公开(公告)号：CN104505461A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201410709257.4

申请日：2014-11-28

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢丹 ,  赵远帆 ,  徐建龙 ,  苗宇 ,  朱淼 ,  李昕明 ,  朱宏伟

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及基于有机聚合物的多层减反膜混合太阳能电池及制备方法，属于太阳能电池技术领域。该太阳能电池结构包括：根据制备顺序依次层叠的单晶半导体衬底，绝缘层，下电极，第一减反膜，空穴导电层，上电极，第二减反膜，且该混合太阳能电池为平面结构；该第一减反膜为采用原子层淀积方法制备的氧化钛薄层，厚度为0.5nm～1.5nm；该空穴导电层采用的PEDOT:PSS材料旋涂形成的PEDOT:PSS薄膜；该第二减反膜为通过原子层淀积方法生长的氧化铝膜或通过旋涂形成的聚甲基丙烯酸甲酯膜，厚度为30～50nm。本发明能够大幅减少太阳光的反射率，可提高太阳能电池的效率和电池稳定性，且具备制备工艺简单、成本低廉及稳定性良好等特点。

公开(公告)号：CN104505461B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201410709257.4

申请日：2014-11-28

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢丹 ,  赵远帆 ,  徐建龙 ,  苗宇 ,  朱淼 ,  李昕明 ,  朱宏伟

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及基于有机聚合物的多层减反膜混合太阳能电池及制备方法，属于太阳能电池技术领域。该太阳能电池结构包括：根据制备顺序依次层叠的单晶半导体衬底，绝缘层，下电极，第一减反膜，空穴导电层，上电极，第二减反膜，且该混合太阳能电池为平面结构；该第一减反膜为采用原子层淀积方法制备的氧化钛薄层，厚度为0.5nm～1.5nm；该空穴导电层采用的PEDOT:PSS材料旋涂形成的PEDOT:PSS薄膜；该第二减反膜为通过原子层淀积方法生长的氧化铝膜或通过旋涂形成的聚甲基丙烯酸甲酯膜，厚度为30～50nm。本发明能够大幅减少太阳光的反射率，可提高太阳能电池的效率和电池稳定性，且具备制备工艺简单、成本低廉及稳定性良好等特点。