公开(公告)号：CN103163117B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201310095143.0

申请日：2013-03-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 符泰然 ,  宗安州 ,  刘江帆 ,  谈鹏 ,  汤龙生 ,  周金帅 ,  邓兴凯

IPC: G01N21/71

Abstract: 本发明涉及一种金属氧化层高温光学常数测量方法，其包括以下步骤：S1、提供多份具有不同厚度金属氧化层的氧化金属样品，分别测量多份氧化金属样品的金属氧化层的厚度；S2、利用高温光谱发射率测量实验台，在真空环境下分别测量多份氧化金属样品的法向光谱发射率；S3、根据各氧化金属样品的法向发射率，建立光学常数数学模型，并以此计算出氧化金属样品的金属氧化层的光学常数。本发明通过采用高温光谱发射率测量实验台测量具有不同金属氧化层厚度的氧化金属样品的高温法向光谱发射率，可实现真空环境下的500℃以上高温氧化层光学常数测量，克服了传统测量技术易产生非真空环境下的样品氧化现象以及高温难于实现的技术局限性。

公开(公告)号：CN103217387A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310095119.7

申请日：2013-03-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 符泰然 ,  刘江帆 ,  宗安州 ,  汤龙生 ,  周金帅 ,  邓兴凯

IPC: G01N21/25

Abstract: 本发明涉及一种测量金属氧化层高温光学常数的方法，包括如下步骤：S1、提供多份氧化金属样品，分别测量每份氧化金属样品的金属氧化层的厚度；S2、采用真空变角度高温光谱发射率测量实验台，在真空环境下，分别对每份氧化金属样品进行至少两种不同探测方向角的定向光谱发射率测量；S3、基于辐射传递原理，建立氧化金属样品定向光谱发射率与探测方向角、氧化层厚度、氧化层光学常数及金属基底辐射特性的数学关系式；S4、基于所述数学关系式，通过不同探测方向角、不同厚度金属氧化层的氧化金属样品的定向光谱发射率测量数据，构造计算方程组，求解金属氧化层的高温光学常数。本发明可实现500℃以上高温氧化层光学常数测量。

公开(公告)号：CN103163117A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201310095143.0

申请日：2013-03-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 符泰然 ,  宗安州 ,  刘江帆 ,  谈鹏 ,  汤龙生 ,  周金帅 ,  邓兴凯

IPC: G01N21/71

Abstract: 本发明涉及一种金属氧化层高温光学常数测量方法，其包括以下步骤：S1、提供多份具有不同厚度金属氧化层的氧化金属样品，分别测量多份氧化金属样品的金属氧化层的厚度；S2、利用高温光谱发射率测量实验台，在真空环境下分别测量多份氧化金属样品的法向光谱发射率；S3、根据各氧化金属样品的法向发射率，建立光学常数数学模型，并以此计算出氧化金属样品的金属氧化层的光学常数。本发明通过采用高温光谱发射率测量实验台测量具有不同金属氧化层厚度的氧化金属样品的高温法向光谱发射率，可实现真空环境下的500℃以上高温氧化层光学常数测量，克服了传统测量技术易产生非真空环境下的样品氧化现象以及高温难于实现的技术局限性。

公开(公告)号：CN103217387B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201310095119.7

申请日：2013-03-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 符泰然 ,  刘江帆 ,  宗安州 ,  汤龙生 ,  周金帅 ,  邓兴凯

IPC: G01N21/25

Abstract: 本发明涉及一种测量金属氧化层高温光学常数的方法，包括如下步骤：S1、提供多份氧化金属样品，分别测量每份氧化金属样品的金属氧化层的厚度；S2、采用真空变角度高温光谱发射率测量实验台，在真空环境下，分别对每份氧化金属样品进行至少两种不同探测方向角的定向光谱发射率测量；S3、基于辐射传递原理，建立氧化金属样品定向光谱发射率与探测方向角、氧化层厚度、氧化层光学常数及金属基底辐射特性的数学关系式；S4、基于所述数学关系式，通过不同探测方向角、不同厚度金属氧化层的氧化金属样品的定向光谱发射率测量数据，构造计算方程组，求解金属氧化层的高温光学常数。本发明可实现500℃以上高温氧化层光学常数测量。

公开(公告)号：CN106768356A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611111185.9

申请日：2016-12-06

Applicant: 清华大学

Inventor： 符泰然 ,  刘江帆 ,  姜培学

IPC: G01J5/00

CPC classification number: G01J5/00 ,  G01J2005/0077

Abstract: 本发明涉及一种基于调频辐射光源的多传感器成像温度场测量装置和方法，该装置包括：辐射测量设备和调频辐射光源；辐射测量设备包括多个不同光谱响应波段的面成像传感器；辐射测量设备用于在调频辐射光源关闭的状态下探测得到待测物体自身辐射的第一辐射强度以及在调频辐射光源开启的状态下探测得到第二辐射强度；第二辐射强度为调频辐射光源发出的经待测物体反射的辐射强度和待测物体自身的辐射强度之和；本发明提供的技术方案实现了在未知发射率情形下的温度场非接触在线测量，克服了现有辐射温度测试方法对发射率数据的依赖性、发射率假设模型的局限性缺陷，克服了现有辐射温度测试方法测温范围有限性和测温光谱局限性的缺陷。