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公开(公告)号：CN115955126A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211720852.9
申请日：2022-12-30
Applicant: 浙江大学
Abstract: 公开了一种串联拓扑结构功率模块，涉及电力电子技术领域，所述功率模块由功率单元串联而成，所述功率模块的电压均衡通过有源箝位控制策略来实现。公开的功率模块将低耐压电力电子芯片高密度的串联和并联在一起来提升功率模块的耐压和电流等级，其有益效果在于：提出的基于功率单元串联的高密度结构设计大幅降低模块功率主回路寄生电感；提出的功率模块及其结构设计避免了采用高耐压电力电子器件实现高耐压大电流功率变换时的高成本和高损耗劣势，还进一步提升了制作串联拓扑结构功率模块的良率。
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公开(公告)号：CN115084231B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210846369.9
申请日：2022-07-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种二极管及其制造方法，包括衬底层、半导体层、阴极层和阳极层，半导体层设置在衬底层上，阳极层设置在半导体层上，阴极层设置在衬底层上或设置在半导体层上，半导体层上还设置有若干组电场扩散层，每组电场扩散层间隔设置，且电场扩散层与半导体层形成肖特基接触，具有耐压性能高的优点，突破了器件电场集聚导致终端区域电场无法有效调制的瓶颈。
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公开(公告)号：CN114256866A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111293987.7
申请日：2021-11-03
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种光伏能驱动的电网发电、车辆充电及热泵热水器耦合系统，属于光伏发电系统。本发明利用光伏板将太阳能转化为电能，经逆变器系统转化后的电能可接入电网、给车辆充电或驱动家用热泵热水器中的压缩机和电动水泵，进而达到综合高效利用光伏能的目的。上述系统可有效降低家庭用电量，节省用电开支，减少碳排放。
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公开(公告)号：CN114236968A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111562832.9
申请日：2021-12-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G03F7/16
Abstract: 本发明公开了光刻工艺中用于降低光刻胶膜厚的方法，包含将晶圆放置于载台上并固定，电机控制载台旋转带动所述晶圆进行一定速度的旋转，同时EBR喷嘴移动至晶圆的圆心处并从晶圆上方向下喷EBR，液量达到设计量之后，EBR喷嘴移开晶圆表面，此时载台速度降低至低速旋转，且滴胶喷嘴移动至晶圆的圆心处并从晶圆上方向下滴胶，胶量达到设计值后，载台加速到高速旋转完成胶量均匀分布后降速至静止，完成匀胶过程。本工艺方法能解决因机台最高转速限制导致膜厚厚度不能降低的问题。
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公开(公告)号：CN114220848A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202210162096.6
申请日：2022-02-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种快速开通的浮岛器件及其制造方法，包括表面层、底层和漂移区，漂移区包括若干组衬底层和若干组浮岛层，每两组所述衬底层之间设置有一组浮岛层，或每两组所述浮岛层之间设置有一组衬底层，在浮岛层中设置重掺杂反型区，具有消除空间电荷对电流的阻碍的优点，缓解了漂移区中有相反类型掺杂区域的浮岛器件在较低的偏压下不能够恢复导通能力的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113903814B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111516626.4
申请日：2021-12-13
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种快速开通二极管和制造方法，包括阴极层、阳极层和衬底层，阴极层和阳极层设置在衬底层的同一表面，且阴极层和阳极层位于同一表面的两端，衬底层上镶嵌设置有第一反型掺杂层，且阳极层连接衬底层与第一反型掺杂层，衬底层上间隔镶嵌设置有若干第二反型掺杂层，衬底层上还设置有若干接触层，接触层连接衬底层与第二反型掺杂层，具有消除电流阻碍的优点，突破了在较低的正向偏压下不能够恢复正向导通能力的瓶颈。
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公开(公告)号：CN113903814A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111516626.4
申请日：2021-12-13
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种快速开通二极管和制造方法，包括阴极层、阳极层和衬底层，阴极层和阳极层设置在衬底层的同一表面，且阴极层和阳极层位于同一表面的两端，衬底层上镶嵌设置有第一反型掺杂层，且阳极层连接衬底层与第一反型掺杂层，衬底层上间隔镶嵌设置有若干第二反型掺杂层，衬底层上还设置有若干接触层，接触层连接衬底层与第二反型掺杂层，具有消除电流阻碍的优点，突破了在较低的正向偏压下不能够恢复正向导通能力的瓶颈。
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公开(公告)号：CN112201686A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010935114.0
申请日：2020-09-08
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 公开了一种超级结器件及终端，该超级结器件包括形成于漂移区内的有源区和终端、位于有源区内的多个超级结、位于终端内的宽槽、位于宽槽靠近有源区方向侧壁上的侧壁注入区以及位于宽槽底部并与下注入区接触的终端底部注入区，其中在超级结器件的相同深度处，各个超级结之间的宽度等于或大于有源区边缘靠近终端的超级结与终端的侧壁之间的宽度。该终端包括宽槽和位于宽槽靠近有源区方向侧壁上的侧壁注入区，该终端注入区包括具有相同掺杂类型的下注入区和上注入区，其中下注入区的宽度小于上注入区的宽度。本发明的结构优化了终端与有源区交界处的净负电荷量的空间分布，实现了更好的电场分布，提高了器件终端的耐压。
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公开(公告)号：CN119153534A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411651336.4
申请日：2024-11-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 一种超级结沟槽MOSFET结构及其制造方法，属于超结MOSFET技术领域，一种超级结沟槽MOSFET结构，包括N+衬底及元胞第一结构和元胞第二结构；其中，元胞第一结构与元胞第二结构皆呈正六边形；元胞第一结构包括第一N柱区及环绕第一N柱区的第一P柱区，第一N柱区上设置有第一源槽；元胞第二结构包括第二N柱区及环绕第二N柱区的第二P柱区，第二N柱区上设置有第二源槽；若干元胞第二结构围绕元胞第一结构；元胞第二结构还包括栅槽，栅槽与第一源槽之间形成有第一沟道，栅槽与第二源槽之间形成有第二沟道，第一沟道与第二沟道的长度不同。本申请通过设置正六边形密铺的元胞结构，且具有非对称的双沟道，不仅提高了沟道密度，也提供了良好的栅氧保护作用。
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公开(公告)号：CN116581118A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310357192.0
申请日：2023-04-06
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本申请涉及半导体功率器件技术领域，公开了一种增强型RESURF与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计，解决了现有技术中器件在导通和关断时会出现不同区域导通和关断不均匀，以及器件叉指区边缘终端处引起曲率效应，电场聚集,器件易于击穿的问题，包括阳极金属区域、阴极金属区域、轻掺杂漂移区、RESURF掺杂区、RESURF沟槽和宽槽终端，能够缓解版图边缘部分的曲率效应，降低电场尖峰，提高器件整体阻断电压，通过增强型RESURF结构以及宽槽终端结构，宽槽终端的形状根据把不同的版图结构而确定，紧密贴合包围整个有源区，有效提高了器件阻断电压，降低了漏电流，增强型终端结构介于两电极之间，形状分布根据版图设计类别确定。
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