公开(公告)号：CN117877985A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311674582.7

申请日：2023-12-07

Applicant: 湖南大学

Inventor： 邹旭明 ,  柳畅 ,  廖蕾

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/15 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明提供一种控制范德华间隙的方法，所述方法包括以下步骤：步骤一，利用前驱溶液产生饱和蒸汽；步骤二，将第一材料置于饱和蒸汽中进行分子/离子吸附；步骤三，将第一材料与第二材料进行物理层压，形成范德华间隙，所述间隙大小由第一材料吸附时所处的饱和蒸汽控制。本发明利用材料在不同等级的饱和蒸汽下进行表面吸附的不同，结合后续的物理层压，形成了一系列尺寸和成分变化的范德华间隙，所述的范德华间隙能够形成在二维(2D)/2D材料，2D/三维(3D)材料，3D/3D材料和人工超晶格材料中，具有高度的普适性。

公开(公告)号：CN113823697B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202110883169.6

申请日：2021-08-02

Applicant: 湖南大学

Inventor： 刘兴强 ,  廖蕾 ,  段鑫沛 ,  林均 ,  张明亮

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种基于二维尺寸裁剪的肖特基栅场效应晶体管，包括衬底，在所述衬底上形成交叉设置的块状薄膜和纳米带，所述纳米带与所述块状薄膜采用同一种二维材料，在所述纳米带与所述块状薄膜相交处形成由同一材质构成的同质结，在所述纳米带以及所述块状薄膜的两端形成金属电极。本发明通过等离子体刻蚀对二维材料的物理尺寸进行裁剪，利用同质结形成的肖特基结构建了块状二硫化钼薄膜作为栅极、二硫化钼纳米带作为载流子传输层的肖特基栅场效应晶体管，性能优越，操作简单，可控性强。

公开(公告)号：CN114784050B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210683525.4

申请日：2022-06-17

Applicant: 湖南大学

Inventor： 廖蕾 ,  邹旭明 ,  夏桢 ,  吕亚威 ,  洪曦彤

IPC: H01L27/30 ,  H01L27/28 ,  H01L29/778 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种神经形态视觉传感器及其应用和制备方法，属于半导体技术领域，所述视觉传感器包括高k介质层、钙钛矿层和顶栅电极，所述钙钛矿层位于高k介质层之上、顶栅电极位于钙钛矿层之上，所述神经形态视觉传感器在紫外至可见光波段都具备正向/负向光电流响应。本发明通过在AlGaN/GaN异质结构中引入高k介质层/钙钛矿层作为栅介质，将AlGaN/GaN异质结构和钙钛矿优异的光电性质结合在一起，所提出的视觉传感器架构成功突破了AlGaN/GaN异质结构光电探测器单向光响应的限制，实现了有效地感知和存储紫外线‑可见光区域的光学信息。

公开(公告)号：CN114784050A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210683525.4

申请日：2022-06-17

Applicant: 湖南大学

Inventor： 廖蕾 ,  邹旭明 ,  夏桢 ,  吕亚威 ,  洪曦彤

IPC: H01L27/30 ,  H01L27/28 ,  H01L29/778 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种神经形态视觉传感器及其应用和制备方法，属于半导体技术领域，所述视觉传感器包括高k介质层、钙钛矿层和顶栅电极，所述钙钛矿层位于高k介质层之上、顶栅电极位于钙钛矿层之上，所述神经形态视觉传感器在紫外至可见光波段都具备正向/负向光电流响应。本发明通过在AlGaN/GaN异质结构中引入高k介质层/钙钛矿层作为栅介质，将AlGaN/GaN异质结构和钙钛矿优异的光电性质结合在一起，所提出的视觉传感器架构成功突破了AlGaN/GaN异质结构光电探测器单向光响应的限制，实现了有效地感知和存储紫外线‑可见光区域的光学信息。

公开(公告)号：CN114759086A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210358434.3

申请日：2022-04-06

Applicant: 湖南大学

Inventor： 罗鹏飞 ,  段鑫沛 ,  刘兴强 ,  廖蕾 ,  林均 ,  洪若豪

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提供了一种范德华间隙场效应晶体管，所述晶体管具有过饱和氧增大物理吸附界面，包括衬底，在所述衬底上形成半导体沟道层，栅极介电层位于所述半导体沟道层上方并与之交叠，所述栅极介电层通过将二硫化铪氧化成二氧化铪制成。本发明利用臭氧处理机的富氧环境对二维材料进行可控充分氧化，实现了过饱和氧增大物理吸附界面的范德华间隙场效应晶体管，制备简单，性能卓越，可控性强。

公开(公告)号：CN217719613U

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202221625369.8

申请日：2022-06-27

Applicant: 湖南大学

Inventor： 廖蕾 ,  邹旭明 ,  洪曦彤 ,  夏桢

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423

Abstract: 本实用新型提供一种GaN HEMT器件，所述器件包括GaN基底、位于所述GaN基底上两端的源电极和漏电极、高k介质层、位于高k介质层上的顶栅电极，所述器件还包括金属氧化物层，所述金属氧化物层位于所述高k介质层和所述GaN基底之间，所述金属氧化物层为Y2O3层。本实用新型采用以金属氧化物层作为缓冲层的方法成功实现在AlGaN表面上高k介质层的高质量沉积。本实用新型还可以通过在所述金属氧化物层和所述高k介质层之间添加NiOx层，有效调控AlGaN/GaN HEMT器件的阈值电压，得到高性能AlGaN/GaNHEMT器件。