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公开(公告)号：CN114110556A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111364492.9
申请日：2021-11-17
Applicant: 清华大学 , 华能集团技术创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种组合式的螺旋翅片管低温省煤器，包括进水集箱、出水集箱、侧墙、整体型螺旋翅片管束和两排圆‑椭圆双层H型翅片管。两排圆‑椭圆双层H型翅片管设置在整体型螺旋翅片管束入口段以减弱含尘烟气对整体型螺旋翅片管束的磨损，保证组合式的螺旋翅片管低温省煤器的长周期高效运行；两排圆‑椭圆双层H型翅片管的一端与出水集箱相连，整体型螺旋翅片管束出口段的两排螺旋翅片管束的一端与进水集箱相连，两排圆‑椭圆双层H型翅片管与整体型螺旋翅片管束之间以及整体型螺旋翅片管束内部之间按顺序首尾相连形成双排蛇形管路单元。本发明的低温省煤器具有传热‑阻力综合性能好，抗积灰、耐磨损、体积小、使用寿命长的优点。
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公开(公告)号：CN104076060B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201410254098.3
申请日：2014-06-09
Applicant: 清华大学
IPC: G01N25/00
Abstract: 本发明公开一种光谱发射率的瞬态测试系统及方法，该系统包括：样品加热单元，用于对样品进行热辐射加热，所述样品为具有漫射表面的不透明材料；判断单元，用于判断所述样品加热单元的加热时间是否达到预设加热时长，若达到预设加热时长，则停止所述样品加热单元的加热，样品自然冷却降温，否则不停止；光谱辐射能量测量单元，用于对样品表面的多光谱辐射能量进行测量；光谱发射率反演单元，用于根据多光谱辐射能量反演样品的光谱发射率与温度。
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公开(公告)号：CN106897537A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710148855.2
申请日：2017-03-14
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5095 , G06F2217/80
Abstract: 本发明涉及一种含三维或曲面外形结构体的温度场与热流同时重构方法，其包括以下步骤：1)获取结构体的三维表面温度场分布，作为导热微分方程的求解边界条件；2)获取结构体的内部局部温度，作为导热微分方程的求解限定条件；3)根据流体与冷却通道壁面的热传递的热流值建立冷却通道壁面上的热平衡方程，作为导热微分方程的求解边界条件；4)利用结构体的受热表面温度，内部边界上的热平衡方程，以及内部局部温度，并结合导热微分方程，获得完整的控制方程组；5)求解上述控制方程组，最后同时确定结构体的温度场和热流密度。
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公开(公告)号：CN106768382A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611111500.8
申请日：2016-12-06
Applicant: 清华大学
IPC: G01J5/10
CPC classification number: G01J5/10
Abstract: 本发明涉及一种基于辅助光源的辐射温度测量装置及方法，该装置包括：朝向待测物体的辐射测量设备和辅助光源；辐射测量设备，用于在辅助光源关闭的状态下测量待测物体辐射的第一辐射强度以及在辅助光源开启的状态下测量的第二辐射强度，其中，第二辐射强度为辅助光源发出的经待测物体反射的辐射强度和待测物体的辐射强度之和；其中，待测物体的辐射温度是根据第一辐射强度、第二辐射强度和辅助光源自身的辐射强度确定的。本发明的技术方案可以实现待测物体表面温度的非接触测量，使温度的测量不依赖于发射率预先数据以及发射率假设模型，克服了现有测试辐射温度方法中发射率数值不确定性以及发射率假设模型局限性给辐射测温带来的显著影响。
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公开(公告)号：CN104048945B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410253718.1
申请日：2014-06-09
Applicant: 清华大学
IPC: G01N21/47
Abstract: 本发明公开一种光谱发射率的稳态测试系统及方法，该系统包括：样品加热单元，用于对样品进行热辐射加热，所述样品为具有漫射表面的不透明材料；光谱辐射能量测量单元，用于对样品表面的多光谱有效辐射能量进行测量；光谱发射率反演单元，用于根据多光谱有效辐射能量反演样品的光谱发射率与温度。相比于光谱发射率直接测量法，本发明提供的方法无需参考黑体源，并克服了对高温样品温度进行准确测量的依赖性；相比于基于发射率模型的光谱发射率测量方法，本发明提供的方法不依赖于光谱发射率建设模型，克服了发射率假设模型给应用带来的局限性问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103257154B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310146233.8
