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公开(公告)号：CN102420253A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110415713.0
申请日：2011-12-13
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0653 , H01L29/1095 , H01L29/66712 , H01L29/7843 , H01L29/7849
Abstract: 本发明提出了一种背面嵌入应变介质区的VDMOS器件及其制备方法，该VDMOS器件包括漏区、漂移区、JFET区、沟道区、源区、介质、栅极、隔离介质、源极金属和应变介质区。本发明的VDMOS器件通过在背面挖槽并嵌入应变膜，从而在VDMOS器件的整个电流通路中引入应力，使得电流传输路径上载流子迁移率均增加，从而能够降低VDMOS器件的导通电阻，同时避免了VDMOS器件中的闩锁效应。本发明的制备方法通过覆盖绝缘应变层的方法向半导体中引入应变，避免了采用外延技术所必须的高温过程，而且完全不需改变器件的表面结构，能够直接应用于已有的器件设计中。
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公开(公告)号：CN1206793C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN02124140.6
申请日：2002-07-12
Applicant: 清华大学 , 山西长治市防爆电器有限公司
Abstract: 矿用隔爆软启动器属于矿用异步电动机控制设备领域，其特征在于：中央处理器，分别和中央处理器相连且又彼此互连的电源及相序板和驱动板，串接于主回路中且各控制端与驱动板相连的三组单相反并可控硅开关，串于主回路和三相电机定子回路间的三个电流互感器，由单相电源供电且副边又分别与电源及相序板、各相轴流风机相连的变压器，与三相电源相连的换向开关，以及可控硅开关的温度检测电路和电机的漏电检测电路。它把目前的隔爆1型启动器与常规软启动器设计成一体，用单片机统一控制，在提高原有设备响应速度和运行可靠性的同时也降低了设备投资。
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公开(公告)号：CN104637998A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510065280.9
申请日：2015-02-06
Applicant: 清华大学 , 北京卅普科技有限公司
CPC classification number: H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了属于功率半导体器件可靠性技术的一种提高晶闸管抗干扰能力的方法。首先对现有结构的晶闸管进行解析，通过解析来得到提高晶闸管门极触发参数的途径；本发明采用引信电路中一种常用的TO-252封装外形；以及采用在晶闸管门极串联或反串联稳压二极管的方式，并将晶闸管芯片与稳压二极管芯片集成在同一封装管壳内部；由此既提高了晶闸管的门极触发电压，又保证了二极管与门极之间的引线足够短，保证了晶闸管的可靠触发，解决了引信由于爆轰干扰而产生的误动作问题，从而有效提高晶闸管的抗干扰能力；大大提高了武器装备的精准度和可靠性，对我国武器装备的发展具有重要意义。
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公开(公告)号：CN112786263B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110035104.6
申请日：2021-01-12
Applicant: 清华大学
IPC: G21C13/02 , G21C17/116 , H01B17/64 , H01B17/56
Abstract: 本发明属于核反应堆工程领域，特别涉及一种具有可调参数绝缘介质的电气贯穿件，包括主绝缘结构、辅助绝缘结构、导体、法兰、玻璃、硅胶层和固定螺钉。主绝缘结构位于导体与法兰之间，在导体方向上延伸，超出法兰的长度，主绝缘结构远离导体的一侧有一个凸台。辅助绝缘结构位于主绝缘结构远离导体的另一侧。主绝缘结构的材料是介电常数小、电阻率高、电导率低的材料，主绝缘结构采用聚醚醚酮，用于降低绝缘介质表面场强。辅助绝缘结构的材料是可变电导材料，辅助绝缘结构在绝缘材料中掺杂金属氧化物获得可变电导材料，用于改善绝缘介质表面电场的不均匀分布，防止局部出现电场高点。
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公开(公告)号：CN106783550A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710017838.5
申请日：2017-01-11
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02299
Abstract: 本发明公开了一种在衬底片分区上进行异质外延的方法，包括以下步骤：(1)在大尺寸晶圆片上，通过设置切割槽，对晶圆片表面进行分区，所述切割槽的宽度0.1～500μm，深度0.1～100μm；(2)在已经分区的晶圆片表面进行异质材料的外延薄膜生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102820225B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201210285197.9
申请日：2012-08-10
Applicant: 清华大学 , 北京卅普科技有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L21/225
Abstract: 本发明公开了属于半导体器件范围的一种具有扩散型缓冲层的高压快速软恢复二极管的制造方法。扩散缓冲层快恢复二极管采用两次扩散方法制作缓冲层，在PN结和电极制备之前，首先采用一次磷扩散，在硅片两面生成低浓度和深结深的磷扩散区，其后在二次磷扩散和硼铝扩散过程中，一次磷扩散的结深继续推进，最终一次磷扩散比二次磷扩散的结深深出20μm左右，一次磷扩散前沿浓度小于1×1015/cm－3区域的深度不少于15μm；采用无缺陷区熔硅单晶和扩散型缓冲层，可以大幅提高快速软恢复二极管的电压和电流水平。
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公开(公告)号：CN102544102A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110425008.9
申请日：2011-12-16
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提出了一种具有应变结构的VDMOS器件及其制备方法，该VDMOS器件包括漏区、漂移区、重掺杂区、轻掺杂区、源区、JFET区、栅介质、栅极、绝缘应变层、隔离介质和金属通孔，本发明的VDMOS器件通过在器件表面覆盖一层绝缘应变层，由于该绝缘应变层与半导体材料的晶格不匹配，将在半导体表面引入应力，进而改变半导体表面的晶格常数，使得载流子迁移率增加，导通电阻降低。本发明的制备方法通过覆盖绝缘应变层的方法向半导体中引入应变，避免了采用外延技术所必须的高温过程，同时采用本发明的制备方法制作的VDMOS晶体管也可在后续工艺中采用高温过程。
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公开(公告)号：CN100372126C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200510086992.5
申请日：2005-11-25
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/74
Abstract: 高频晶闸管，属于功率开关器件技术领域。为了解决现有高频晶闸管工作电流无法达到1200A，不能满足大功率逆变设备要求的问题，本发明提供了一种高频晶闸管，包括硅片、蒸发在所述硅片上的门极、放大门极和阴极，其特征在于：所述放大门极采用分布式结构，分为四部分，每部分由一条放大门极主干和三条弧形支路组成，各部分之间的间距以及同一部分中支路之间的间距均由电流扩展速度决定，范围在3.5～5mm。本发明工作电压高，工作电流大，开通时间和关断时间短，dv/dt和di/dt耐量高，能在8～10kHz下工作。
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公开(公告)号：CN1767206A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510086992.5
申请日：2005-11-25
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/74
Abstract: 高频晶闸管，属于功率开关器件技术领域。为了解决现有高频晶闸管工作电流无法达到1200A，不能满足大功率逆变设备要求的问题，本发明提供了一种高频晶闸管，包括硅片、蒸发在所述硅片上的门极、放大门极和阴极，其特征在于：所述放大门极采用分布式结构，分为四部分，每部分由一条放大门极主干和三条弧形支路组成，各部分之间的间距以及同一部分中支路之间的间距均由电流扩展速度决定，范围在3.5～5mm。本发明工作电压高，工作电流大，开通时间和关断时间短，dv/dt和di/dt耐量高，能在8～10kHz下工作。
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