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公开(公告)号：CN100372001C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200480008389.9
申请日：2004-03-31
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: G11B7/007
CPC classification number: G11B7/252 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/258 , G11B7/266
Abstract: 一种使用在其上已经预记录了信息的超高解析近场结构(Super-RENS)来实现载噪比(CNR)的只读记录介质，其包括：基底，将所述信息记录在其表面上；反射层，其在所述基底上面由相变材料构成；第一电介质层，其形成在所述反射层上面；和掩膜层，其在所述第一电介质层上面由金属氧化物或纳米颗粒构成。
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公开(公告)号：CN1768381A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200480008410.5
申请日：2004-05-21
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00452 , G11B7/261 , G11B7/263 , Y10S428/913
Abstract: 本发明提供了：一种多层结构，当其温度超过预定的阈值时其体积变化；一种微观结构绘制方法，包括将激光束发射到多层结构上以在束斑以内引起温度分布，并在具有温度高于阈值的束斑的一部分上执行微观记录；一种光盘母盘；一种使用多层结构的母盘制作方法，其中，多层结构包括基板和在该基板上形成的变形层，其中，当被激光束辐射的变形层的一部分的温度超过预定温度时，这部分的体积变化。微观结构绘制方法包括将激光束发射到变形层的预定区域上，并将被激光束辐射的变形层的区域加热到超过预定的温度，从而被加热的区域会发生体积变化。
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公开(公告)号：CN1656547A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03811444.5
申请日：2003-03-28
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
CPC classification number: G11B7/00454 , B82Y10/00 , G11B7/24065 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B11/10504 , G11B11/10515 , G11B11/10528 , G11B11/10584 , G11B11/10593 , G11B11/10597
Abstract: 提供一种利用记录介质的记录层和电介质层中的激光引发的反应和扩散的相变和/或磁光记录法、一种使用该方法在其上记录的记录介质、以及一种用于该记录介质的记录和再现装置。相变记录法包括通过激光引发的反应和扩散改变记录介质的记录层和电介质层的光学常数的吸收系数。磁光记录法包括在利用激光照射记录介质的记录层和电介质层从而在其中引发反应和扩散的同时改变记录层中的磁化方向。还提供了一种基于通过记录层和电介质层中的激光引发的反应和扩散形成的突出记录标记的物理性质的记录方法。
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公开(公告)号：CN1705912A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200380101900.5
申请日：2003-10-20
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: G03F1/08
Abstract: 本发明提供了一种图案形成材料体，该图案形成材料体包括：在目标衬底上形成的热敏材料层；在热敏材料层和目标衬底之间形成的第一光/热转换层；和在热敏材料层与第一光/热转换层相对的表面上形成的第二光/热转换层，该热敏材料层置于第一和第二光/热转换层之间。使用在热敏材料层的两个表面上形成的第一和第二光/热转换层中产生的热，能够在由光致抗蚀剂制成的热敏材料层中形成宽高比更高的精细图案。
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15.发明公开公开(公告)号：CN1656607A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03811443.7
申请日：2003-03-28
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: H01L21/324
Abstract: 提供使用通过加热引发的化学反应和扩散制造化合物半导体和化合物绝缘体的方法，使用该方法形成的化合物半导体和化合物绝缘体，以及包括该化合物半导体或化合物绝缘体的光电池、电子电路、晶体管和存储器。制造化合物半导体或化合物绝缘体的该方法包括：形成叠层结构，其包括置于含氧和/或硫的电介质层之间的对氧和/或硫是高度活性的稀土过渡金属中间层；以及加热该叠层结构，从而在电介质层与中间层之间引发化学反应和扩散，其中为了化合物半导体和化合物绝缘体，在不同温度下进行该加热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1653533A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03811109.8
申请日：2003-05-16
Applicant: 三星电子株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: G11B7/24
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B2007/24306 , Y10T428/21
Abstract: 提供一种简单－结构的无掩模层记录媒体和信息记录和复制方法，它们解决在复制过程中产生的相关热稳定性问题。记录媒体包括在第一和第二介电层之间的高熔点记录层。在记录媒体上记录信息的方法，包括激光束照射到记录媒体上以在高熔点的记录层和第一和第二介电层中引发反应和扩散。通过上述方法，复制记录在这种超分辨率近场记录媒体上信息的方法，包括利用高熔点记录层和第一和第二介电层的结晶颗粒产生等离子体振子作为散射源，以复制记录在记录层中的信息，不管所使用激光衍射极限。
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公开(公告)号：CN107949805B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201680040756.6
申请日：2016-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开的实施例提供一种能够执行信息显示功能和镜像功能的显示装置。提供了一种显示处于关闭状态的预定对象的显示装置。提供了一种显示装置，其包括设置在胆甾型液晶显示设备的电极之间的空间中的分隔壁。还提供一种通过使用胆甾型液晶而改善可视性的透明显示装置。根据公开的实施例的显示装置显示面板和辅助面板，所述辅助面板设置在显示面板的前表面上，用于在显示面板的端部驱动时显示预定物体。
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公开(公告)号：CN106255920A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201580022673.X
申请日：2015-03-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/01
Abstract: 所公开的发明的一方面提供一种显示装置及其制造方法，其中密封通过将形成在前电极中的分隔壁的一端插入到处于凝胶状态的上电极中而实现，使得上电极基板的表面具有优良的平坦性和优良的密封效果。根据实施方式的显示装置包括：第一电极模块，包括第一电极；第二电极模块，包括第二电极并布置为与第一电极模块相对；多个分隔壁，形成在第一电极模块上并具有插入到第二电极中的端部；多个空腔，由第一电极模块和所述多个分隔壁形成；以及电场依赖层，形成在所述多个空腔中并具有通过形成在第一电极模块和第二电极模块之间的电场改变的特性。
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公开(公告)号：CN105739171A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510993829.0
申请日：2015-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13357
CPC classification number: G02F1/133502 , G02B1/118 , G02B6/00 , G02B6/0018 , G02B6/002 , G02B6/0023 , G02B6/0028 , G02B6/0031 , G02B6/0073 , G02F1/1336 , G02F2001/133565 , G02F2001/133616 , G02F2201/38 , G02F1/133606 , G02F1/133603 , G02F1/133605 , G02F2001/133607
Abstract: 这里公开了一种显示装置，该显示装置包括液晶面板，其中液晶材料填充在显示基板和后基板之间。用于抑制从后侧入射的光的反射的光反射防止图案形成在显示基板的后表面处，使得穿过显示基板并传输到显示装置的前部的光的量增加，因此提高显示装置的可见性。
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公开(公告)号：CN1867971A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200480030112.6
申请日：2004-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/004
CPC classification number: G11B7/1263 , G11B7/005 , G11B7/00736 , G11B7/0938 , G11B7/24 , G11B7/24065 , G11B7/243 , G11B2007/24304 , G11B2007/2432
Abstract: 一种信息存储介质，所述信息存储介质包含大小小于从信息再现设备发射的入射光束的分辨率极限的记录标记，所述信息存储介质包括以数据的形式记录的参考信号以补偿由于散焦或倾斜引起的信号劣化。
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