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公开(公告)号：CN112596157B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202011526381.9
申请日：2020-12-22
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开了一种硅基磁光非互易条形光波导，在SOI晶片上顶层硅的基础上形成条形光波导的芯部。这种光波导的特征在于：条形光波导的芯部包括两部分，一部分是位于波导芯部最上层的铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部，另一部分是位于铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部与氧化硅层之间的条形顶层硅芯部，其中铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部中的铁磁金属纳米颗粒在SOI基片上的顶层硅中用掺杂技术原位形成。本发明可以实现硅基磁光非互易条形光波导的制作，解决了磁光材料与SOI条形顶层硅芯部光学参数之间匹配的问题，同时解决了磁光材料与硅基光波导制作工艺的兼容性问题。
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公开(公告)号：CN113391397B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202110637053.4
申请日：2021-06-08
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: G02B6/134
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公开(公告)号：CN113391396A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110637036.0
申请日：2021-06-08
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: G02B6/134
Abstract: 本发明公开了一种在玻璃基片背面采用内阻挡层提高玻璃基光波导芯部对称性的方法。包括：将玻璃基片置于含K+熔盐中进行离子交换处理，在所述玻璃基片背面对应的非光波导区域形成高电阻率的内阻挡层；通过离子交换处理和电场辅助离子迁移处理，在背面带有内阻挡层的玻璃基片上形成掩埋式离子掺杂区；其中，在进行所述电场辅助迁移处理过程中，玻璃基片背面高电阻率的内阻挡层使离子掺杂区附近的电场分布呈现横向汇聚的特征，抑制了玻璃基片中离子掺杂区在电场辅助离子迁移过程中的横向展宽趋势，提高了玻璃基片中作为光波导芯部的掩埋式离子掺杂区的对称性。
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公开(公告)号：CN111025471B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201911392536.1
申请日：2019-12-30
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电压分段式的玻璃基掩埋式光波导连续生产方法。放置隧道式高温炉，隧道式高温炉内有传送带和坩埚，传送带将坩埚从隧道式高温炉的进口端输送入隧道式高温炉，经高温离子迁移反应后输送至隧道式高温炉的出口端。隧道式高温炉设置有通过绝缘性滑轨接头连接的多段正电极滑轨组成正电极滑竿和负电极滑轨，坩埚在从隧道式高温炉进口端到出口端运输的过程中，玻璃基片两侧的电极引线分别在正电极滑竿和负电极滑轨上滑动，多段正电极滑轨依次可对玻璃基片施加电压。本发明可提高光波导芯片质量、提高生产效率、降低能耗的基础上，还可以减小掩埋式光波导制作过程中直流电场产生的焦耳热效应带来的不利影响。
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公开(公告)号：CN112596159A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011529130.6
申请日：2020-12-22
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开了一种具有横向磁光效应的二氧化硅基磁光条形光波导，在光学晶片上采用微细加工工艺形成条形光波导的芯部。这种光波导的特征在于：条形光波导的芯部包括两部分，一部分是位于波导芯部最上层的铁磁金属纳米颗粒掺杂条形二氧化硅芯部，另一部分是位于铁磁金属纳米颗粒掺杂条形二氧化硅芯部与波导下包层之间的条形掺锗二氧化硅芯部，其中铁磁金属纳米颗粒掺杂条形二氧化硅芯部中的铁磁金属纳米颗粒在光学晶片上的二氧化硅层中用掺杂技术原位形成。本发明可以实现二氧化硅基磁光非互易条形光波导的制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111487718A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010386539.0
