一种应用于激光切割机的机器视觉切割方法

    公开(公告)号:CN108875740A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201810620803.5

    申请日:2018-06-15

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种应用于激光切割机的机器视觉切割方法。包括图像畸变矫正模块、图像轮廓识别模块、基于监督式机器学习的参数优化模块和切割路径生成模块;图像畸变矫正模块对采集的图像进行处理获得原始图像,图像轮廓识别模块对原始图像进行轮廓识别,切割路径生成模块根据轮廓识别结果生成激光切割机的切割路径,通过基于监督式机器学习的参数优化模块对图像轮廓识别模块进行优化,使得图像轮廓识别模块识别轮廓提取更精确。本发明方法具有操作简单、识别精度高、识别速度快等优点,能够适应复杂的生产环境,提高了激光切割机的泛用性。

    基于上下非对称栅状电极的光电导型光电探测器

    公开(公告)号:CN110350041B

    公开(公告)日:2021-08-27

    申请号:CN201910491852.8

    申请日:2019-06-06

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于上下非对称栅状电极的光电导型光电探测器。包括由下至上依次叠置而成的绝缘衬底、Ti金属电极、氮化硼薄膜和两个栅状电极,绝缘衬底上表面覆盖有氮化硼薄膜和Ti金属电极,Ti金属电极整体包裹于氮化硼薄膜内,两个栅状电极分别为正栅电极和负栅电极,正栅电极和负栅电极分别位于氮化硼薄膜上表面两侧。在三个电极通电的情况下,Ti金属电极与两个非对称的金属电极之间形成合适的电场,可以改变光电探测器的响应幅度和响应时间,结合氮化硼薄膜特殊的光电特性,实现一种高性能光电探测机制。本发明的探测效果好,结构简单在光电传感领域有很好的应用前景。

    一种双层半导体结构的光电导型深紫外单色光电探测器

    公开(公告)号:CN110808296A

    公开(公告)日:2020-02-18

    申请号:CN201911007238.6

    申请日:2019-10-22

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种双层半导体结构的光电导型深紫外单色光电探测器。包括由下至上依次叠置而成的绝缘衬底、窄带隙氮化硼薄膜和宽带隙氮化硼薄膜,绝缘衬底上表面覆盖有窄带隙氮化硼薄膜,窄带隙氮化硼薄膜上表面覆盖有宽带隙氮化硼薄膜;窄带隙氮化硼薄膜中埋设有两个栅状Ti金属电极;通过调节窄带隙氮化硼薄膜和宽带隙氮化硼薄膜的带隙以及两者之间的带隙差,在深紫外波段调节探测器的响应波长。本发明通过带隙不同的氮化硼层状结构,实现了单色光响应,探测效果好,单色性好,可以简单实现探测器响应波长和响应带宽,提高了电极对光生载流子的收集能力。

    基于上下非对称栅状电极的光电导型光电探测器

    公开(公告)号:CN110350041A

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201910491852.8

    申请日:2019-06-06

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于上下非对称栅状电极的光电导型光电探测器。包括由下至上依次叠置而成的绝缘衬底、Ti金属电极、氮化硼薄膜和两个栅状电极,绝缘衬底上表面覆盖有氮化硼薄膜和Ti金属电极,Ti金属电极整体包裹于氮化硼薄膜内,两个栅状电极分别为正栅电极和负栅电极,正栅电极和负栅电极分别位于氮化硼薄膜上表面两侧。在三个电极通电的情况下,Ti金属电极与两个非对称的金属电极之间形成合适的电场,可以改变光电探测器的响应幅度和响应时间,结合氮化硼薄膜特殊的光电特性,实现一种高性能光电探测机制。本发明的探测效果好,结构简单在光电传感领域有很好的应用前景。

Patent Agency Ranking