公开(公告)号：CN103413824B

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201310300568.0

申请日：2013-07-17

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 张金平 ,  杨文韬 ,  陈钱 ,  顾鸿鸣 ,  刘竞秀 ,  李泽宏 ,  任敏 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

Abstract: 一种RC-LIGBT器件及其制作方法，属于功率半导体器件及集成电路领域。本发明在传统RC-LIGBT结构的基础上，在器件集电极结构中引入了P型阱区，该P型阱区将集电极结构中的N+集电极短路区包围在里面，且通过连接金属与N型场截止区短接。本发明提供的RC-IGBT器件在正向导通过程中，能够屏蔽背部N型区对开启过程的影响，从而可以完全消除传统RC-LIGBT固有的负阻现象，从而提高了器件的稳定性和可靠性。本发明适用于功率半导体集成电路。

公开(公告)号：CN103441143B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201310289169.9

申请日：2013-07-10

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 任敏 ,  宋询奕 ,  李果 ,  杨珏林 ,  张鹏 ,  吴明进 ,  顾鸿鸣 ,  李泽宏 ,  张金平 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 具有变组分混合晶体发射区的抗闩锁IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明基于常规IGBT结构，通过将发射区的纯硅材料变为组分渐变的混合晶体，形成禁带宽度缓变的发射区能带结构。该能带结构在不降低发射区与基区所形成PN结的内建电势的前提下，在发射区内形成发射区少子的加速电场，从而使发射区的少子扩散电流密度增加，基区向发射区的注入增强；而另一方面，发射区向基区的注入保持不变。因此，发射区、基区和漂移区构成的寄生晶体管的发射结注入效率降低，电流放大系数降低，使IGBT中的寄生晶闸管更难达到闩锁条件，这就提高了IGBT的临界闩锁电流，增加了IGBT的安全工作区，提高了IGBT的可靠性。

公开(公告)号：CN103489924B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310421627.X

申请日：2013-09-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  邹有彪 ,  宋文龙 ,  顾鸿鸣 ,  吴明进 ,  张金平 ,  任敏

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/06 ,  H01L21/337

Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种低电容JFET器件及其制造方法。本发明所述的低电容JFET器件，包括p型半导体材料衬底、覆盖于衬底表面的n型外延层、外延层中的第一p区及第二p区、外延层中的第一n型半导体区、第二n型半导体区与第二p区之间的氧化层介质槽以及器件表面的金属栅电极、源电极、漏电极。本发明的有益效果为，可以明显降低JFET器件的输入电容从而提升探测器的灵敏度，同时还可以降低JFET器件的泄漏电流。本发明尤其适用于低电容JFET器件。

公开(公告)号：CN103489910A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310422706.2

申请日：2013-09-17

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张金平 ,  顾鸿鸣 ,  单亚东 ,  邹有彪 ,  刘竞秀 ,  李泽宏 ,  任敏 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及电子技术，具体的说是涉及一种电导调制型功率半导体器件及其制造方法。本发明的功率半导体器件，在器件终端n型缓冲层与p型集电区之间引入了一层氧化层，所述氧化层将终端区域n型缓冲层与p型集电区完全隔离，可以显著降低终端区域的空穴注入效率，抑制关断过程中终端等位环处的电流集中效应，降低等位环附近的温度，抑制器件终端的热击穿和动态雪崩击穿，改善器件的关断特性，提高可靠性。本发明尤其适用于功率半导体器件。

公开(公告)号：CN103441143A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310289169.9

申请日：2013-07-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 任敏 ,  宋询奕 ,  李果 ,  杨珏林 ,  张鹏 ,  吴明进 ,  顾鸿鸣 ,  李泽宏 ,  张金平 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 具有变组分混合晶体发射区的抗闩锁IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明基于常规IGBT结构，通过将发射区的纯硅材料变为组分渐变的混合晶体，形成禁带宽度缓变的发射区能带结构。该能带结构在不降低发射区与基区所形成PN结的内建电势的前提下，在发射区内形成发射区少子的加速电场，从而使发射区的少子扩散电流密度增加，基区向发射区的注入增强；而另一方面，发射区向基区的注入保持不变。因此，发射区、基区和漂移区构成的寄生晶体管的发射结注入效率降低，电流放大系数降低，使IGBT中的寄生晶闸管更难达到闩锁条件，这就提高了IGBT的临界闩锁电流，增加了IGBT的安全工作区，提高了IGBT的可靠性。

公开(公告)号：CN103515443A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310420420.0

