含有碳纳米管的高介电复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN1189512C

    公开(公告)日:2005-02-16

    申请号:CN03104776.9

    申请日:2003-02-28

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种含有碳纳米管的高介电常数复合材料及其制备方法,属于高介电材料技术领域。本发明所述复合材料含有碳纳米管CNT和钛酸钡BaTiO3,有机材料聚偏氟乙烯PVDF,其配方按体积比为:碳纳米管2~12%,钛酸钡20%以及聚偏氟乙烯68~78%。其制备方法采用热压法来降低成型温度、缩短制备时间,在较短的时间内获得性能稳定、韧性好的复合材料。本发明通过热压制备的含有碳纳米管的高介电常数复合材料,具有高的介电常数ε=450以上,且制备工艺简单,节省能源,材料韧性好。通过调节添加组分的相对含量和对组分进行不同的物理化学处理,可明显改变该材料的介电常数和柔韧性,作为高介电复合材料具有广泛应用前景。

    环氧树脂基复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114381089B

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202111627076.3

    申请日:2021-12-28

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种环氧树脂基复合材料及其制备方法,其中,所述环氧树脂基复合材料包括:聚合物前驱体和导热填料,所述导热填料负载于所述聚合物前驱体中;其中,所述聚合物前驱体包括环氧树脂、固化剂和促进剂,所述导热填料包括至少两种不同粒径的球形氧化铝。由此,该环氧树脂基复合材料具有热导率高和介电损耗较低的优点。

    一种介电薄膜及其制备方法和薄膜电容器

    公开(公告)号:CN111269448B

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN202010199151.X

    申请日:2020-03-20

    Inventor: 党智敏 郑明胜

    Abstract: 一种介电薄膜及其制备方法和薄膜电容器。所述介电薄膜采用聚烯烃或聚酯或聚酰胺为基体材料,以聚偏氟乙烯类材料为功能改性组份,还含有相容剂。通过造粒工艺和固相拉伸工艺制备单层或多层全有机复合高介电储能电工薄膜。采用此方法获得的全有机复合高储能介电薄膜具有优异的力学性能、介电性能、储能性能及充放电特性。不同组成和物化特性的电工薄膜可望应用于各类新型高储能薄膜电容器的设计。本发明所用的方法,具有配方原料易得、制备工艺与薄膜工业化生产相似、环境友好无污染等优点。未来可广泛应用于国家电网工程、电子产品、新能源汽车、电磁弹射脉冲装置等众多领域。

    一种丙烯酸酯介电弹性体及其制备方法

    公开(公告)号:CN112375183A

    公开(公告)日:2021-02-19

    申请号:CN202011285609.X

    申请日:2020-11-17

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 一种丙烯酸酯介电弹性体及其制备方法,所述制备方法包括:将丙烯酸酯单体、多官能团丙烯酸酯低聚物和光引发剂混合均匀,形成预聚体;将所述预聚体注入模具并抽真空,经紫外光照射引发光聚合反应,形成丙烯酸酯介电弹性体;将所述丙烯酸酯介电弹性体脱模,并除去未反应的单体。通过上述方法制得的丙烯酸酯介电弹性体兼具高效电致驱动性能、低介电损耗和优异的机械性能,实用性好,上述制备方法操作简单、易于大规模生产。

    环氧树脂复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111909490A

    公开(公告)日:2020-11-10

    申请号:CN202010824049.4

    申请日:2020-08-17

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供一种环氧树脂复合材料及其制备方法,所述环氧树脂复合材料包括:聚合物基体,所述聚合物基体源自于环氧树脂、固化剂和促进剂;以及包含有多孔结构的气凝胶骨架,所述气凝胶骨架负载于所述聚合物基体中,所述气凝胶骨架源自于改性导热填料和粘结剂,其中,所述改性导热填料的粒径为20微米以下,且所述改性导热填料经硅烷偶联剂改性得到。本发明的环氧树脂复合材料的导热性能和绝缘性能均优异,即在提高环氧树脂复合材料的导热性能的同时,还使环氧树脂复合材料的电绝缘性能得到提高。

    聚合物复合材料嵌入式微电容及其制备方法

    公开(公告)号:CN101944434B

    公开(公告)日:2012-05-09

    申请号:CN201010232566.9

    申请日:2010-07-16

    Abstract: 本发明涉及聚合物复合材料嵌入式微电容及其制备方法,属于微电子新材料与器件技术领域。该微电容包括依次层叠的上电极,介电薄膜和下电极,该介电薄膜采用聚酰亚胺/钛酸钡(PI/BT)复合材料。该方法包括:使用原位聚合法将BT纳米颗粒分散入PI中制备介电薄膜PI/BT复合材料;采用流延法将PI/BT复合材料黏附在基底铜板上,在得到的介电薄膜上铺一层光刻胶,并根据版图进行紫外线曝光,得到图形化的光刻胶;介电薄膜和光刻胶上溅射一层金属层;在丙酮溶液中浸泡形成了图形化好的上层电极;在氧气和三氟甲烷的混合气体中进行RIE处理后,超声清洗,即制得微电容。本发明可获得面积较大的、均匀致密的介电薄膜,并且可以使微电容在较高温度和低温下稳定工作。

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