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公开(公告)号：CN111383875B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202010264063.3
申请日：2020-04-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种二次电子倍增膜涂覆在内壁的电磁波发生器，在现有技术的基础上，在慢波结构或谐振腔内壁涂覆或溅射二次电子倍增膜，其二次电子发射系数δ一般远大于3，同时，电磁波发生器无聚焦磁场系统。这样电子由阴极发射出来后，受到电磁波的作用产生速度和密度调制，由于无聚焦磁场，所以密度不同的电子束会发生散射，当散射的电子打到内壁上时，由于内壁二次电子倍增，所以即可产生更多的电子，增大电子束电流。由于密度大的位置产生更多，密度小的位置产生更少二次电子，所以电子束电流增幅变大，即电磁波增幅也变大，在输出端口能够获得更高功率的电磁波。
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公开(公告)号：CN111341630A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010263814.X
申请日：2020-04-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种光阴极激发的电磁波发生器，在现有技术基础上，增加二次电子倍增片，二次电子倍增片沿厚度方向(电子传输方向)有多个微米直径微通道，微通道内壁涂敷有二次电子倍增膜，电子会在微通道内壁发生多次碰撞，每次碰撞会产生数个二次电子。所述二次电子倍增片垂直插入到光阴极与慢波结构或谐振腔之间，光阴极发射的电子束进入到二次电子倍增片的微通道中，实现电子数量倍增，倍增的电子束通过慢波结构或谐振腔，产生电磁波输出。本发明中光阴极结合二次电子倍增片只是作为阴极，类似常规真空电子器件的热阴极，持续发射电子，其中通过二次电子倍增实现了电子束电流倍增，即能量倍增，在输出更高太赫兹频率电磁波的同时，提高输出电磁波信号的功率。
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公开(公告)号：CN111341630B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202010263814.X
申请日：2020-04-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种光阴极激发的电磁波发生器，在现有技术基础上，增加二次电子倍增片，二次电子倍增片沿厚度方向(电子传输方向)有多个微米直径微通道，微通道内壁涂敷有二次电子倍增膜，电子会在微通道内壁发生多次碰撞，每次碰撞会产生数个二次电子。所述二次电子倍增片垂直插入到光阴极与慢波结构或谐振腔之间，光阴极发射的电子束进入到二次电子倍增片的微通道中，实现电子数量倍增，倍增的电子束通过慢波结构或谐振腔，产生电磁波输出。本发明中光阴极结合二次电子倍增片只是作为阴极，类似常规真空电子器件的热阴极，持续发射电子，其中通过二次电子倍增实现了电子束电流倍增，即能量倍增，在输出更高太赫兹频率电磁波的同时，提高输出电磁波信号的功率。
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公开(公告)号：CN111383875A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202010264063.3
申请日：2020-04-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种二次电子倍增膜涂覆在内壁的电磁波发生器，在现有技术的基础上，在慢波结构或谐振腔内壁涂覆或溅射二次电子倍增膜，其二次电子发射系数δ一般远大于3，同时，电磁波发生器无聚焦磁场系统。这样电子由阴极发射出来后，受到电磁波的作用产生速度和密度调制，由于无聚焦磁场，所以密度不同的电子束会发生散射，当散射的电子打到内壁上时，由于内壁二次电子倍增，所以即可产生更多的电子，增大电子束电流。由于密度大的位置产生更多，密度小的位置产生更少二次电子，所以电子束电流增幅变大，即电磁波增幅也变大，在输出端口能够获得更高功率的电磁波。
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