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公开(公告)号：CN109148640A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811141818.X
申请日：2018-09-28
Applicant: 河南大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1136 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公布了一种多孔有源层场效应紫外探测器及其制备方法，探测器包括SiO2/Si衬底、多孔有源层、源电极和漏电极，SiO2/Si衬底包括下方的Si层和上方的SiO2层，其中Si层为栅电极，SiO2层为绝缘层；多孔有源层设置在SiO2/Si衬底上，源电极和漏电极均设置在多孔有源层上。制备方法包括衬底的前处理；微球模板或多孔模板的制备；多孔有源层的制备和源漏电极的制备。本发明的多孔有源层结构可使紫外光直接作用于有源层和绝缘层界面处，减少表层有源层薄膜对紫外光的吸收，有利于达到高灵敏度场效应紫外探测的目的；该探测器具有结构简单、可栅压调控、增益大和频带宽等优势，在通信和检测等领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106252278B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201610824125.5
申请日：2016-09-14
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管阵列的制备方法，主要步骤包括：提供所述金属氧化物薄膜晶体管阵列的各功能层前驱体溶液，采用喷雾热解法结合图案化的掩膜板，在衬底上沉积得到所述金属氧化物薄膜晶体管阵列的各功能层，所述功能层包括栅电极、栅绝缘层、有源层和源漏电极。本发明实现了金属晶体管阵列中器件之间的有效隔离，且所制备的金属氧化物薄膜晶体管阵列具有良好的电学性质。本发明不仅避开了高成本真空薄膜制备工艺，同时也避免了光刻剥离等复杂的薄膜图案化过程，具有制备工艺简单、成本低廉、适合工业化生产等优势，在大面积电子电路制造方面有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105977165B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201610338044.4
申请日：2016-05-20
Applicant: 河南大学
IPC: H01L21/477 , H01L21/34 , H01L29/24
Abstract: 本发明提供一种p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法，包括以强氧化性的硝酸铜为溶质，以乙酰丙酮、甘氨酸、尿素或柠檬酸为络合剂配置前驱体溶液；然后利用所述前驱体溶液在以重掺杂硅为衬底的二氧化硅绝缘层上形成厚度为30 nm～50 nm的p型氧化铜薄膜并对其进行退火处理；最后在所述p型氧化铜薄膜表面蒸镀贵金属层分别作为源极和漏极，从而制得所述p型氧化铜薄膜晶体管。该方法制备过程中会自主释放出大量的热能，使缩合化反应和致密化过程在较低的温度下和较短的时间内发生从而制得电学性能稳定的p型氧化铜薄膜，该方法工艺简单、原料易得。
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公开(公告)号：CN107799415A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710988081.4
申请日：2017-10-21
Applicant: 河南大学
IPC: H01L21/316 , H01L29/423 , C23C18/12
Abstract: 一种化学溶液法制备硼掺杂氧化物介电薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1：前驱体溶液的制备：以硼酸和可溶性金属盐为溶质，以乙二醇甲醚为溶剂，配置成混合溶液，磁力搅拌，形成澄清透明的前驱体溶液；步骤2：薄膜制备：将步骤1所述的前驱体溶液旋涂在清洗干净的衬底表面，形成硼掺杂氧化物凝胶薄膜，然后预热处理1～2分钟；步骤3：热处理：重复步骤2多次，然后热处理1～2小时，得到硼掺杂氧化物介电薄膜。本发明采用硼酸作为掺杂原料，由于硼离子与氧离子具有很高的离解能，硼离子掺杂可以降低氧空位浓度，提高薄膜氧含量，增强薄膜的介电特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104909749A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510352978.9
申请日：2015-06-24
Applicant: 河南大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/64
