公开(公告)号：CN113196150B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN201980060445.X

申请日：2019-12-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 野本佳朗

IPC: G02F1/03

Abstract: 本实施方式的光调制器与使用液晶的SLM相比，能够实现高速的调制。该光调制器具备沿基准面上的第1方向配置多个第1折射率区域、包围折射率区域各自的区域且具有比各折射率区域的折射率低的折射率的区域、第1导电膜和第2导电膜。第1导电膜在选自多个折射率区域、且属于第1组的至少1个折射率区域，设置于沿第1方向配置的一对侧面的任一个上。第2导电膜在选自多个折射率区域、且属于第2组的至少1个折射率区域，不与第1导电膜重复而设置于一对侧面的任一个上。

公开(公告)号：CN110546564B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201880026748.5

申请日：2018-06-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 泷口优 ,  广瀬和义 ,  黑坂刚孝 ,  杉山贵浩 ,  野本佳朗 ,  上野山聪

IPC: G02F1/29 ,  G02F1/015 ,  H01S5/18

Abstract: 本实施方式涉及能够降低半导体发光元件对从空间光调制元件输出的调制后的光产生的衰减或衍射作用的发光装置，该发光装置包括从光输出面输出光的半导体发光元件，和对该光进行调制的反射型的空间光调制元件。空间光调制元件包括面积比半导体发光元件的光输入面大的光入射出射面，对经由光输入输出面中的与半导体发光元件的光输出面相对的区域取入的光进行调制，将调制后的光从该光输入输出面中的其他的区域输出到半导体发光元件的光输入面以外的空间。

公开(公告)号：CN113196150A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980060445.X

申请日：2019-12-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 野本佳朗

IPC: G02F1/03

Abstract: 本实施方式的光调制器与使用液晶的SLM相比，能够实现高速的调制。该光调制器具备沿基准面上的第1方向配置多个第1折射率区域、包围折射率区域各自的区域且具有比各折射率区域的折射率低的折射率的区域、第1导电膜和第2导电膜。第1导电膜在选自多个折射率区域、且属于第1组的至少1个折射率区域，设置于沿第1方向配置的一对侧面的任一个上。第2导电膜在选自多个折射率区域、且属于第2组的至少1个折射率区域，不与第1导电膜重复而设置于一对侧面的任一个上。

公开(公告)号：CN112262508A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201980038651.0

申请日：2019-06-04

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 广瀬和义 ,  杉山贵浩 ,  泷口优 ,  野本佳朗 ,  上野山聪

IPC: H01S5/18

Abstract: 本发明一个实施方式涉及的发光装置降低S‑iPM激光器的输出中包含的0次光。该发光装置具备发光部和相位调制层，相位调制层具有基本层和分别包含多个异折射率要素的多个异折射率区域。以设定于相位调制层上的假想的正方晶格的晶格点为中心的各单位构成区域中，从对应的晶格点至异折射率要素的各重心的距离大于晶格间隔的0.30倍且为0.50倍以下。此外，从对应的晶格点至异折射率要素整体的重心的距离大于0且为晶格间隔的0.30倍以下。

公开(公告)号：CN110546564A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880026748.5

申请日：2018-06-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 泷口优 ,  广瀬和义 ,  黑坂刚孝 ,  杉山贵浩 ,  野本佳朗 ,  上野山聪

IPC: G02F1/29 ,  G02F1/015 ,  H01S5/18

Abstract: 本实施方式涉及能够降低半导体发光元件对从空间光调制元件输出的调制后的光产生的衰减或衍射作用的发光装置，该发光装置包括从光输出面输出光的半导体发光元件，和对该光进行调制的反射型的空间光调制元件。空间光调制元件包括面积比半导体发光元件的光输入面大的光入射出射面，对经由光输入输出面中的与半导体发光元件的光输出面相对的区域取入的光进行调制，将调制后的光从该光输入输出面中的其他的区域输出到半导体发光元件的光输入面以外的空间。

公开(公告)号：CN110383609A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201880016036.5

申请日：2018-03-26

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 杉山贵浩 ,  泷口优 ,  黑坂刚孝 ,  广瀬和义 ,  野本佳朗 ,  上野山聪

IPC: H01S5/42 ,  H01S5/187

Abstract: 本实施方式所涉及的半导体发光模块包括分别输出所期望的光束投影图案的光的多个半导体发光元件和保持该多个半导体发光元件的支承基板，多个半导体发光元件分别包括用于使目标光束投影图案形成于目标光束投影区域的相位调制层，多个半导体发光元件包括光束投影方向、目标光束投影图案和发光波长中的至少任一者不同的第1和第2半导体发光元件。

公开(公告)号：CN109690890A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780054735.4

申请日：2017-08-31

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 广瀬和义 ,  黑坂刚孝 ,  杉山贵浩 ,  泷口优 ,  野本佳朗

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/183

Abstract: 本实施方式涉及一种具有能够从S－iPM激光器的输出光中除去0次光的结构的半导体发光元件等。该半导体发光元件包括活性层、一对覆盖层和相位调制层。相位调制层包括基本层和各自单独地配置于特定位置的多个差异折射率区域。一对覆盖层的一层具有分布布拉格反射层，其具有对相对于光出射面的倾斜方向的特定光像的透过特性和对沿光出射面的法线方向输出的0次光的反射特性。