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公开(公告)号：CN107068517A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710166358.5
申请日：2017-03-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明属于磁控管用冷阴极及冷阴极头的生产方法。冷阴极包括上、下屏蔽帽，电源连接杆及整体式柱齿形冷阴极头；其方法包括备料、球磨混合、压坯及成型。该发明由于采用石墨烯或/和碳纳米管、氧化锌纳米线与金属粉混合压坏、烧结、加工制成柱齿形整体式冷阴极头，该冷阴极头在高压作用下发射一次电子，一次电子回轰激发轮齿发射二次电子，往复形成稳定的电子发射，其达到稳定输出仅为40纳秒。从而与热阴极相比，既保留了热阴极发射电子能力和抗电子轰击能力强等优点，又克服了预热时间长，启动慢，使用寿命短等缺点；与背景技术所述冷阴极相比则具有结构简单，发射电子能力及抗电子轰击能力强，输出频谱纯洁，发射速度快且稳定等特点。
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公开(公告)号：CN106229245A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610819504.5
申请日：2016-09-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明属于微波真空电子器件中的爆发式石墨烯电子阴极及生产方法；电子阴极包括金属或石墨基础阴极及石墨烯表层：生产方法包括：氧化石墨烯的制取，制取含杂及粉状氧化石墨烯的悬浮液及氧化石墨烯悬浮液、氧化石墨烯粉末，配制氧化石墨烯电泳液或浆料，制爆发式石墨烯电子阴极胚体，制取爆发式石墨烯电子阴极。该发明由于采用石墨烯作为电子阴极材料，其原子级的厚度及在对氧化石墨烯进行还原烧结而产生大量的发射边缘和发射点有利于快速、持续形成等离子体，并覆盖整个阴极的发射表面。因而具有脉冲启动速度快、发射上升和下降的时间短，脉冲持续时间长且电流波形好、无毛刺，生产工艺可靠、成本低、效率高，易于实现工业化生产等特点。
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公开(公告)号：CN101764007B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010106572.X
申请日：2010-02-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01J9/02
Abstract: 该发明属于真空电子元、器件生产领域中采用纳米石墨材料生产的场发射微波真空电子阴极的生产方法。包括将工业用膨胀石墨片在高温下处理成蠕虫状膨胀石墨，再经浓硫酸与高锰酸钾溶液氧化处理成纳米石墨片，水洗除酸、超声波及离心提纯，过滤、干燥成膜，卷制成纳米石墨柱，最后经煅烧及后续处理即制得纳米石墨柱状阴极。因而，具有生产工艺简单、可靠，能耗低、生产效率高，所生产电子阴极截面积小，使用中发射的电流密度大、稳定性好，且易于实现工业化生产等特点。克服了背景技术存在的难以用于诸如场发射微波管、数码管、投影管等管体类真空电子器件内，且生产工艺复杂、生产效率低、生产成本高等弊病。
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公开(公告)号：CN119811958A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510032734.6
申请日：2025-01-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01J23/05
Abstract: 本发明公开了一种大功率脉冲磁控管阴极，属于磁控管技术领域。该阴极包括：加热基底、上端帽、下端帽、阴极发射体；加热基底的上端连接上端帽，下端穿过下端帽并延伸至磁控管管芯之外连接电源；位于上下端帽之间的加热基底为螺旋线型；圆筒状阴极发射体套设于加热基底的螺旋线型部分外侧。本发明通过加热基底对阴极发射体加热，使其发射电子，发射的电子在磁控管外加电磁场作用下回轰阴极发射体表面产生新的二次电子。本发明能够大大增加电子轰击在阴极发射体表面的概率，即能够不断的轰击出二次发射的电子，提高阴极整体电子发射密度，支持大功率脉冲磁控管提供更大的功率输出。
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公开(公告)号：CN113078038A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110310993.2
申请日：2021-03-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种定向碳纳米管大电流冷阴极及其制备方法，包括以下步骤：将碳纳米管粉末与溶剂混合搅拌均匀得到碳纳米管悬浮液；将载体置于磁场中；将碳纳米管悬浮液滴加于承载面，碳纳米管一端附着的金属催化剂在磁场中被磁化，碳纳米管在悬浮液中定向排列，随着溶剂的自然挥发，碳纳米管定向排列地附着于承载面，形成定向碳纳米管薄膜，所形成阴极发射体；载体为圆筒结构且其内壁为承载面；向载体内注入形成基底的流动性物质，干燥后形成的基底与阴极发射体的一端连接，得到定向碳纳米管大电流冷阴极。本发明的冷阴极能产生更大的电流，发射电流可达到20mA，并且成本低，生产过程简单，无需掺杂其他物质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111383875B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202010264063.3
