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公开(公告)号：CN118922035A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411007181.0
申请日：2024-07-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种使用离子液体作为连接层实现钙钛矿单晶与CMOS芯片集成的方法。该方法以离子液体作为连接层，与钙钛矿单晶形成新的界面层，即通过化学焊接技术实现了大面积卤化物钙钛矿单晶与CMOS基底的强粘合，提高了X射线探测器的灵敏度和稳定性，为基于CMOS的高性能X射线探测器的集成制造提供了一种有效的解决方案。
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公开(公告)号：CN115491201A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211055488.9
申请日：2022-08-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种厚度可控卤化物钙钛矿薄膜的制备方法，所述方法包括：制备卤化物钙钛矿晶粒；将所述卤化物钙钛矿晶粒与溶剂、添加剂混合，形成浆料；将所述浆料涂覆在衬底上、随后进行加热，重复所述涂覆、所述加热步骤，得到厚度可控卤化物钙钛矿薄膜；其中，所述重复的次数大于等于0。由此，本发明方法可以降低晶粒的间隙、反位等内部缺陷，提高卤化物钙钛矿薄膜的质量。同时，本发明通过控制涂覆、加热步骤的重复次数，可以控制卤化物钙钛矿薄膜的厚度，卤化物钙钛矿薄膜的厚度可以从数百纳米到数厘米之间调节，可以满足不同场景的需求，改善了传统方法难以制备厚度较大的卤化物钙钛矿薄膜的缺陷。
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公开(公告)号：CN114016133A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111268564.X
申请日：2021-10-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种在衬底上直接集成单晶钙钛矿的方法及其应用，其中，所述方法包括：(1)将CH3NH3X、PbX2和有机溶剂混合，以便得到CH3NH3PbX3钙钛矿前驱体溶液；(2)将衬底置于所述CH3NH3PbX3钙钛矿前驱体溶液中，并在密闭系统中利用反溶剂对所述CH3NH3PbX3钙钛矿前驱体溶液进行气相扩散，以便使得所述CH3NH3PbX3钙钛矿在所述衬底上直接集成单晶CH3NH3PbX3钙钛矿，其中，在步骤(1)中，所述CH3NH3X包括CH3NH3Cl、CH3NH3Br和CH3NH3I中的至少之一，所述PbX2包括PbCl2、PbBr2和PbI2中的至少之一。由此，采用该方法可以在给定衬底上直接生长大尺寸，高结晶质量的单晶钙钛矿。
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公开(公告)号：CN104505461B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410709257.4
申请日：2014-11-28
Applicant: 清华大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及基于有机聚合物的多层减反膜混合太阳能电池及制备方法，属于太阳能电池技术领域。该太阳能电池结构包括：根据制备顺序依次层叠的单晶半导体衬底，绝缘层，下电极，第一减反膜，空穴导电层，上电极，第二减反膜，且该混合太阳能电池为平面结构；该第一减反膜为采用原子层淀积方法制备的氧化钛薄层，厚度为0.5nm～1.5nm；该空穴导电层采用的PEDOT:PSS材料旋涂形成的PEDOT:PSS薄膜；该第二减反膜为通过原子层淀积方法生长的氧化铝膜或通过旋涂形成的聚甲基丙烯酸甲酯膜，厚度为30～50nm。本发明能够大幅减少太阳光的反射率，可提高太阳能电池的效率和电池稳定性，且具备制备工艺简单、成本低廉及稳定性良好等特点。
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公开(公告)号：CN101944434B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010232566.9
申请日：2010-07-16
Abstract: 本发明涉及聚合物复合材料嵌入式微电容及其制备方法，属于微电子新材料与器件技术领域。该微电容包括依次层叠的上电极，介电薄膜和下电极，该介电薄膜采用聚酰亚胺/钛酸钡(PI/BT)复合材料。该方法包括：使用原位聚合法将BT纳米颗粒分散入PI中制备介电薄膜PI/BT复合材料；采用流延法将PI/BT复合材料黏附在基底铜板上，在得到的介电薄膜上铺一层光刻胶，并根据版图进行紫外线曝光，得到图形化的光刻胶；介电薄膜和光刻胶上溅射一层金属层；在丙酮溶液中浸泡形成了图形化好的上层电极；在氧气和三氟甲烷的混合气体中进行RIE处理后，超声清洗，即制得微电容。本发明可获得面积较大的、均匀致密的介电薄膜，并且可以使微电容在较高温度和低温下稳定工作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101894844B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010199043.9
申请日：2010-06-04
