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公开(公告)号：CN118588544A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410633978.5
申请日：2024-05-21
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种欧姆接触结构及其制备方法以及制得的碳化硅器件。该欧姆接触结构的制备方法包括：提供碳化硅衬底，碳化硅衬底具有相对的第一表面和第二表面，在第一表面上具有半导体器件；在碳化硅衬底的第二表面上形成金属层；采用第一沉积工艺在金属层背离碳化硅衬底的一侧形成吸收层，第一沉积工艺具有第一温度；采用第二沉积工艺在吸收层背离金属层的一侧形成阻挡层，第二沉积工艺具有第二温度，第一温度小于第二温度；由于第一温度小于第二温度，使得吸收层的致密性小于阻挡层的致密性，吸收层会将碳化硅衬底在退火时析出的碳进行吸收，若吸收层已经饱和不再吸收碳，阻挡层的致密性高也会将析出的碳进行阻挡，进而提高欧姆接触结构的性能。
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公开(公告)号：CN118588532A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410633665.X
申请日：2024-05-21
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种晶圆片加工方法及加工装置，包括：将膜层贴设在晶圆片的第一表面处，并对晶圆片进行减薄处理；在对晶圆片进行减薄处理后，沿膜层的厚度方向对膜层的至少部分进行刺入操作；对晶圆片的第二表面进行挤压操作，以使膜层在膜层的受刺入部位处形成贯通膜层的厚度方向的刺穿孔；其中，第一表面和第二表面分别位于晶圆片的两侧。通过本发明提供的技术方案，能够解决现有技术中的膜层应力累积导致晶圆片翘曲较大而使得出料时碎片风险较高的技术问题。
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公开(公告)号：CN117976539A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410006262.2
申请日：2024-01-03
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种沟道缩减型晶体管的制备方法，包括：在衬底上沉积沟道层；在沟道层中刻蚀凹槽；在沟道层上沉积势垒层，所述势垒层沉积在沟道层的上表面以及凹槽的底部和侧壁；在势垒层上方依次形成源极、漏极和栅极。本申请通过在沟道层中设置凹槽，使得沟道层和势垒层之间形成二维曲线结构，在保持沟道长度不变的条件下缩减单个晶体管元胞的尺寸，实现单个元胞的微型化，降低晶体管成本。
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公开(公告)号：CN117293060A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311350533.8
申请日：2023-10-17
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶圆快速热退火用导热衬片及其碳化硅晶圆载具，碳化硅晶圆快速热退火用导热衬片包括：衬片基体(1)，衬片基体(1)的至少一侧的表面上设置有多个孔(2)，多个孔(2)间隔地设置于衬片基体(1)的至少一侧的表面上，多个孔(2)由对衬片基体(1)进行激光改质加工得到，多个孔(2)的底面均为弧面结构，孔(2)内填充有非透明淀积层(3)和保护层(4)，以使衬片基体(1)的表面平整。本申请解决了现有技术中导热衬片需频繁更换的问题。
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公开(公告)号：CN222418845U
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202421285856.3
申请日：2024-06-05
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种晶圆片翘曲测量装置，晶圆片翘曲测量装置包括：接触感应件，用于与待测晶圆片的下表面的下凸位置接触；升降件，至少部分设置在接触感应件上方，升降件相对于接触感应件沿竖直方向可运动地设置，升降件的上端用于与待测晶圆片底部外周位置接触以支撑待测晶圆片；测量尺，测量尺上标有尺寸刻度，测量尺设置在升降件上且与升降件沿竖直方向相互平行，以随升降件运动，以解决现有技术中缺少能够精确地测量超薄晶圆片的翘曲值的装置的问题。
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