公开(公告)号：CN102689874A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210211266.1

申请日：2012-06-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 王喆垚 ,  陈倩文 ,  宋振 ,  唐浩

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了半导体三维集成技术领域的一种传感器阵列与信号处理电路的三维集成方法；包括以下步骤：1）在绝缘衬底器件的顶层单晶材料上制造传感器；2）在信号处理电路衬底表面制造信号处理电路和金属互连线，并在金属互连线上制造金属凸点；3）进行键合过程或三维互连过程；4）对键合金属凸点与金属凸点进行金属热压键合；5）去除临时键合高分子层和辅助圆片；6）制造平面互连线。本发明的有益效果为：实现传感器与信号处理电路的集成，并实现传感器的悬空，并利用三维互连线实现传感器与信号处理电路的电信号连接，具有制造过程简单、能够实现悬空传感器、获得优良的传感器一致性和大规模阵列式结构。

公开(公告)号：CN100570847C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200710179533.0

申请日：2007-12-14

Applicant: 清华大学

Inventor： 王喆垚 ,  宋崇申 ,  蔡坚 ,  陈倩文 ,  刘理天

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L2224/16145

Abstract: 本发明公开了属于半导体和微传感器制造技术领域的一种三维集成电路实现方法。该方法利用刻蚀技术对衬底圆片局部进行减薄，并在局部减薄区刻蚀高深宽比通孔，由于只是局部减薄，衬底圆片强度得以保证，从而不需要转移圆片；另外采用自底向上的电镀方法填充高深宽比盲孔，最后键合后减薄圆片实现高深宽比的穿透衬底的三维互连，获得三维集成电路。本方法在局部减薄区刻蚀通孔，容易获得高密度的通孔互连；不使用转移圆片，简化了制造过程。本方法可以应用于三维集成电路领域和微型传感器集成领域，不仅可以实现硅衬底的三维集成，还可以扩展到其他半导体衬底的三维集成。