-
公开(公告)号：CN118248794A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410364176.9
申请日：2024-03-28
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01L31/20 , H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/0376 , H01L31/112
Abstract: 本发明涉及半导体光电探测领域，具体涉及一种非晶氧化镓基同质结型日盲紫外光电晶体管及其制备方法，制备方法包括制备晶体管的同质结时，对衬底进行加热，在氩氧混合气体的氛围中于衬底上沉积非晶氧化镓富氧层薄膜作为同质结底层；在室温、纯氩气体的氛围中于同质结底层上沉积非晶氧化镓贫氧层薄膜作为同质结顶层，富氧层的氧空位浓度低于贫氧层，同质结顶层的厚度占整个同质结厚度的30％以下；本发明方案制备的晶体管能够大幅抑制暗电流和提升光电流，进而极大地提升器件的探测灵敏度，并且本发明的晶体管有助于利用脉冲栅压对器件进行快速恢复，另外本发明工艺简单，无须引入氧化镓以外的其他半导体材料。
-
公开(公告)号：CN109962124B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201910249215.X
申请日：2019-03-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供一种基于三层结构的半导体光电探测器及其制备方法，包括底部的基片、基片上方的三层材料结构，三层材料结构自下到上分别为：本征半导体、掺杂或合金化半导体、间隔层，间隔层上方与电极层连接，其中，电极层包括第一电极、第二电极，形成基于本征半导体‑掺杂或合金化半导体‑间隔层三层结构的光电探测器；本发明优化了半导体光电探测器的光、暗电流，提高了响应度和比探测率，从而为制备高灵敏度光电探测器提供更佳的解决方案。
-
公开(公告)号：CN108281509B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201810089912.9
申请日：2018-01-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明提供一种提高氧化物半导体基光电探测器性能的方法及所得到的氧化物半导体基光电探测器，该方法对基片上的有源层材料表面进行氟元素掺杂，从而填充制备有源层材料过程中产生的氧空位，然后制作电极形成光电探测器，氟元素掺杂使得光电探测器的探测率提高、恢复时间缩短，有源层材料为氧化物半导体；本发明对氧化物半导体薄膜的表面进行氟元素掺杂来填充氧空位，即电极/半导体之间的界面缺陷，进而改善氧化物半导体基光电探测器性能；氟相较于氧具有更大的电负性，能与镓结合形成更为稳定的化学键，即镓‑氟键，因此能更加有效地对氧空位进行填充；氟表面掺杂不会影响到材料内部的晶格结构，且掺杂剂量可控、工艺简单、降低工艺兼容性。
-
公开(公告)号：CN110534579A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910838249.2
申请日：2019-09-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯基异质结场效应晶体管、制备方法及其集成电路，属于半导体器件技术领域。其包括：衬底、栅电极、电介质层、石墨烯层、源电极和漏电极，还包括：氧化物半导体层，且氧化物半导体层设置在石墨烯层与源电极和漏电极之间，器件可采用顶栅或底栅结构。其制备方法包括：在栅电极上沉积形成电介质层；在电介质层上形成石墨烯层；在石墨烯层上形成氧化物半导体层；在氧化物半导体层的两端分别形成源电极和漏电极。本发明提高了传统石墨烯FET器件的开关比，并且获得足够高的迁移率以及可饱和的输出特性，因此能够满足其在逻辑和射频领域的相关应用，且制造方式简单，有利于大规模生产应用。
-
公开(公告)号：CN109962124A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201910249215.X
申请日：2019-03-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供一种基于三层结构的半导体光电探测器及其制备方法，包括底部的基片、基片上方的三层材料结构，三层材料结构自下到上分别为：本征半导体、掺杂或合金化半导体、间隔层，间隔层上方与电极层连接，其中，电极层包括第一电极、第二电极，形成基于本征半导体‑掺杂或合金化半导体‑间隔层三层结构的光电探测器；本发明优化了半导体光电探测器的光、暗电流，提高了响应度和比探测率，从而为制备高灵敏度光电探测器提供更佳的解决方案。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118315429A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410483432.6
