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公开(公告)号：CN109437087A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811298649.0
申请日：2018-11-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于面外磁各向异性层的自旋霍尔纳米振荡器，属于微波电子设备技术领域。所述纳米振荡器包括基片，以及依次形成于基片之上的面外磁各向异性的磁性薄膜层和非磁性重金属薄膜层。本发明提供的一种基于面外磁各向异性层的自旋霍尔纳米振荡器中，磁性薄膜层具有面外磁各向异性，相比于传统的基于面内磁各向异性的磁性材料，在相同的驱动电流密度下，面外磁各向异性磁性材料能够获得更大的磁矩进动角和微波输出功率；同时，通过调节电流强度可实现不同功率的高频微波输出，输出微波信号性能良好，且结构简单，功耗低，与CMOS工艺相兼容，易于集成。
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公开(公告)号：CN107682012A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710812814.9
申请日：2017-09-11
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H03M1/0665 , H03M1/468
Abstract: 本专利针对SAR ADC中电容失配引起的线性下降，提出了一种低复杂度的DEM技术；在传统SAR ADC的基础上，CDAC高几位的电容以单元模块的形式实现，SAR逻辑产生的二进制码字转换成温度码后随机打乱位置驱动这些电容单元模块，将电容单元静态误差引入的谐波失真打散成白噪声，以稍微增加噪声水平为代价提高无杂散动态范围(SFDR)；控制温度码随机打乱位置的伪随机序列，并不需要一个专门的复杂电路产生，而是利用ADC的LSB码字产生；仅仅增加了几个D触发器的硬件消耗和很小的功耗，但是同样能获得很好的线性性能提升，简单实用。
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公开(公告)号：CN107681983A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710817186.3
申请日：2017-09-12
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H03F1/26 , H03F3/45179 , H03F2200/294 , H03F2203/45026 , H03F2203/45028 , H03M1/08
Abstract: 本发明涉及一种低噪声的运算放大器，相比于传统的套筒式运放，所述新型低噪声运放可以在保持相同直流增益的情况下，减小31.25％的输入相关噪声，并且不会使电路结构变的更复杂。所述新型低噪声运放有两种结构，主要方法是使用电阻R代替原有的MOS管，这种结构也称之为源级退化电阻，本质上是利用电阻的噪声代替MOS管的噪声。因为一般认为MOS管的噪声组成主要包括热噪声，闪烁噪声等，而电阻的噪声组成只有热噪声，所以用电阻代替MOS管可以降低整体运放的噪声。本发明尤其适用于低噪声的运算放大器。
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公开(公告)号：CN107425841A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710656309.X
申请日：2017-08-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/00 , H03K19/003
CPC classification number: H03K19/0013 , H03K19/00338
Abstract: 一种基于跳变检错结构的时序错误检测单元，涉及集成电路技术领域。包括时序检测部分和数据采样部分，其中时序检测部分只用8个MOS晶体管就能实现时序错误检测，结构简单，面积开销小；且数据采样部分采用了电平有效的锁存器，所以不会受亚稳态的影响；另外本发明将时序错误检测部分与数据采样部分分开，两部分独立工作互不影响，提高了电路的稳定性。本发明应用于流水线技术时，结合全局时钟暂停纠错技术，即使在同一周期出现多个时序错误，也只需要一个额外的周期就能纠错，能够大幅度降低流水线电路的功耗。
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公开(公告)号：CN107268043A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710535976.2
申请日：2017-07-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于印制电路板电镀技术领域，提供一种用于铜互连HDI电镀填孔的抑制剂及电镀铜浴；本发明抑制剂为有机聚胺类化合物，其分子结构为：R1，R2为苯基、甲基、甲氧苯基或苯基衍生物；本发明抑制剂具有在HDI板盲孔孔底快速填铜的同时抑制HDI板面铜的生长速率，从而达到在填充镀铜后，面铜厚度较薄的特性，此外还具有添加剂操作窗口宽，镀液寿命较长等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106405976A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610896751.5
