公开(公告)号：CN111969041B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202010870477.0

申请日：2020-08-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 任敏 ,  郭乔 ,  蓝瑶瑶 ,  李吕强 ,  高巍 ,  李泽宏 ,  张金平 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种超结VDMOS。本发明提供的一种改善EMI的超结VDMOS，在漂移区引入长度不等的第二导电类型半导体耐压柱，缓解了超结器件栅漏之间耗尽层的纵向展宽，在Vds较小时抬高Cgd电容值，使Cgd～Vds曲线更平坦。实现了对电压、电流过冲的有效缓解。因此，本发明能够在保证超结VDMOS原有基本电学性能的基础上，缓解了器件的电磁干扰问题。

公开(公告)号：CN111244179B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN202010047091.X

申请日：2020-01-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 高巍 ,  郭乔 ,  任敏 ,  李吕强 ,  蓝瑶瑶 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种抗EMI超结VDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明提出的一种抗EMI超结VDMOS器件，通过在漂移区中引入高K介质材料柱，与纵向相邻的第一导电类型衬底、多晶硅电极形成MIS电容；通过在介质层上设置电阻，并将所述电阻与金属化源极直接接触，从而在漏极和源极之间引入串联的所述电阻和所述MIS电容，形成RC吸收电路，实现了对电压、电流过冲的有效缓解。因此，本发明结构在保证超结VDMOS原有基本电学性能的基础上，有效缓解了器件的电磁干扰问题。

公开(公告)号：CN111969040A

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN202010869506.1

申请日：2020-08-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 任敏 ,  郭乔 ,  蓝瑶瑶 ,  李吕强 ,  高巍 ,  李泽宏 ,  张金平 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种超结MOSFET。本发明提供的一种超结MOSFET器件，在漂移区引入长度渐变，浓度渐变的第二导电类型半导体柱，通过减小靠近JFET区耐压柱的长度来避免相邻耐压柱横向耗尽，纵向扩展造成的Cgd电容迅速下降，使Cgd～Vds曲线上的最小值点向Vds更大的方向移动，在Vds较小时抬高Cgd电容值，并使Cgd～Vds曲线更平坦。从而既能加快开关时间，减小开关功耗，又能减小开关振荡，缓解EMI，从而改善超结器件的动态特性。

公开(公告)号：CN111697078A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010605524.9

申请日：2020-06-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 任敏 ,  李吕强 ,  蓝瑶瑶 ,  郭乔 ,  李泽宏 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种提高雪崩耐量的VDMOS及制备方法，在本发明的器件中引入了第二多晶硅栅电极替换掉了传统VDMOS结构源区下方部分的体区，并且对JEFT区域进行了与漂移区相同杂质类型的中等掺杂，在器件正向导通时，第一多晶硅栅电极与第二多晶硅栅电极能够在源区侧部的体区中形成双反型层沟道，并且在JEFT区域形成多数载流子的积累层，改善了VDMOS的正向导通特性；在器件处于雪崩击穿状态时，源区下方不再存在寄生的三极管，并且击穿位置会固定到源区侧方的欧姆接触区与漂移区的交界面，雪崩电流只能通过欧姆接触区流出源极，提高了VDMOS的雪崩耐量。

公开(公告)号：CN111682070A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN202010748363.9

申请日：2020-07-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  胡汶金 ,  赵一尚 ,  郭乔 ,  杨尚翰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种抑制可控型采样场效应晶体管负温度特性的器件，包括：P型衬底、N型漂移区、P型重掺杂一区、N型半导体漏区、P型双重降低表面电场(Double RESURF)区、P型体区、P型重掺杂二区、N型重掺杂区、P型阱区、N型轻掺杂电阻区、第一多晶硅、第二多晶硅、氧化层、漏极金属、栅极金属、导线金属、电流感测电极以及衬底金属；本发明在传统高压C-SenseFET的基础上，在功率器件源端和Sense电极之间扩散形成阱电阻，并通过金属导线使其与源极连接，实现了高压C-SenseFET新结构的设计，从而有效抑制了负温特性，降低了温度漂移系数，改善了C-SenseFET器件的温度特性。

公开(公告)号：CN111244153B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN202010047093.9

申请日：2020-01-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 任敏 ,  郭乔 ,  雷清滢 ,  谢欣桐 ,  孙涵涵 ,  郝超越 ,  高巍 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种抗EMI超结器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明提出的一种抗EMI超结器件，通过在漂移区内引入高K介质材料柱，从而与纵向相邻的半导体衬底、多晶硅调控栅形成MIS电容，并使多晶硅调控栅与外部电压调控模块相连，在不影响器件耐压的前提下，通过调节多晶硅调控栅上的电位，就可以改变不同漏压下密勒电容Cgd的大小，使Cgd曲线尽可能在低漏压下减小，高漏压下增大，从而实现开关损耗和开关EMI噪声的双向优化。

公开(公告)号：CN111697070A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010604835.3

申请日：2020-06-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 任敏 ,  李吕强 ,  蓝瑶瑶 ,  郭乔 ,  李泽宏 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L27/07

Abstract: 本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种逆导型IGBT器件，本发明在传统的逆导型IGBT器件的基础上，将集电极结构的N区掺杂区替换为了纵向放置的重掺杂N区和P区构成的二极管，通过控制该重掺杂的N区和P区的掺杂浓度，使该二极管的内建电势达到禁带宽度，使得该二极管在IGBT反向阻断时可以利用隧穿电流起到续流作用，在逆导型IGBT处于正向导通状态下时，器件不存在寄生的VDMOS结构，从而消除了逆导型IGBT器件的snap-back现象。

公开(公告)号：CN111244179A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010047091.X

申请日：2020-01-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 高巍 ,  郭乔 ,  任敏 ,  李吕强 ,  蓝瑶瑶 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种抗EMI超结VDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明提出的一种抗EMI超结VDMOS器件，通过在漂移区中引入高K介质材料柱，与纵向相邻的第一导电类型衬底、多晶硅电极形成MIS电容；通过在介质层上设置电阻，并将所述电阻与金属化源极直接接触，从而在漏极和源极之间引入串联的所述电阻和所述MIS电容，形成RC吸收电路，实现了对电压、电流过冲的有效缓解。因此，本发明结构在保证超结VDMOS原有基本电学性能的基础上，有效缓解了器件的电磁干扰问题。