申请日：2020-04-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种二次电子倍增膜涂覆在内壁的电磁波发生器，在现有技术的基础上，在慢波结构或谐振腔内壁涂覆或溅射二次电子倍增膜，其二次电子发射系数δ一般远大于3，同时，电磁波发生器无聚焦磁场系统。这样电子由阴极发射出来后，受到电磁波的作用产生速度和密度调制，由于无聚焦磁场，所以密度不同的电子束会发生散射，当散射的电子打到内壁上时，由于内壁二次电子倍增，所以即可产生更多的电子，增大电子束电流。由于密度大的位置产生更多，密度小的位置产生更少二次电子，所以电子束电流增幅变大，即电磁波增幅也变大，在输出端口能够获得更高功率的电磁波。
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公开(公告)号：CN110379690B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201910567793.8
申请日：2019-06-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01J3/02
Abstract: 该发明属于一种采用射频激励场发射产生电子束的冷阴极电子枪。包括阴极腔体及座体，内导体及其阴极头、设于阴极头上的电子发射层，聚焦极、阳极及对应的支撑环、电源接头，上、下壳体，密封板，射频输入端口；该发明利用四分之一波长同轴谐振腔对电场的增强作用，通过谐振腔在阴极发射面上激励均匀的强电磁场，并利用电场均匀的内导体端面/阴极头发射面区域实现场致发射。该发明适用范围宽，可在真空度高于10‑3Pa环境中工作，在输入百瓦量级射频功率时就能在阴极发射面产生107V/m以上的电场强度。因而，具有结构及生产工艺简单、体积小、使用寿命长，易于实现工业化生产，以及可广泛应用于发射电流大的真空电子器件且安全、可靠性高等特点。
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公开(公告)号：CN107068517B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201710166358.5
申请日：2017-03-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明属于磁控管用冷阴极及冷阴极头的生产方法。冷阴极包括上、下屏蔽帽，电源连接杆及整体式柱齿形冷阴极头；其方法包括备料、球磨混合、压坯及成型。该发明由于采用石墨烯或/和碳纳米管、氧化锌纳米线与金属粉混合压坏、烧结、加工制成柱齿形整体式冷阴极头，该冷阴极头在高压作用下发射一次电子，一次电子回轰激发轮齿发射二次电子，往复形成稳定的电子发射，其达到稳定输出仅为40纳秒。从而与热阴极相比，既保留了热阴极发射电子能力和抗电子轰击能力强等优点，又克服了预热时间长，启动慢，使用寿命短等缺点；与背景技术所述冷阴极相比则具有结构简单，发射电子能力及抗电子轰击能力强，输出频谱纯洁，发射速度快且稳定等特点。
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公开(公告)号：CN108982971A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810819388.6
申请日：2018-07-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明提供的一种基于矩形腔微扰法测量非磁性材料复介电常数的方法，属于微波、毫米波介质材料介电常数测量技术领域。通过将矩形腔微扰法测量材料介电常数时样品的放置位置由目前常见的矩形腔中心位置即电场最强磁场最弱处，改变为根据样品的特性放置于不同的位置，有效解决了目前谐振腔微扰法只能测试中低损耗介质材料的问题，实现了非磁性材料复介电常数的测试，且具有测试范围广、测试精度高、方法简单的特点。
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公开(公告)号：CN108760771A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810816014.9
申请日：2018-07-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N22/00
CPC classification number: G01N22/00
Abstract: 本发明是一种利用扫描近场微波显微镜对药物进行示踪的方法，通过近场微波装置测得已知浓度的溶液的散射参数建立药物的浓度和散射参数一一对应的浓度参数数据库，当需要测试未知浓度溶液的浓度时，采用近场探测装置对未知浓度溶液测量其散射参数，再通过反演得到所测未知浓度药物的浓度信息。其装置包括近场微波装置，被测样品，数据采集系统，数据分析、处理系统。其特征在于：矢量网络分析仪中的微型信号源产生微波信号通过定向耦合器传导进入探针的尖端，微波信号在被测溶液反射后，由数据采集系统采集数据，然后由数据处理系统分析、处理采集到的数据，建立药物浓度与散射参数一一对应的数据库，再通过计算机反演得到未知浓度药物的浓度。
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