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公开(公告)号：CN102034684A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010517727.9
申请日：2010-10-18
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种半导体晶圆片内形成多梯度温度场的激光退火装置和方法。该装置退火激光光源，退火激光光束处理系统，辅助性加热的光源和带辅助性加热的可移动载片台。加工方法是将待退火的圆片放置于承片台上，退火激光光束进行扫描加热；承片台和辅助加热光束同时作用到衬底圆片的表面，对衬底圆片表面进行预加热，起缓冲作用的次高温温度场，从而引入片内多梯度温度场，这样可以改善退火激光所造成的高温和较大的热应力，对于退火效果及圆片表面形貌的不良影响。在另一方面，由于预加热由多个热源单元分担和协同完成，每个单元各自的实现难度大幅降低，整机运行稳定可靠，工艺操控更加灵活方便。
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公开(公告)号：CN101728249A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910238450.3
申请日：2009-11-20
Applicant: 清华大学
Abstract: 用于硅片上外延化合物半导体材料过渡层单晶的制备方法。该方法是在硅片上先外延一层压缩应变的Si1-xGex(0＜x≤1)层，通过湿法的化学或电化学腐蚀将其制作成多孔结构的薄膜，在适当的氢气氛下退火，使得多孔结构层完全弛豫，并使表面的微孔闭合成为完全弛豫的Si1-xGex(0＜x≤1)准单晶层，在准单晶层上外延Si1-xGex(0＜x≤1)薄膜，得到单晶过渡层。该单晶过渡层的晶格常数由薄膜中Ge的组分决定，除了适于外延生长结构与晶格常数相近的化合物半导体材料外，也适于外延生长应变Si，应变Si1-xGex，应变Ge或弛豫的Si1-xGex，弛豫的Ge薄膜。
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公开(公告)号：CN102361005B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201110240534.8
申请日：2011-08-19
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/268 , B23K26/70
Abstract: 本发明公开了一种片台扫描式激光加工中的遮光快门控制方法。具体的做法，遮光快门在片台运行的过程中通过激光加工处理系统的控制系统来控制遮光快门的开启和关闭；在片台开始运行之前的待机阶段，激光源是开启或关闭，但遮光快门总是关闭的，对设备和操作人员进行保护；当启动激光加工时，控制系统控制遮光快门开启，片台携载着要进行加工处理的晶圆片做蛇形的扫描移动，在激光束扫描完整个晶圆片，移出晶圆片后，及时关闭遮光快门，在遮光快门的开启/关闭阶段，激光束将只是部分地照射到片台某处，同时由于片台处于移动的状态，所以不会出现强激光照射片台上固定某处的现象，对于片台的伤害，降低到了最小的程度。
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公开(公告)号：CN102350589B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201110188512.1
申请日：2011-07-06
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种具有隔腔和气流通路结构的半导体激光加工设备。该设备由相互独立的机械腔和光学腔构成，在机械腔和光学腔中间设置隔腔；在机械腔一侧的上下部分别安装上进气口和下进气口，另一侧的中部设置出气口，出气口与排风设备接通，组成气流通路，气流由低温区流向高温区，紧接着被排出设备之外，从而带走机械腔中因加工产生的热量，保证精密部件的功能不受热扰动的影响。保证各模块的正常工作环境，功能模块之间彼此相隔离，不相干扰。将各模块功能组合起来，形成完整的设备工艺能力，是通过模块之间的电气连接和控制来实现的。对于光学处理和机械动作的精密性，精确性，都能够起到良好的保障作用。
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公开(公告)号：CN102290362B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110207401.0
申请日：2011-07-22
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/68 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造技术范围的一种激光加工中晶圆片定位系统误差的校正方法。通过使用电阻或者晶体管之类的特定的微测试结构来捕捉和记录激光光束的扫描路径，通过测量微测试结构的电特性来提取芯片阵列相对于激光扫描路径的系统性的定位位置差，并由放置晶圆片的精密机械手或者加工片台进行附加的移动而补偿位置，通过量测所制作的微结构的电学特性，可掌握晶圆片对准系统性误差的量级与特质，最后借助精密机械手或者扫描片台的附加移动，来校正晶圆片对准的系统性误差，取得均匀一致的激光加工效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101728249B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200910238450.3