申请日：2020-05-09
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
Abstract: 一种离子交换玻璃基掩埋型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的掩埋型锥形离子掺杂区(101)构成；其中第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)粗端的横截面尺寸与第n-1段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端作为模斑转换器的输出端。这种玻璃基掩埋型分段式模斑转换器通过n段玻璃基锥形波导芯片级联的方式，可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，同时降低设计和制作的难度。
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公开(公告)号：CN111239894B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010083821.1
申请日：2020-02-07
Applicant: 芜湖佳豪电子有限公司 , 浙江大学深圳研究院
Abstract: 本发明公开了一种电压分段式的玻璃基掩埋式光波导连续生产方法。放置隧道式高温炉，炉内有传送带和坩埚；坩埚内有熔盐，且熔盐内部设置通过导线接地的负电极；玻璃基片和石英管组成的底部密闭腔置于石英花篮中，腔内有熔盐，石英花篮悬挂于传送带上且玻璃基片浸入坩埚内的熔盐中；底部密闭腔中设置正电极，正电极与石英花篮相对位置固定，且通过电极引线搭上正电极滑竿，并可沿正电极滑竿滑动；正电极滑竿由通过绝缘性滑轨接头连接的多段正电极滑轨组成，多段正电极滑轨分别连接不同的直流电源正极。本发明可提高光波导芯片质量、提高生产效率、降低能耗的基础上，还可以减小掩埋式光波导制作过程中直流电场产生的焦耳热效应带来的不利影响。
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公开(公告)号：CN111208607A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010083642.8
申请日：2020-02-09
Applicant: 浙江大学深圳研究院
Abstract: 本发明公开了一种有槽热板温度梯度离子扩散制作玻璃基模斑转换器的方法，这种方法包括两个环节：第一个环节用离子交换法在玻璃基片的表面制作条形离子掺杂区；第二个环节是将玻璃基片竖直放置在水平有槽热板上的凹槽内进行梯度温度离子扩散。这种方法的特征在于：增大玻璃基片表面的条形离子掺杂区在贴近有槽热板一端的横截面尺寸，将条形离子掺杂区变成锥形离子掺杂区。这种锥形离子掺杂区的横截面的尺寸在两个轴向上的一致性得到改善，因而模斑转换器与光纤芯部横截面的形状与尺寸的匹配程度改善，器件插入损耗降低。而且，可以通过对有槽热板上凹槽形状和尺寸的调节优化模斑转换器的结构和性能。
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公开(公告)号：CN111045150A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911405541.1
申请日：2019-12-30
Applicant: 浙江大学
IPC: G02B6/134
Abstract: 本发明公开了一种实现玻璃基离子交换表面光波导芯片连续生产的方法。放置隧道式高温炉，隧道式内有传送带和坩埚，传送带上悬挂有石英花篮，石英花篮被传送带运输，坩埚装有含掺杂离子的熔盐，石英花篮浸没在熔盐中；石英花篮内放置有玻璃基片，玻璃基片表面加工掩膜并将计划形成光波导图形的区域镂空，支架和玻璃基片均完整浸没入含掺杂离子的熔盐中，通过传送带移动运输石英花篮将表面带有掩膜的玻璃基片浸没在隧道式高温炉的坩埚中含掺杂离子的熔盐内进行离子交换制成表面光波导芯片的芯层。本发明提高了光波导芯片的一致性，减少了固定资产投资，提高了光波导芯片的生产效率，降低了能耗。
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公开(公告)号：CN111045150B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201911405541.1
申请日：2019-12-30
Applicant: 浙江大学
IPC: G02B6/134
Abstract: 本发明公开了一种实现玻璃基离子交换表面光波导芯片连续生产的方法。放置隧道式高温炉，隧道式内有传送带和坩埚，传送带上悬挂有石英花篮，石英花篮被传送带运输，坩埚装有含掺杂离子的熔盐，石英花篮浸没在熔盐中；石英花篮内放置有玻璃基片，玻璃基片表面加工掩膜并将计划形成光波导图形的区域镂空，支架和玻璃基片均完整浸没入含掺杂离子的熔盐中，通过传送带移动运输石英花篮将表面带有掩膜的玻璃基片浸没在隧道式高温炉的坩埚中含掺杂离子的熔盐内进行离子交换制成表面光波导芯片的芯层。本发明提高了光波导芯片的一致性，减少了固定资产投资，提高了光波导芯片的生产效率，降低了能耗。
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