公开(公告)号：CN102484167A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037578.4

申请日：2010-08-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 ,  史蒂芬·M·恩尔拉 ,  班杰明·B·里欧登 ,  阿塔尔·古普塔

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/266 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种产生太阳能电池的改良方法，其利用在离子植入器中相对于离子束而固定的遮罩。朝向基板将所述离子束引导穿过所述遮罩中的多个孔。所述基板以不同速度移动，使得当所述基板以第一扫描速率移动时，所述基板暴露于一离子剂量率，且当所述基板以第二扫描速率移动时，所述基板暴露于第二离子剂量率。藉由修改所述扫描速率，可在对应的基板位置处将各种剂量率植入于所述基板上。此做法使离子植入能用于提供对于太阳能电池制造而言有利的精确的掺杂轮廓。