Applicant: 清华大学
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明涉及基于金属氧化物气相沉积铁电动态随机存储器，包括：硅衬底，源区、漏区，隔离层介质膜，铁电薄膜层，栅电极，源极，漏极，以及用于器件测量的衬底接触区和衬底接触电极；所述隔离层介质为：ZrO2、TiO2中的任意一种；所述铁电薄膜层为：Pb(Zr1-xTix)O3(PZT)，各组份的摩尔比例为：Pb∶(Zr+Ti)∶O＝1∶1∶3，Zr∶Ti＝(1-x)∶x，x取值范围为0.1＜x＜1.0；该方法包括：对硅衬底进行清洗、氧化层；先后光刻，依次形成源漏区、衬底接触区并生长氧化层及栅区：生长隔离层介质薄膜和铁电薄膜：制备电极金属层：形成栅电极：形成接触孔：制备金属层，形成衬底接触电极金属层及合金化处理。本发明获得了大面积、均匀致密的、性能良好的存储介质薄膜和隔离层材料，用其制备的器件具有更小的漏电，更高的保持特性。
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公开(公告)号：CN101872768B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201010202569.8
申请日：2010-06-11
Applicant: 清华大学
IPC: H01L27/115 , H01L21/02 , H01L21/31 , G11C11/22 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及基于铋系存储材料的铁电动态随机存储器及其制备方法，属于微电子新材料与器件技术领域，该器件的区别特征为隔离层介质为：ZrO2或TiO2；铁电薄膜层为BXT或BXFY中的任意一种：其中，X为掺杂的稀土元素，Y为掺杂的过渡金属元素。该方法包括：对硅衬底进行清洗及氧化：光刻形成源漏区和衬底接触区后生长氧化层：再光刻形成栅区后生长隔离层介质薄膜和铁电薄膜；在铁电薄膜上溅射电极金属层；再光刻和刻蚀形成栅电极、接触孔；源极、漏极以及衬底接触金属层及电极金属层；最后合金化处理。本发明可获得大面积、均匀致密的、性能良好的存储介质薄膜和隔离层材料，用其制备的FEDRAM器件具有更小的漏电，更高的保持特性。
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公开(公告)号：CN101894844A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010199043.9
申请日：2010-06-04
Applicant: 清华大学
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明涉及基于金属氧化物气相沉积铁电动态随机存储器，包括：硅衬底，源区、漏区，隔离层介质膜，铁电薄膜层，栅电极，源极，漏极，以及用于器件测量的衬底接触区和衬底接触电极；所述隔离层介质为：ZrO2、TiO2中的任意一种；所述铁电薄膜层为：Pb(Zr1-xTix)O3(PZT)，各组份的摩尔比例为：Pb∶(Zr+Ti)∶O＝1∶1∶3，Zr∶Ti＝(1-x)∶x，x取值范围为0.1＜x＜1.0；该方法包括：对硅衬底进行清洗、氧化层；先后光刻，依次形成源漏区、衬底接触区并生长氧化层及栅区：生长隔离层介质薄膜和铁电薄膜：制备电极金属层：形成栅电极：形成接触孔：制备金属层，形成衬底接触电极金属层及合金化处理。本发明获得了大面积、均匀致密的、性能良好的存储介质薄膜和隔离层材料，用其制备的器件具有更小的漏电，更高的保持特性。
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公开(公告)号：CN101257016A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810103810.4
申请日：2008-04-11
Applicant: 清华大学
IPC: H01L27/00 , H01L27/115 , H01L21/02 , H01L21/82 , H01L21/8247 , H01G4/33 , H01G4/08
Abstract: 三维结构PZT电容及其MOCVD制备方法属于金属氧化物薄膜电容制备技术，其特征在于，所述PZT薄膜是由Pb0.5(Zr1－xTix)0.5O3薄膜制成的，其中X＝0.4，Pb为27％，Zr为55％，Ti为18％，由所述PZT薄膜作为介质层形成的三维结构PZT电容，其形态致密，均匀性大于95％，厚度为1500埃，相应的提出了制备时所用的DLI－MOCVD方法，以及各阶段控制参数和系统参数。
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公开(公告)号：CN101250691A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810103811.9
申请日：2008-04-11
Applicant: 清华大学
IPC: C23C16/40
Abstract: 控制MOCVD淀积PZT的先驱体溶液配置方法属于PZT薄膜制备技术领域，具体特征在于，以溶质摩尔浓度为0.14mol/L，四氢呋喃30ml，四－乙二醇二甲醚4ml，Pb为27％，Zr为55％，Ti为18％，制成总溶剂体积为0.034L的特定组分PZT的先驱体溶液。用此溶液制备的Pb0.5(Zr0.4Ti0.6)0.5O3组分PZT薄膜，衬底为1～8英寸，均匀性大于95％，厚度为1500埃。
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