公开(公告)号：CN104638067A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510065495.0

申请日：2015-02-09

Applicant: 浙江大学

Inventor： 汪牡丹 ,  薛东鹏 ,  陈陈旭 ,  凌国平 ,  方攸同 ,  孟亮 ,  刘嘉斌

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/0296

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0296

Abstract: 一种FeS2纳米管薄膜的制备方法包括使用FTO导电玻璃作为基底；配置种子层溶液；室温下将基底浸入种子层溶液提拉镀膜，在基底表面形成一层均匀的ZnO纳米晶种子层；配置前驱体溶液；使基底表面具有均匀致密的ZnO纳米棒阵列薄膜；配置改性溶液；ZnO纳米棒阵列进行改性处理，使ZnO纳米棒的外表面覆盖上均匀的一层负电荷层；将上述制得的PSS/PDDA改性的ZnO纳米棒阵列薄膜放在FeCl3水溶液中至少静置；FTO基底上覆盖有Fe2O3纳米管阵列薄膜；Fe2O3纳米管阵列薄膜为中间产物薄膜；硫化Fe2O3纳米管阵列转化为FeS2纳米管阵列。本发明具有能使FeS2颗粒在均匀分布堆积成纳米管的优点。

公开(公告)号：CN104466089A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410764757.8

申请日：2014-12-12

Applicant: 浙江大学

Inventor： 邢程程 ,  刘嘉斌 ,  汪牡丹 ,  曹可 ,  黄六一 ,  孟亮 ,  方攸同

IPC: H01M4/04 ,  H01M4/1397 ,  H01M4/136 ,  H01M4/58 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01M4/5815 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01M4/136 ,  H01M4/1397 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

Abstract: FeS片状阵列薄膜的制备方法，包括使用铁箔作为基底，清洗基底干燥后备用；制备黑色均匀的反应溶液；将黑色均匀溶液填充反应釜，铁箔基底倾斜地倚靠在反应釜壁上，密封并将反应釜置于恒温干燥箱；反应后将反应釜自然冷却至室温，将铁箔基底取出，用无水乙醇依次冲洗-超声波清洗-冲洗，干燥得到FeS·mEDA前驱体纳米片阵列；将FeS·mEDA纳米片阵列真空热处理得到FeS片状阵列薄膜。FeS片状阵列薄膜，包括铁箔基底和原位生长于铁箔基底上的FeS纳米片，FeS纳米片与铁箔基底垂直，FeS纳米片交叉呈开放的网状阵列。本发明具有能够有效缓冲FeS在充放电过程中体积反复变化的优点。

公开(公告)号：CN102560374A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210006606.7

申请日：2012-01-11

Applicant: 浙江大学

Inventor： 孟亮 ,  王峰 ,  汪牡丹

IPC: C23C14/22 ,  C23C14/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种控制先驱体晶粒度制备FeS2薄膜的方法。镀膜基底在饱和铬酸溶液中煮沸后用去离子水冲洗，再依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声波振荡清洗烘干；溅射纯Fe膜，控制基底温度及厚度。将纯Fe膜和硫粉封装于玻璃管中硫化处理。发明可得到细小均匀的先驱体铁膜晶粒度，晶粒尺寸大小可方便控制。可以利用优化先驱体膜溅射及随后的硫化处理两不同技术的优化，灵活控制最终得到的FeS2薄膜质量及状态，控制手段和过程更为灵活，有利于优化制备技术。也可为FeS2薄膜的工业化生产提供更多选择。