公开(公告)号：CN118414072A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202311823926.6

申请日：2023-12-28

Applicant: 珠海多创科技有限公司

Inventor： 关蒙萌 ,  胡忠强 ,  朱红艳 ,  高杰强

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10

Abstract: 本发明属于磁传感器技术领域，公开一种用于对磁阻元件施加大磁场的方法、磁阻元件及其制备方法；该用于对磁阻元件施加大磁场的方法包括在基板上制造磁阻元件；在基板上沉积软磁元件，使至少一磁阻子元件中各磁阻子元件靠近软磁元件的边缘位置；对基板施加第一磁场，使至少一磁阻子元件中各磁阻子元件的周围具有第二磁场；第一磁场及第二磁场的磁场方向平行于所述基板，第二磁场的磁场强度大于第一磁场的磁场强度。本发明通过在磁阻元件的侧边沉积软磁元件，使得软磁元件相邻的磁阻元件周围磁场的磁场强度获得加大，降低磁场产生设备所提供磁场的要求，进而降低磁阻元件的制备难度及易于工业化实现。

公开(公告)号：CN113702880A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202111258971.2

申请日：2021-10-28

Applicant: 珠海多创科技有限公司

Inventor： 刘明 ,  关蒙萌 ,  胡忠强 ,  朱红艳 ,  朱家训

IPC: G01R33/09 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁电阻传感器芯片，包括：第一、第二磁感应单元，感应单元均包括连接成惠斯通电桥的磁电阻单元，其中两个磁电阻单元被软磁材料屏蔽；罩在第二磁感应单元之外的导体罩，导体罩和第二磁感应单元由绝缘材料隔开；与第二磁感应单元的输出端相连的反馈调节电路；与反馈调节电路相连的导体，导体上的电流方向和磁电阻单元的磁敏感方向相垂直，第二磁感应单元与反馈调节电路及导体组成闭环零磁通电路；第一、第二磁感应单元位于导体的同一侧且与导体间的距离相同，能够感应外磁场的磁电阻单元在导体所在平面上的投影位于导体在其所在平面上的投影内。本发明的磁电阻传感器芯片在高频磁场的应用中具有对来自低频磁场的抗干扰能力，拥有更精准的输出。

公开(公告)号：CN217766801U

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202221370464.8

申请日：2022-06-02

Applicant: 珠海多创科技有限公司

Inventor： 刘明 ,  胡忠强 ,  关蒙萌 ,  朱红艳

IPC: G01R33/09 ,  G01R33/00 ,  G01R15/00

Abstract: 一种磁电阻传感器及电子设备，包括至少两个磁电阻模块，磁电阻模块包括相邻设置的结构相同的第一、第二磁电阻臂，第一磁电阻臂的两端分别和第一、第二焊盘电连接，第二磁电阻臂的两端分别和第三、第四焊盘电连接，两个磁电阻臂均包括多个串联连接的磁电阻元件；磁电阻臂构成磁电阻区，四个焊盘分布于磁电阻区的四周，第一、第二焊盘间的夹角及第三第四焊盘间的夹角为60～150°。本实用新型在磁电阻模块中设置一对磁电阻臂，磁电阻臂具有相同数量且相邻设置的磁电阻元件，使得两个磁电阻臂的阻值相等，感应到的外磁场一致，保证了传感器的准确输出；且两个磁电阻臂相邻设置，焊盘分布在磁电阻臂的四周，提高了空间利用率，结构更为紧凑，器件体积更小。