公开(公告)号：CN102439703A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201080022218.7

申请日：2010-04-23

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·R·汉特曼 ,  海伦·L·梅纳德 ,  迪帕克·瑞曼帕

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26593 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/7848

Abstract: 揭示一种用于增强半导体结构的通道区中的张应力的方法。所述方法包含执行一或多个冷碳或分子碳离子植入步骤，以在所述半导体结构内植入碳离子，从而在通道区的任一侧形成应力层。接着在所述应变层上方形成升起式源极/漏极区，且使用随后的离子植入步骤来掺杂所述升起式源极/漏极区。毫秒退火步骤激活应变层及升起式源极/漏极区。应变层增强半导体结构的通道区内的载流子迁移率，同时所述升起式源极/漏极区使所述应变层中因随后掺杂剂离子在所述升起式源极/漏极区中的植入而导致的应变减至最小。

公开(公告)号：CN102203944A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980142556.1

申请日：2009-10-29

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 迪帕克·瑞曼帕 ,  丹尼斯·罗迪尔

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L21/76237 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 在感光装置的制造期间，通过已改善的物种的植入来降低感光装置内的暗电流。暗电流可经由光二极管装置中的缺陷来引起，或于制造期间使用退火、植入或其他制程步骤来引起。经由非晶化光二极管范围中的工作部件，可消除大量的缺陷，从而消除此暗电流的原因。暗电流也可经由相邻STI所感应的应力来引起，其中衬与填充材料所产生的应力会加重工作部件中的缺陷。经由非晶化沟渠的侧壁与底部表面，可消除于蚀刻期间所产生的缺陷。此缺陷中的降低也可减少感光装置中的暗电流。