申请日：2009-11-20
Applicant: 清华大学
Abstract: 用于硅片上外延化合物半导体材料单晶过渡层的制备方法。该方法是在硅片上先外延一层压缩应变的Si1-xGex(0＜x≤1)层，通过湿法的化学或电化学腐蚀将其制作成多孔结构的薄膜，在适当的氢气氛下退火，使得多孔结构层完全弛豫，并使表面的微孔闭合成为完全弛豫的Si1-xGex(0＜x≤1)准单晶层，在准单晶层上外延Si1-xGex(0＜x≤1)薄膜，得到单晶过渡层。该单晶过渡层的晶格常数由薄膜中Ge的组分决定，除了适于外延生长结构与晶格常数相近的化合物半导体材料外，也适于外延生长应变Si，应变Si1-xGex，应变Ge或弛豫的Si1-xGex，弛豫的Ge薄膜。
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公开(公告)号：CN102169815A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110056224.0
申请日：2011-03-09
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种高产率的真空激光处理装置及处理方法。所述装置由多个真空激光处理腔构成。并在多个真空的激光处理腔外，配置了环形轨道和取送片机械手，机械手在环形轨道上运行；激光光束位于多个真空激光处理腔之间，通过机械部件带动，可处于欲处理真空激光处理腔的上方，并且进行扫描移动，使激光光束在各真空激光处理腔顶面通过激光透明窗口轮转对真空激光处理腔内的晶圆片进行激光辐照处理，极大地提高了激光光束的利用效率；并且环形轨道上的机械手与其配合，不停地将晶圆片送入、取出，在各真空激光处理腔之间轮转工作，使整个装置处在充分并行的工作状态下，从而提高真空激光处理装置加工效率。
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公开(公告)号：CN102163540A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201010621831.2
申请日：2010-12-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备范围的涉及半导体超浅结制造中的一种用于深紫外激光退火的三片式加热片台扫描装置。该加热片台扫描装置采用A加热片台、B加热片台和C加热片台连接成品字型加热片台，旋转托盘放置在该品字型加热片台上，该加热片台扫描装置可以沿X和Y方向做匀速或步进式移动，当对C加热片台上的圆片实现激光退火扫描时，A、B加热片台上的圆片被预加热。从而减少了圆片达到热平衡状态的等待时间。圆片是通过一个可旋转的托盘依次在A、B、C三个加热片台上逆时针切换，减少了圆片转移过程中的温度分布变化，提高了设备利用率。
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公开(公告)号：CN102157347A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010621833.1
申请日：2010-12-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种高产率的激光热处理装置和方法。该装置采用了多个工艺处理腔，晶圆片由外部机械手从底部送入处理腔，片托接过晶圆片后，机械手退出。由顶杆带动晶圆片逐渐向上，晶圆片将被逐渐加热。当晶圆片升至处理腔顶部时，可以在那里停留一段时间，等待预热稳定。其后，移动至处理腔上方，并且在移动机构的带动下，等到处理完成后，激光光束移开，至另一个晶圆片已经预热完成的处理腔的上方。对那里的晶圆片进行激光处理。本发明对于晶圆片的激光热处理采用在各工艺腔中轮转进行的方式，使得对激光源的利用效率达到最高，且预升温、激光辐照、降温三个必要的工艺过程是充分并发执行的。提高设备运转效率。
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公开(公告)号：CN102157344A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010567312.2
申请日：2010-11-25
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备及半导体超浅结制造技术范围的一种用于深紫外激光退火的加热片台扫描装置。该扫描装置为激光束固定不动，A、B双加热片台的结构完全相同，并排固定于加热片台固定板上面，加热片台固定板下面固定X2平移台面，X2电动平移台安装在X2平移台面上，X1电动平移台通过X1平移台面和X2电动平移台连接；X1电动平移台下面分别通过Y1平移台面和Y2平移台面与Y1电动平移台和Y2电动平移台连接；通过X1电动平移台在X-Y两个方向的移动，完成对整个半导体圆片的退火；从而减少了为使圆片达到工艺所要求温度的热平衡状态的等待时间。要进行激光退火的预加热的圆片无需转移，提高了设备利用率。
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