公开(公告)号：CN114582862B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202210221722.4

申请日：2022-03-09

Applicant: 西安电子科技大学 ,  北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 赵胜雷 ,  刘爽 ,  张进成 ,  舒磊 ,  赵杜钧 ,  李同德 ,  王亮 ,  赵元富 ,  郝跃

IPC: H10D84/82 ,  H10D84/08

Abstract: 本发明公开了一种单片集成GaN/Ga2O3的Cascode增强型抗单粒子烧毁器件，包括Ga2O3FET结构和设置在所述Ga2O3FET结构右侧的GaN HEMT结构，Ga2O3FET结构和GaN HEMT结构均设置在衬底上，GaN HEMT结构和Ga2O3FET结构之间设置有第一钝化层；Ga2O3FET结构自下而上依次包括Ga2O3缓冲层和Ga2O3沟道层，Ga2O3沟道层的上方从左至右依次设置有第一源极、第一栅极和第一漏极；GaN HEMT结构自下而上依次包括AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的上方从左至右依次设置有第二源极、p‑GaN层和第二漏极，p‑GaN层的上方设置有第二栅极。本发明采用上述结构实现了新型Ga2O3的增强型器件，降低了宇航系统的重量和复杂度，增加了器件的可靠性，提高了器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。

公开(公告)号：CN104461620B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201410708138.7

申请日：2014-11-27

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 陆振林 ,  兰利东 ,  赵元富 ,  李志远 ,  王蕊 ,  王智博 ,  刘凤莲 ,  王冠雅 ,  舒磊

IPC: G06F9/445

Abstract: 一种SoPC芯片自主重构软配置方法，对SoPC芯片的自重构软配置电路技术进行研究，提出了一种SoPC芯片自主重构软配置方法，本发明方法充分利用配置接口可控性的特征，将处理器的GPIO接口与FPGA芯片的配置接口相连，构建物理数据通路和配置链路，通过控制GPIO接口的信号输出、采集和通过接口电平变化实现配置时序和配置数据，完成自重构操作。本发明方法与传统的重构配置方法相比无需在SoPC芯片添加FPGA专用的配置芯片即可实现系统的自主重构操作，有效的减小了SoPC芯片的体积，同时SoPC芯片内部用于控制实现自主重构操作的信号少，降低了设计复杂度。