申请日：2013-09-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 任敏 ,  李果 ,  宋询奕 ,  顾鸿鸣 ,  吴明进 ,  张鹏 ,  曾智 ,  李泽宏 ,  张金平 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及功率半导体器件技术，具体的说是涉及一种超结结构的横向功率器件及其制造方法。本发明的一种超结功率器件，其特征在于，在第二导电类型半导体漂移区4和第一导电类型半导体体区9上设置有凹槽，所述厚氧化层12覆盖设置在第二导电类型半导体漂移区4的上表面，所述薄栅氧化层13覆盖设置在第一导电类型半导体体区9的上表面，所述栅电极2覆盖设置在厚氧化层12和薄栅氧化层13的上表面。本发明的有益效果为，增大了漂移区4表面的积累层通道面积，可以达到更低的正向导通电阻。本发明尤其适用于超结结构的横向功率器件。

公开(公告)号：CN103489924A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310421627.X

申请日：2013-09-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  邹有彪 ,  宋文龙 ,  顾鸿鸣 ,  吴明进 ,  张金平 ,  任敏

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/06 ,  H01L21/337

CPC classification number: H01L29/7832 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66901

Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种低电容JFET器件及其制造方法。本发明所述的低电容JFET器件，包括p型半导体材料衬底、覆盖于衬底表面的n型外延层、外延层中的第一p区及第二p区、外延层中的第一n型半导体区、第二n型半导体区与第二p区之间的氧化层介质槽以及器件表面的金属栅电极、源电极、漏电极。本发明的有益效果为，可以明显降低JFET器件的输入电容从而提升探测器的灵敏度，同时还可以降低JFET器件的泄漏电流。本发明尤其适用于低电容JFET器件。

公开(公告)号：CN103441148A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310350487.1

申请日：2013-08-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 任敏 ,  宋洵奕 ,  吴明进 ,  杨文韬 ,  单亚东 ,  顾鸿鸣 ,  宋文龙 ,  李泽宏 ,  张金平 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7806

Abstract: 一种集成肖特基二极管的槽栅VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。本发明在常规槽栅VDMOS器件槽栅结构两侧的漂移区中分别增加一个有肖特基结金属和体电极导电材料构成的附加结构；其中肖特基结金属上与源极金属接触，下与体电极导电材料接触，其余下表面和侧面部分与漂移区相接触形成肖特基结；体电极导电材料的侧面和底面与漂移区之间隔着一层介质层。本发明与具有相同尺寸的传统槽栅VDMOS器件相比可以在相同的击穿电压下，采用更高的漂移区掺杂浓度，因而导通电阻有明显的降低，同时二极管反向恢复特性有明显的改善。

公开(公告)号：CN103268888A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201310174856.6

申请日：2013-05-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  宋文龙 ,  单亚东 ,  顾鸿鸣 ,  邹有彪 ,  张金平 ,  任敏

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/06

Abstract: 一种具有发射极镇流电阻（EBR）的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。常规EBR结构的IGBT器件中，发射极镇流电阻由距离发射极接触区较远的条状N+发射区条构成，其电阻值通常呈现负温度系数，即：温度越高，电阻值越小，IGBT的饱和电流增大，器件短路能力在高温环境下将显著减弱。本发明通过在N+发射区条里面引入具有正温度系数的金属层（如镍铁合金），使得金属层与距离发射极接触区较远的条状N+发射区一起形成具有正温度系数的金属-介质复合电阻，实现发射极镇流电阻的正温度系数效应，使得发射极镇流电阻的阻值器件随工作温度的升高而升高，最终达到器件短路能力随温度升高而趋于增强的效果。

公开(公告)号：CN103794647A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201410070465.4

申请日：2014-02-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张金平 ,  杨文韬 ,  单亚东 ,  顾鸿鸣 ,  刘竞秀 ,  李泽宏 ,  任敏 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L21/187 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/66325

Abstract: 一种双向IGBT器件及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。所述双向IGBT器件元胞结构包括两个对称设置于衬底漂移区正反两面的MOS结构，MOS结构的P型体区与衬底漂移区之间具有N型埋层，MOS结构的栅结构底部与衬底漂移区之间具有P型埋层。所述双向IGBT器件可采用两片硅片分别制作后键合而成，也可采用单片硅片双面加工而成。本发明使双向IGBT具有对称的正、反向特性，并在相同的器件耐压下具有更薄的漂移区厚度，更好的载流子浓度分布和电场分布，使器件获得了更好的正向导通特性以及正向导通特性与关断损耗特性的折中。