申请日：2013-04-24
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明具体公开了一种大温差样品的半球向全发射率与导热系数的测量方法，所述方法包括：在真空环境下通电加热带状导体样品，沿其轴向布置多个热电偶测点；形成样品分析区，并测量获得分析区的电流值和电压值；将样品沿轴向分为多个微元控制体，建立微元控制体的稳态能量平衡方程，将半球向全发射率和导热系数分别表示为关于温度的数学函数；在不同稳态温度条件下进行多组稳态测量实验，构造出多个稳态能量平衡方程；计算得到各微元控制体在不同稳态下的温度分布及不同稳态温度条件下的半球向全发射率和导热系数。本发明克服了现有技术无法对导热系数未知的大温差导体材料样品进行半球向全发射率测量的问题。
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公开(公告)号：CN103217387B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310095119.7
申请日：2013-03-22
Applicant: 清华大学
IPC: G01N21/25
Abstract: 本发明涉及一种测量金属氧化层高温光学常数的方法，包括如下步骤：S1、提供多份氧化金属样品，分别测量每份氧化金属样品的金属氧化层的厚度；S2、采用真空变角度高温光谱发射率测量实验台，在真空环境下，分别对每份氧化金属样品进行至少两种不同探测方向角的定向光谱发射率测量；S3、基于辐射传递原理，建立氧化金属样品定向光谱发射率与探测方向角、氧化层厚度、氧化层光学常数及金属基底辐射特性的数学关系式；S4、基于所述数学关系式，通过不同探测方向角、不同厚度金属氧化层的氧化金属样品的定向光谱发射率测量数据，构造计算方程组，求解金属氧化层的高温光学常数。本发明可实现500℃以上高温氧化层光学常数测量。
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公开(公告)号：CN103364434A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310146530.2
申请日：2013-04-24
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明具体公开了一种大温差样品的半球向全发射率的测量方法，其步骤包括：选取带状导体材料样品，在真空环境下加热样品，用辐射温度场测量设备获得加热稳定状态下的样品表面温度场分布；将所述样品沿其轴向等分为多个微元控制体，建立微元控制体的稳态能量平衡方程；基于样品的表面温度场分布以及样品两端的电压和电流，计算出在加热稳定状态下样品的半球向发射率随温度的数值分布。本发明的这种方法适用于测量具有大温度梯度分布的导体材料样品的半球向全发射率，克服了现有稳态量热法对于样品具有温度均匀测试区要求的技术局限性，极大地减小了对样品尺寸规格的限制，简单可行。
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公开(公告)号：CN103196840A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310095139.4
申请日：2013-03-22
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及材料的热物性参数测试技术领域，尤其涉及一种基于有效辐射的材料高温光谱发射率测试系统。该测试系统包括水冷真空室、真空辐射加热单元、有效辐射腔体以及辐射测量与标定单元，通过水冷真空室、真空辐射加热单元、有效辐射腔体和辐射测量与标定单元相结合进行材料光谱发射率的测试，在测试过程中无需参考黑体源，无需预先精确知晓材料温度，降低了测试难度，提高了测试精度，通过将测试样品放置于真空水冷室内避免了测试样品的高温氧化问题。
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公开(公告)号：CN102042993B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010562419.8
申请日：2010-11-23
Applicant: 清华大学 , 中国航天科工集团第三总体设计部
Abstract: 本发明公开了一种高温材料法向光谱发射率测量系统，包括：真空加热单元，其上部设置测试样品，对测试样品下表面进行辐射加热；水冷套筒单元，套设在测试样品上部，将测试样品上表面置于恒温冷环境中；光纤传感器测量单元，设置在测试样品上方，测量测试样品上表面的法向光谱辐射强度；数据采集与分析单元，与光纤传感器测量单元连接，依据所测得的法向光谱辐射强度，通过多光谱反演算法，计算其法向光谱发射率。本发明实现了0.4μm～1.7μm光谱范围、600℃～1500℃温度范围的材料法向光谱发射率测量，测量无需在线辐射定标，技术实现简单、准确可靠，克服了现有光谱发射率装置价格昂贵、构造复杂、技术实施难度较大等应用的局限性。
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