申请日：2016-10-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/355 , G02F1/015 , C04B35/38 , C04B35/622
CPC classification number: G02F1/355 , C04B35/2658 , C04B35/622 , C04B2235/6583 , G02F1/015
Abstract: 一种基于MnZn铁氧体薄膜的太赫兹波调制器，属于太赫兹功能器件技术领域。包括自下而上依次层叠的P型硅衬底3、锰锌铁氧体薄膜2和石墨烯层1，源端4，漏端5和栅端6，其中，锰锌铁氧体薄膜2采用溅射法制备得到。本发明太赫兹波调制器采用具有高饱和磁化强度、低矫顽力的MnZn铁氧体磁性薄膜作为中间层，具有调制频率宽、透射率高等优点。
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公开(公告)号：CN120089949A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202510426227.0
申请日：2025-04-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种太赫兹多层全介质吸波超表面及制备方法，属于光电材料与器件技术领域。所述吸波超表面包括铜衬底，贴合于铜衬底之上的PDMS介质薄膜，填充于PDMS介质薄膜之中的介质超表面结构层，介质超表面结构层由多个方块单元组成，每个方块单元包括2个大方块和2个小方块按照2×2排列的下层方块和位于介质超表面结构中心的上层方块。本发明不需要多次光刻和沉积，极大减小了制备复杂度；并且可以将平面组合式吸波超表面和层叠式谐振吸波方案叠加起来，各层结构均可以有较大的平面复杂度，然后通过层叠式方案进行宽频的吸波叠加。
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公开(公告)号：CN117080754B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311131863.8
申请日：2023-09-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于吸透一体材料技术领域，涉及频率选择表面雷达吸波体(Frequency Selective Rasorber，FSR)，具体提供一种具有宽频吸收特性的透吸一体三维频率选择吸波体。本发明由上方的三维吸收结构与底部的二维频率选择表面(FSS)两部分构成，在三维吸收结构中采用导电油墨阻抗薄膜代替集总电阻对入射电磁波进行吸收；同时，底部通过二维频率选择表面结构以在工作频带实现低插入损耗的透波带；本发明提供的频率选择吸波体的吸波带在X波段和Ku波段，兼具较宽的吸波带宽和较小的插入损耗，并且具有尺寸小、易于灵活装配等优点，同时具有良好的角度稳定性。
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公开(公告)号：CN118944653A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411064777.4
申请日：2024-08-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种宽带高隔离射频开关，属于射频微波技术领域。所述射频开关包括两个射频开关控制器和一个宽带180°移相器，两个射频开关控制器为第一射频开关控制器和第二射频开关控制器，一个宽带180°移相器包括并联电感、电容、第一开路枝节加载线、第二开路枝节加载线、第一电感、第二电感和移相参考微带线。本发明提供的一种宽带高隔离射频开关，在传统串联型射频开关的基础上，通过并联一个截止的射频开关控制器和宽带180°移相器，可以有效拓宽射频开关高隔离度带宽，得到的射频开关具有高隔离度带宽、低插入损耗、结构简单的优点。
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公开(公告)号：CN118315185A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410205633.X
申请日：2024-02-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于软磁复合材料制备技术领域，具体提供一种用于DC–DC变换器的软磁复合材料的制备方法，用以制备得到高饱和磁通密度、高磁导率、高工作频率、高热稳定性、高强度、低矫顽力、低磁损耗及高可靠性的软磁复合材料，进而满足高频DC–DC变换器的应用需求。本发明首先在粒径细小的球形铁基纳米晶磁粉表面包覆Na2SiO3，然后混合预定量的硅酮树脂和环氧树脂，并通过温和的热压工艺获得软磁复合材料胚体，最后经退火处理制备得到软磁复合材料。本发明中包覆工艺、热压成型工艺简单高效，获得的软磁复合材料具有较高的可靠性和热稳定性，且具有较高的密度、较高的饱和磁化强度、较高的磁导率及低的磁电损耗。
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