公开(公告)号：CN105390449B

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201510535806.5

申请日：2015-08-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 萩原琢也 ,  塙哲郎

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11573

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明使得可以改善半导体器件的可靠性。在根据实施例的半导体器件的制造方法中，当在包括氮化硅膜的盖绝缘膜上形成抗蚀剂图案时，通过化学放大型抗蚀剂的涂布、曝光和显影处理的过程形成抗蚀剂图案。然后，涂覆化学放大型抗蚀剂以便直接接触包括氮化硅膜的盖绝缘膜的表面，并且在涂布化学放大型抗蚀剂之前对包括氮化硅膜的盖绝缘膜的表面施加有机酸预处理。

公开(公告)号：CN104698746A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510138362.1

申请日：2010-03-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 寺井护 ,  萩原琢也

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/36

CPC classification number: G03F7/38 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70341 ,  Y10T428/24802

Abstract: 本发明涉及一种抗蚀剂图案形成方法，其目的在于：提供方法简单、成本低、可进行高速扫描且赋予高疏水性的抗蚀剂图案形成方法，用于得到消除了显影缺陷的电子器件。本发明的抗蚀剂图案形成方法的特征在于，按如下顺序包含下述工序：对抗蚀剂膜实施液浸曝光的工序、将实施了液浸曝光的抗蚀剂膜溶于碱性显影液的工序，通过碱浸渍使已溶于碱性显影液的抗蚀剂膜显影的工序、对显影后的抗蚀剂膜进行纯水冲洗处理的工序，其中，溶于碱性显影液的工序不是将已进行了液浸曝光的抗蚀剂膜进行紫外线照射，而是将其暴露在臭氧气体中(以下有时也称“臭氧处理”)。

公开(公告)号：CN101614969B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200910150481.3

申请日：2009-06-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 寺井护 ,  萩原琢也 ,  石桥健夫

IPC: G03F7/30 ,  G03F7/32 ,  G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/322 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42

Abstract: 本发明涉及浸液光刻显影处理方法、该显影处理方法中使用的溶液和使用该显影处理方法的电子装置。本发明是用于得到消除显影缺陷的电子装置的浸液光刻显影方法，其目的在于提供简便、低成本且能够赋予可高速扫描的高防水性的工艺。本发明的目的是提供浸液光刻显影处理方法、该显影处理方法中使用的溶液和使用了该显影处理方法的电子装置，该方法不引入新设备，并加入了利用价格便宜的材料所带来的改良。本发明的浸液光刻显影处理方法是包括利用了碱浸渍的显影工序的电子装置的浸液光刻显影处理方法，其特征是包括溶解除去工序，该溶解除去工序使用选择性溶解除去含有表面偏析剂和化学增幅型抗蚀剂的抗蚀剂中表面偏析剂的溶解除去溶液来进行。

公开(公告)号：CN102027570B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200980114703.4

申请日：2009-02-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社 ,  旭硝子株式会社

Inventor： 石桥健夫 ,  寺井护 ,  萩原琢也 ,  横小路修 ,  武部洋子

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/09

CPC classification number: G03F7/16 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041

Abstract: 本发明提供可抑制由浸渍液所导致的被曝光基板背面的污染并且可提高被加工膜与其正上方的有机膜的附着性以抑制膜剥离且操作性优良的被曝光基板用防水剂组合物、抗蚀图形的形成方法及通过该形成方法制造的电子器件、被曝光基板的防水处理方法、被曝光基板用防水剂套装以及使用该套装的被曝光基板的防水处理方法。本发明使用被曝光基板用防水剂组合物，该组合物至少包含以下述通式(1)表示的有机硅化合物和溶剂。式中，R1为碳原子数14～30的1价有机基团，R2、R3、R4分别独立地为碳原子数1～10的1价有机基团或水解性基团，R2、R3、R4中的至少1个为水解性基团。

公开(公告)号：CN102956443A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210286815.1

申请日：2012-08-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 萩原琢也

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/76802

Abstract: 本发明可提高半导体器件的制造成品率。在半导体晶片(SW)上形成被加工膜(1)，在被加工膜(1)上形成抗反射膜(2)，在抗反射膜(2)上形成抗蚀层(3)后，对抗蚀层(3)进行浸液曝光、显影及冲洗处理，从而形成抗蚀图(3a)。随后，将抗蚀图(3a)作为蚀刻掩模，依序对抗反射膜(2)及被加工膜(1)进行蚀刻。在抗蚀层(3)的显影工序中，抗反射膜(2)从因显影处理而被除去了抗蚀层(3)的部分露出。在进行显影后的冲洗处理时，从抗蚀层(3)露出的抗反射膜(2)表面的憎水性与抗蚀层(3)表面(3b)的憎水性相同或更高。

公开(公告)号：CN102027570A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200980114703.4

申请日：2009-02-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社 ,  旭硝子株式会社

Inventor： 石桥健夫 ,  寺井护 ,  萩原琢也 ,  横小路修 ,  武部洋子

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/09

CPC classification number: G03F7/16 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041

Abstract: 本发明提供可抑制由浸渍液所导致的被曝光基板背面的污染并且可提高被加工膜与其正上方的有机膜的附着性以抑制膜剥离且操作性优良的被曝光基板用防水剂组合物、抗蚀图形的形成方法及通过该形成方法制造的电子器件、被曝光基板的防水处理方法、被曝光基板用防水剂套装以及使用该套装的被曝光基板的防水处理方法。本发明使用被曝光基板用防水剂组合物，该组合物至少包含以下述通式(1)表示的有机硅化合物和溶剂。式中，R1为碳原子数14～30的1价有机基团，R2、R3、R4分别独立地为碳原子数1～10的1价有机基团或水解性基团，R2、R3、R4中的至少1个为水解性基团。