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公开(公告)号：CN114050470B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202111355545.0
申请日：2021-11-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土晶体红外激光器的波长控制方法，涉及光电子器件技术领域，包括：构建包含光栅两面镜谐振腔和稀土激光晶体的激光器系统，所述光栅两面镜谐振腔包含Littrow光栅和第二平凹镜；在启动所述激光器系统中的泵浦源后，对所述Littrow光栅的方位角进行调整，得到满足Littrow条件的光栅闪耀角度；在得到满足Littrow条件的光栅闪耀角度后，通过调整所述Littrow光栅的方位角，得到所述稀土激光晶体的波长。
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公开(公告)号：CN113847987B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202111355594.4
申请日：2021-11-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种红外和可见光集成宽光谱荧光测量方法，包括以下步骤：半导体激光光源经过多模光纤耦合输出激光信号，所述激光信号依次经过长焦距的双胶合消色差透镜和短焦距的双胶合消色差透镜后，所述激光信号的光斑汇聚为一点；将CrErTm:GGG晶体放在温控台上保持恒定温度，调节CrErTm:GGG晶体的位置，使CrErTm:GGG晶体位于光斑汇聚点；使用平凸透镜收集红外荧光，经滤波片过滤掉泵浦光后进入傅里叶变换红外光谱仪测量中红外荧光；以及同时，在垂直光路方向将可见光光谱仪的光纤探头对准CrErTm:GGG晶体，收集可见荧光，耦合进入可见光谱仪测量可见荧光。本发明实现了红外和
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公开(公告)号：CN114050470A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111355545.0
申请日：2021-11-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土晶体红外激光器的波长控制方法，涉及光电子器件技术领域，包括：构建包含光栅两面镜谐振腔和稀土激光晶体的激光器系统，所述光栅两面镜谐振腔包含Littrow光栅和第二平凹镜；在启动所述激光器系统中的泵浦源后，对所述Littrow光栅的方位角进行调整，得到满足Littrow条件的光栅闪耀角度；在得到满足Littrow条件的光栅闪耀角度后，通过调整所述Littrow光栅的方位角，得到所述稀土激光晶体的波长。
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公开(公告)号：CN108490540A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810320850.8
申请日：2018-04-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B6/124
Abstract: 本发明公开了一种频率可调的宽带红外隔离元件，属于光学元件技术领域。该隔离元件具有分层结构，从下到上依次为硅衬底、金属光栅、介质膜和石墨烯层，石墨烯层和硅衬底分别与电源的正负极相连接；其中，石墨烯层上开设有“工”字形孔，“工”字形孔与所述金属光栅中的金属条之间的夹角为45°。采用本发明中隔离元件，可有效解决现有光隔离元件成本高、体积大、不易集成以及损耗高、透光率低、工作频段不可调的技术问题。
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公开(公告)号：CN105929477A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610410055.9
申请日：2016-06-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B5/30
CPC classification number: G02B5/30
Abstract: 本发明公开一种宽带可调谐的中红外偏振转换器，为立方体结构，其特征在于，包括：由下至上依次设置的衬底、二氧化硅隔离层、石墨烯层，其中衬底采用0.1μm的金，其上面是0.9‑1.3μm的二氧化硅隔离层，最上面是单层石墨烯，石墨烯上设有周期性的矩形打孔阵列，周期为p＝170‑210nm，所述矩形打孔的长为L1＝100‑140nm、宽为L2＝80‑120nm，矩形打孔为45度角朝向即矩形打孔的边与衬底、二氧化硅隔离层、石墨烯层的边夹角为45°。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105182462A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510695811.2
申请日：2015-10-23
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: G02B5/3083 , G02B27/286
Abstract: 本发明公开了一种基于双杆天线结构的中红外偏振转换器，器件由多个单元器件构成的单元阵列，每个所述单元器件从下到上依次为n-型高掺杂硅片衬底、铜膜、二氧化硅隔离层、双杆天线。这种偏振转换器中心波长为9.58μm，偏振转化率PCR超过80％，带宽为中心波长的77％，性能优越。
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公开(公告)号：CN117526092A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210907251.2
申请日：2022-07-29
Abstract: 本申请提供一种激光器芯片、器件和设备，以提高有源区的光学增益，优化量子级联激光器的工作性能。激光器芯片包括多个周期级联的有源层，每个有源层中的有源区包括6个量子阱。这种激光器结构设计能够使得有源区的能带结构设计为上激光能级和下激光能级之间具有更大空间耦合，以通过增加上激光能级和下激光能级之间的偶极子矩阵元来提高增益和激光性能。
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公开(公告)号：CN113847987A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111355594.4
申请日：2021-11-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种红外和可见光集成宽光谱荧光测量方法，包括以下步骤：半导体激光光源经过多模光纤耦合输出激光信号，所述激光信号依次经过长焦距的双胶合消色差透镜和短焦距的双胶合消色差透镜后，所述激光信号的光斑汇聚为一点；将CrErTm:GGG晶体放在温控台上保持恒定温度，调节CrErTm:GGG晶体的位置，使CrErTm:GGG晶体位于光斑汇聚点；使用平凸透镜收集红外荧光，经滤波片过滤掉泵浦光后进入傅里叶变换红外光谱仪测量中红外荧光；以及同时，在垂直光路方向将可见光光谱仪的光纤探头对准CrErTm:GGG晶体，收集可见荧光，耦合进入可见光谱仪测量可见荧光。本发明实现了红外和可见光的光谱同时测量，测量范围涵盖400nm‑15000nm的宽范围。
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公开(公告)号：CN105137619B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201510648986.8
申请日：2015-10-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉一种宽带的中红外调制器，所述中红外调制器为多层结构，中红外调制器以二氧化钒为温控相变材料；所述中红外调制器的多层结构的最下层为金，最上层为二氧化硅，二氧化钒层位于中红外调制器的中部，二氧化钒层的上侧设有钛金属层。其中，优选的结构为，中红外调制器的多层结构从下至上依次为金、二氧化硅、二氧化钒、钛金属、二氧化硅。本发明的宽带的中红外调制器，该中红外调制器的带宽达到中心波长的94％；该中红外调制器的结构为层状结构，制作简单、成本低，层状薄膜结构无需图案化印刷技术，因此可简化制作工艺、降低成本。
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公开(公告)号：CN115911157A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310043512.5
申请日：2023-01-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/0224 , H01L31/101
Abstract: 本发明提供一种双模共振天线集成的Ⅱ类超晶格红外探测器，包括从下到上依次设置的GaSb衬底、n型GaSb缓冲层、n++InAs n型下接触层、InAs/InAs0.5Sb0.5T2SL吸收层、AlAsSb势垒层、InAs/InAs0.5Sb0.5T2SL n型上接触层以及梳状金属天线电极，本发明基于TE偏振下的波导模式和TM偏振下的局域等离子体模式共振，实现Ⅱ类型超晶格探测器偏振不敏感的探测性能增强，在TE和TM偏振方向下，外量子效率增强8‑11倍，达到40‑55％，解决超薄型Ⅱ类超晶格探测器探测效率不足的瓶颈问题。
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