其应用、紫外光电探测器。本发明提供了一种非对称结构，包括GaN层(3)、所述GaN层(3)上设置有金属电极层；所述金属电极层包括间隔设置的左金属电极层(4)和右金属电极层(6)；所述GaN层(3)和右金属电极层(6)之间设置有绝缘层(5)；所述右金属电极层(6)和GaN层(3)之间通过二维材料层(7)实现电学连接；所述GaN层(3)的表面为锥形纳米结构。所述非对称结构能够有效提升GaN对入射紫外光的吸收以及有效抑制紫外光电探测器的暗电流。
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公开(公告)号：CN118486737A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410559834.X
申请日：2024-05-08
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(衢州)
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种高性稳定的氧化锡基晶体管及制备方法。其主旨在于解决现有技术中TFT稳定性差、性能退化快、生产成本高和环境污染等问题。主要方案包括从下至上依次设置的基底P‑Si、栅极ITO、栅极绝缘层Al2O3、前有源层SnO2：Pt，在背沟道层ITO，在前有源层SnO2：Pt、在背沟道层ITO两侧分别引出源极AL和漏极AL。本发明提升载流子迁移率、改善电子稳定性和增强环境耐受性，同时降低制造成本。此技术适合应用于高端显示技术、柔性电子产品、高速传感器制造、大面积电子器件和光电设备。
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公开(公告)号：CN118332136A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410749472.0
申请日：2024-06-12
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(衢州)
Abstract: 本发明涉及数据科学和人工智能技术，提供了一种基于知识图谱的中文部首嵌入方法，解决的技术问题是如何通过构建中文部首知识图谱和开发相应的嵌入模型，提高对汉字部首结构及语义关系的理解和处理能力，从而提升中文自然语言处理的准确性和效率。主要方案包括构建中文部首知识图谱，对中文字符的组成部首及字符间的关系进行编码，并将知识图谱嵌入到对偶四元数空间中。该嵌入方法利用邻居选择器和层次转换器来捕获复杂的关系模式，并通过可视化工具展示和验证知识图谱的结构。本发明应用于处理中文自然语言处理技术，特别是在教育、搜索引擎优化和人工智能领域。
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公开(公告)号：CN117964054A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311578205.3
申请日：2023-11-24
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(衢州)
IPC: C02F1/461 , C02F1/467 , C02F101/30
Abstract: 本发明基于阳极催化剂材料领域，提供了一种高效稳定的涂层钛阳极材料及制备方法。旨在解决现有涂层金属氧化物电极在使用过程中产生TiO2惰性绝缘层的问题，从而影响电子传递并导致电极失活以及催化降解效率低的技术难题。主要方案包括中间层可以提高涂层与基体的结合力，延缓电解质溶液穿透活性层，防止基底和涂层之间生成TiO2绝缘层使电极失活，从而提高电极稳定性；同时笼状的多孔道中间层为污染物分子提供了更大的有效反应面积和反应活性位点，同时为反应分子的流动提供了通道，提高反应速率；活性层中加入具有高效催化活性的Pt3Ni纳米颗粒，平均粒度较小，真实表面积大，活性吸附点的数量较多，并且该电极也具有高的析氧电位，进而提高了电催化效率。
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公开(公告)号：CN119764159A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411854169.3
申请日：2024-12-16
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(衢州)
Inventor： 李霞
Abstract: 本发明涉及光电材料与器件技术领域，提供了一种基于Si掺杂SnO2薄膜的光电材料及其器件应用方法。主旨在于解决纯SnO2薄膜导电性与光电性能的局限性问题，主要方案包括采用原子层沉积法(ALD)制备Si掺杂SnO2薄膜，通过控制Si掺杂浓度、沉积温度、沉积周期和后处理工艺，其中控制沉积温度在400℃至600℃之间，调节Si源与SnO2前驱体的流量比例，以实现1％至5％的Si掺杂浓度，制备出具有提高的电导性、光吸收能力及光电转换效率的SnO2薄膜。本发明用于太阳能电池、气体传感器等光电器件，具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118996517A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411120915.6
申请日：2024-08-14
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(衢州)
