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公开(公告)号：CN102866178A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210331094.1
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种气体传感器及其形成方法，该气体传感器包括：衬底；形成在衬底之上的介质层；形成在介质层之上的第一压焊块和第二压焊块；形成在介质层之上的碳基薄膜，其中，碳基薄膜位于第一压焊块与第二压焊块之间，且覆盖第一压焊块与第二压焊块的一部分；以及形成在碳基薄膜之上的第一金属接触和第二金属接触，其中第一金属接触与第一压焊块的至少一部分相连，第二金属接触与第二压焊块的至少一部分相连。本发明的气敏材料采用石墨烯，气敏性质更优；利用气压在形成的碳基薄膜平整、致密、质量好；形成碳基薄膜之后的工序少，对碳基薄膜的沾污或损害少；最终形成两面夹结构的电极，强度更大，接触电阻更小。
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公开(公告)号：CN102868370B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210331572.9
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种具有石墨烯晶体管的低噪声放大器，包括：石墨烯晶体管，其源极接地，栅极接偏置电压相连，漏极接工作电压；连接在漏极与工作电压之间的第一电感和第一电容；连接在源极与地端之间的第二电感和第二电容；以及输出端和输入端，其中，石墨烯晶体管进一步包括：衬底；过渡层；金属走线层；层间介质层；连接线；形成在层间介质层之上的源极、漏极和栅极，其中，源极、漏极和栅极包括形成在层间介质层之上的金属接触层，源极和漏极分别通过金属接触层与连接线相连；以及形成在栅极之上的栅极介质层和形成在源极、漏极和栅极之上的沟道层，其中，沟道层为石墨烯薄膜。本发明具有低噪声和稳定可靠的优点。
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公开(公告)号：CN102945794B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210331002.X
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L23/48 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种二维电子材料装置及其混合光刻方法，方法包括：在衬底上形成至少一层引线金属层并对至少一层引线金属层进行光学光刻，以形成至少一层引线图形，最上层包括多个上层引线，栅、源、漏电极图形分别与一个上层引线相连；形成电极金属层；对电极金属层进行光学光刻，以形成晶体管区域；对电极金属层进行电子束光刻，以形成栅、源、漏电极图形；形成栅介质层；对栅介质层进行光学光刻形成栅介质层图形；形成二维电子材料层图形；以及形成欧姆接触层图形。本发明可消除或减小二维电子材料的本征特性的破坏，在保证工艺成本的前提下可以大大提升小尺寸器件的光刻精度，提高器件性能，同时在保证加工精度的情况下可以节省加工时间。
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公开(公告)号：CN102981060B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201210331552.1
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯量子电容测试器件及其制备方法。该方法包括：在衬底上形成栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形；在衬底上形成栅电极图形、源电极图形和漏电极图形，分别与该栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形接触；在栅电极图形上形成栅介质层图形；在栅介质层图形、源电极图形和漏电极图形上形成石墨烯层图形；以及在石墨烯层图形上对应源电极图形和漏电极图形分别形成欧姆接触层图形。本发明的石墨烯量子电容测试器件及其制备方法可提高石墨烯量子电容的测量精度。
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公开(公告)号：CN102879625B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210331632.7
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种具有石墨烯晶体管的包络检波器，包括：石墨烯晶体管，源极与地端相连，栅极与偏置电压相连，漏极与工作电压相连；第一电感和第一电容；第二电感；第二电容；输入端以及输出端，其中，石墨烯晶体管进一步包括：衬底；过渡层；金属走线层和层间介质层；连接线；源极、漏极和栅极；以及石墨烯薄膜的沟道层。本发明利用了石墨烯薄膜的双极性，具有电路结构简单、可同时提供增益的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102879625A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210331632.7
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种具有石墨烯晶体管的包络检波器，包括：石墨烯晶体管，源极与地端相连，栅极与偏置电压相连，漏极与工作电压相连；第一电感和第一电容；第二电感；第二电容；输入端以及输出端，其中，石墨烯晶体管进一步包括：衬底；过渡层；金属走线层和层间介质层；连接线；源极、漏极和栅极；以及石墨烯薄膜的沟道层。本发明利用了石墨烯薄膜的双极性，具有电路结构简单、可同时提供增益的优点。
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公开(公告)号：CN102868370A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210331572.9
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种具有石墨烯晶体管的低噪声放大器，包括：石墨烯晶体管，其源极接地，栅极接偏置电压相连，漏极接工作电压；连接在漏极与工作电压之间的第一电感和第一电容；连接在源极与地端之间的第二电感和第二电容；以及输出端和输入端，其中，石墨烯晶体管进一步包括：衬底；过渡层；金属走线层；层间介质层；连接线；形成在层间介质层之上的源极、漏极和栅极，其中，源极、漏极和栅极包括形成在层间介质层之上的金属接触层，源极和漏极分别通过金属接触层与连接线相连；以及形成在栅极之上的栅极介质层和形成在源极、漏极和栅极之上的沟道层，其中，沟道层为石墨烯薄膜。本发明具有低噪声和稳定可靠的优点。
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公开(公告)号：CN102938636B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210331610.0
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明提供一种混频器，包括：射频信号输入端、本振信号输入端、中频信号输出端、第一晶体管、第二晶体管、电压转换模块、第一偏置端以及第二偏置端，第一晶体管用于将由射频信号输入端输入的射频电压信号和由本振信号输入端输入的本振电压信号通过栅调制和漏调制得到中频电流信号，电压转换模块用于将中频电流信号转换成中频电压信号并通过中频信号输出端输出，采用双晶体管结构，射频电压信号、本振电压信号和中频电压信号分别通过不同的端口输入和输出，能在一定程度上降低各个信号之间的干扰，有效地提高各个信号之间的隔离度。
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公开(公告)号：CN102935993B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210331607.9
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种二维电子材料单臂梁器件及其制备方法，器件包括：衬底；衬底上形成有第一金属电极图形；衬底和第一金属电极图形上形成有介质层，介质层形成有第一通孔图形；介质层上形成有第二金属电极图形，第二金属电极图形中的第二金属电极未覆盖第一通孔图形中的第一通孔；第二金属电极图形上形成有二维电子材料图形，二维电子材料图形中的二维电子材料层部分覆盖位于第一通孔一侧的第二金属电极上、且部分悬空于该第一通孔中；二维电子材料图形和第二金属电极图形上还形成有欧姆接触层图形，欧姆接触层图形中的欧姆接触层覆盖在二维电子材料层与第二金属电极重叠部位的上方、且该欧姆接触层与该第二金属电极接触。本发明器件制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN102981060A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210331552.1
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯量子电容测试器件及其制备方法。该方法包括：在衬底上形成栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形；在衬底上形成栅电极图形、源电极图形和漏电极图形，分别与该栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形接触；在栅电极图形上形成栅介质层图形；在栅介质层图形、源电极图形和漏电极图形上形成石墨烯层图形；以及在石墨烯层图形上对应源电极图形和漏电极图形分别形成欧姆接触层图形。本发明的石墨烯量子电容测试器件及其制备方法可提高石墨烯量子电容的测量精度。
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