申请日：2024-04-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/07 , H01L29/861
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体提供一种集成异质结二极管的鳍型栅宽禁带和超宽禁带MOSFET器件。通过在槽栅两侧设置深入耐压层的P型宽禁带半导体，与槽栅形成零偏耗尽的鳍型沟道区域，实现常关型MOSFET器件。同时，利用上述P型宽禁带半导体和耐压层构成低导通压降的续流二极管，降低反向导通损耗。上述P型宽禁带半导体同时对槽栅介质层底部形成有效的电场保护，保证槽栅介质层不会提前于耐压层击穿，解决传统鳍型栅结构介质层电场强度过高，提前击穿的技术难题。
-
公开(公告)号：CN117405259A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311462473.9
申请日：2023-11-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于测温技术领域，具体提供一种基于中子辐照和离子注入晶体的大范围测温方法，用以实现600℃～1800℃的大范围温度测量。本发明首先对碳化硅晶体进行离子注入，得到晶格损伤后的碳化硅；然后对碳化硅单晶进行中子辐照，引入不同的缺陷以及位错，得到辐照后的碳化硅；最后对碳化硅晶体在不同退火温度下进行退火处理，退火后采用拉曼光谱仪获取所述退火碳化硅晶体的拉曼图谱、采用X射线衍射获取所述碳化硅晶体的衍射峰位以及衍射半高宽，建立温度判读数据库。本发明基于中子辐照与离子注入引入缺陷回复的驱动力不同，将二者进行有效结合，实现600～1800℃的大范围温度测量，且具有测量精度高、速度快且无损伤的特点。
-
公开(公告)号：CN116754090A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310522322.1
申请日：2023-05-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明涉及拉曼光谱表征、温度测量、微电子材料技术等领域，具体提供一种基于离子注入晶体的高温温度测量方法，用以解决现有高温温度测量方法存在的测温范围低于1400℃的问题。本发明首先，采用磷离子注入的方式在碳化硅晶体表面引入晶格缺陷，基于成熟的离子注入工艺，设计离子注入能量及剂量，在碳化硅晶体表面预定厚度范围内产生均匀的晶格缺陷；然后，采用266nm激光光源对碳化硅晶体的缺陷回复程度进行拉曼光谱分析，选取拉曼光谱中纵向声学模式LA、横向光学模式TO、纵向光学模式LO三种振动模式特征峰的峰强、峰位变化表征碳化硅晶体中晶格缺陷回复程度；最终，本发明能够实现1100～1700℃、甚至更高温度的测量。
-
公开(公告)号：CN116445705A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310528919.7
申请日：2023-05-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于高温热处理装置领域，提供一种用于快速热处理的管式退火炉，用于晶体测温技术研究中对微型晶体样品进行精准时长的快速热退火处理。本发明包括：管式高温炉1、法兰2、刚玉管4及刚玉管帽3，管式高温炉两端设置进气端与排气端，保护气体由进气端进入、由排气端排出；法兰卡合于排气端，法兰上设置气体通道与刚玉管通道，刚玉管通道匹配刚玉管形成推拉式结构；刚玉管帽为一端封闭的管状结构，刚玉管卡合于其开口端，刚玉管帽中容纳微型晶体、并在刚玉管的带动下沿刚玉管通道进入或退出管式高温炉。本发明采用拉杆式设计，能够对热退火处理时间进行精准控制，同时通入保护气体以避免微型晶体样品的氧化问题及其他不良影响。
-
公开(公告)号：CN113097231B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202110339589.8
申请日：2021-03-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子信息材料与元器件领域，具体涉及一种基于锡氧化物的pn结及其制备方法。本发明有源层一半制备在高介电常数介质层上，另一半制备在传统介质层上，利用亚稳态的有源层SnO材料极易被氧化为SnO2的特点，实现一次有源层制备及退火，同时得到p、n两种导电类型。与现有技术相比，本发明的pn结不需要多次制备两种不同导电类型的材料并分别进行退火处理，因此具有界面质量好、材料特性可控性高、工艺简单等优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.02 seconds)