IPC: C25B11/093 , C25B11/063 , C25B1/04
Abstract: 本发明基于阳极催化剂材料领域，提供了一种高效稳定的涂层钛阳极材料及制备方法。旨在解决现有涂层金属氧化物电极在使用过程中产生TiO2惰性绝缘层的问题，从而影响电子传递并导致电极失活以及催化降解效率低的技术难题。主要方案包括中间层可以提高涂层与基体的结合力，延缓电解质溶液穿透活性层，防止基底和涂层之间生成TiO2绝缘层使电极失活，从而提高电极稳定性；同时笼状的多孔道中间层为污染物分子提供了更大的有效反应面积和反应活性位点，同时为反应分子的流动提供了通道，提高反应速率；活性层中加入具有高效催化活性的Pt3Ni纳米颗粒，平均粒度较小，真实表面积大，活性吸附点的数量较多，并且该电极也具有高的析氧电位，进而提高了电催化效率。
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公开(公告)号：CN118431329A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410506796.1
申请日：2024-04-24
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(衢州)
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304
Abstract: 本发明属于半导体光电器件领域，具体涉及一种基于自支撑GaN导电桥的紫外‑可见光双波长复合光电探测器，主旨在于解决传统氮化物基光电探测器只能实现紫外光(GaN)或可见光(InGaN)的单波长探测的问题，从下至上依次设置的支撑衬底(1)、缓冲层(2)、InGaN薄膜(3)，在所述InGaN薄膜之上设置有左金属电极(4)、绝缘层(5)，在绝缘层(5)之上设置有右金属电极(6)，在所述右金属电极和InGaN薄膜之上设置有自支撑GaN薄膜导电桥(7)。本发明的成功应用为氮化镓基紫外‑可见光双波长复合光电探测器的发展开辟了新的思路。
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公开(公告)号：CN117642061B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410109454.6
申请日：2024-01-26
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(衢州)
Abstract: 本发明涉及透明导电氧化物薄膜材料的制备、同质结及阻变存储器的设计，具体为一种基于铂掺杂氧化锡的同质结和阻变存储器。本发明的目的在于解决不同材料的晶格不完全匹配导致的晶格失配、导电性差以及不同材料之间的界面存在的化学反应损害器件的质量和稳定性等问题。主要方案包括在SnO2:Pt薄膜上采用PLD技术沉积一层SnO2:Mg薄膜作形成同质结，并溅射Cu和Ag电极。然后在Si基片上制备ATO薄膜作为底电极，然后在ATO薄膜上制备所述的SnO2基同质结作为阻变层，最后制备顶部Au电极。
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公开(公告)号：CN119008763A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411082943.3
申请日：2024-08-08
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(衢州)
IPC: H01L31/113
Abstract: 本发明涉及半导体人工神经形态器件领域，具体是一种基于横向多孔GaN的光电神经突触器件。本发明旨在解决传统电学突触器件的互连问题，通过光电神经突触器件实现高带宽、低串扰、低功耗的信息传输，为人工神经网络的研究提供创新和优化，同时拓宽GaN材料的应用范围。该器件主要包括横向多孔GaN层、源极、漏极、绝缘层和栅极。横向多孔GaN层通过阳极电化学腐蚀法制得，具有厚度大于100nm的特点。源极和漏极采用两层金属材料，下层与GaN形成肖特基接触，上层为Au。绝缘层用于隔离栅极与横向多孔GaN，材料包括SiO2、TiO2、Ta2O5、Al2O3，厚度在20nm～100nm之间。栅极为Cr/Au两层金属，厚度分别大于20nm、50nm。
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公开(公告)号：CN118731114A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410752946.7
申请日：2024-06-11
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(衢州)
Abstract: 本发明涉及半导体材料领域，具体为一种高灵敏度的稀土掺杂氧化锡薄膜气敏传感器，旨在提高氧化锡薄膜的气体检测灵敏度和选择性，增强传感器稳定性，并简化制备工艺以适应大规模生产。关键技术创新包括使用稀土元素掺杂和优化工艺条件来提升SnO2薄膜的光学和电学性能，使其适用于太阳能电池、光电子器件和气体传感器等多个领域。技术方案主要包括：选择柔性材料PI作为电极基底并进行清洗；在基底上制备铂电极；制备SnO2前驱体溶液；采用超声喷雾热解法生成SnO2：La薄膜；对薄膜进行后退火处理；在薄膜上制备铂电极；对传感器进行多层封装处理。
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