Abstract: 一种新型低/无吸水性负热膨胀陶瓷Y2Mo3O12及其固相烧结合成方法，属于无机非金属材料技术领域，该陶瓷以Y2O3、MoO3和尿素为原料，采用固相烧结合成方法制得。本发明的有益效果：1.本发明将尿素高温分解结合到Y2Mo3O12的烧结过程中，减少以致避免在降温过程中水分进入，减少甚至彻底消除吸水性，同时获得从室温开始的负热膨胀性能。2.本发明采用固相法烧结，工艺简单，低成本，适合于工业化生产。
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公开(公告)号：CN115539065A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211200975.X
申请日：2022-09-29
Applicant: 盾构及掘进技术国家重点实验室 , 中铁隧道局集团有限公司 , 中国矿业大学 , 河南大学
IPC: E21D9/10
Abstract: 本发明涉及隧道掘进机滚刀刀座结构与滚刀装拆工艺领域，特别是一种新型隧道掘进机滚刀刀座及对应的拆装方法，旨在解决现有技术中滚刀拆装效率低的问题。本发明所述滚刀刀轴两端装有限位柱，所述限位柱为直角梯形，对应的在所述刀座本体内两侧边设置滚刀刀轴限位廊道，所述限位廊道为倒L型，所述倒L型的折角为钝角，所述刀座本体两侧边内设有引导所述滚刀刀轴在限位廊道内竖向位移的提升机构，引导所述滚刀刀轴在限位廊道内横向位移的液压拉顶机构，所述倒L型廊道的横边上设有压紧块，所述压紧块连接拉紧装置，实现滚刀刀轴的压紧与放松。优点在于：新型隧道掘进机滚刀刀座实现了机械化拆装滚刀，并且维持了滚刀刀轴与刀座的压紧强度，节省了大量人力与操作时间。
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公开(公告)号：CN104909749B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201510352978.9
申请日：2015-06-24
Applicant: 河南大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/64
Abstract: 一种新型低/无吸水性负热膨胀陶瓷Y2Mo3O12及其固相烧结合成方法，属于无机非金属材料技术领域，该陶瓷以Y2O3、MoO3和尿素为原料，采用固相烧结合成方法制得。本发明的有益效果：1.本发明将尿素高温分解结合到Y2Mo3O12的烧结过程中，减少以致避免在降温过程中水分进入，减少甚至彻底消除吸水性，同时获得从室温开始的负热膨胀性能。2.本发明采用固相法烧结，工艺简单，低成本，适合于工业化生产。
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公开(公告)号：CN105977383A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610338043.X
申请日：2016-05-20
Applicant: 河南大学
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L51/0026 , H01L51/0579 , H01L2251/303
Abstract: 本发明提供一种柔性氧化锌肖特基二极管及其制备方法，采用溶胶凝胶法，以硝酸锌有机溶液和聚四乙烯基苯酚有机溶液等试剂在具有柔性衬底的ITO导电层上形成具有较好柔性的聚四乙烯基苯酚杂化的氧化锌薄膜，并采用热蒸发镀膜法在所述聚四乙烯基苯酚杂化的氧化锌薄膜表面蒸镀贵金属层从而制得柔性氧化锌肖特基二极管。由该方法制备的聚四乙烯基苯酚杂化的氧化锌薄膜具有较高的柔韧性，使得制备的二极管具有良好的机械弯折性能和稳定的电学性能，且该方法工艺简单、原料易得。
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公开(公告)号：CN105977165A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610338044.4
申请日：2016-05-20
Applicant: 河南大学
IPC: H01L21/477 , H01L21/34 , H01L29/24
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/477 , H01L29/242
Abstract: 本发明提供一种p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法，包括以强氧化性的硝酸铜为溶质，以乙酰丙酮、甘氨酸、尿素或柠檬酸为络合剂配置前驱体溶液；然后利用所述前驱体溶液在以重掺杂硅为衬底的二氧化硅绝缘层上形成厚度为30 nm～50 nm的p型氧化铜薄膜并对其进行退火处理；最后在所述p型氧化铜薄膜表面蒸镀贵金属层分别作为源极和漏极，从而制得所述p型氧化铜薄膜晶体管。该方法制备过程中会自主释放出大量的热能，使缩合化反应和致密化过程在较低的温度下和较短的时间内发生从而制得电学性能稳定的p型氧化铜薄膜，该方法工艺简单、原料易得。
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