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公开(公告)号：CN109004088A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810740493.0
申请日：2018-07-07
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明公开了一种有机半导体薄膜晶体管的制备方法，该方法的有源层和绝缘层是通过化学旋凃工艺一步完成。分别将有机半导体材料和绝缘聚合物同时溶解到同一溶剂中，形成前驱体溶液，然后直接将前驱体溶液旋凃在薄膜晶体管的栅电极层之上，由于不同组分间的化学不相容性，薄膜沿垂直方向发生相分离，导致绝缘聚合物形成在旋涂薄膜底层并与栅电极接触，而有机半导体位于绝缘聚合物上面，从而一步获得有机薄膜晶体管的有源层和绝缘层。该工艺可以同时制备有源层和绝缘层，能够简化制备工艺，降低界面态缺陷，提高薄膜晶体管的电学性能。本发明制备方法简单、生产成本低，因此在大面积、低成本有机薄膜晶体管的制备中具有很重大的应用价值。
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公开(公告)号：CN107623041B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201710806148.8
申请日：2017-09-08
Applicant: 河南大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/06
Abstract: 本发明涉及反相器电路设计领域，具体涉及一种基于氧化物薄膜晶体管的反相器及其制造方法。本发明通过单个氧化物薄膜晶体管与氧化物电阻的连接构成反相器，绝缘层与氧化物电阻为同种物质，其制作简单，便于集成化，并且制作成本低。而且单个薄膜晶体管相比于多个晶体管，可以降低反相器出现故障的概率，能够很好的提高反相器的稳定性。
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公开(公告)号：CN107799415B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201710988081.4
申请日：2017-10-21
Applicant: 河南大学
IPC: H01L21/316 , H01L29/423 , C23C18/12
Abstract: 一种化学溶液法制备硼掺杂氧化物介电薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1：前驱体溶液的制备：以硼酸和可溶性金属盐为溶质，以乙二醇甲醚为溶剂，配置成混合溶液，磁力搅拌，形成澄清透明的前驱体溶液；步骤2：薄膜制备：将步骤1所述的前驱体溶液旋涂在清洗干净的衬底表面，形成硼掺杂氧化物凝胶薄膜，然后预热处理1～2分钟；步骤3：热处理：重复步骤2多次，然后热处理1～2小时，得到硼掺杂氧化物介电薄膜。本发明采用硼酸作为掺杂原料，由于硼离子与氧离子具有很高的离解能，硼离子掺杂可以降低氧空位浓度，提高薄膜氧含量，增强薄膜的介电特性。
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公开(公告)号：CN107623041A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710806148.8
申请日：2017-09-08
Applicant: 河南大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/06
Abstract: 本发明涉及反相器电路设计领域，具体涉及一种基于氧化物薄膜晶体管的反相器及其制造方法。本发明通过单个氧化物薄膜晶体管与氧化物电阻的连接构成反相器，绝缘层与氧化物电阻为同种物质，其制作简单，便于集成化，并且制作成本低。而且单个薄膜晶体管相比于多个晶体管，可以降低反相器出现故障的概率，能够很好的提高反相器的稳定性。
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公开(公告)号：CN107706231A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710988060.2
申请日：2017-10-21
Applicant: 河南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/227 , H01L29/24 , H01L29/51 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 一种高稳定性氧化物半导体薄膜晶体管，包括衬底、栅电极、绝缘层、有源层和源漏电极，所述绝缘层为掺杂硼或硅的绝缘膜，所述有源层为掺杂硼或硅的半导体薄膜，一种高稳定性氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，包括选择重掺杂硅衬底或ITO导电玻璃为衬底，同时作为栅电极；采用磁控溅射法在衬底上制备绝缘层，所述绝缘层为掺杂硼或硅的绝缘膜；采用磁控溅射在绝缘层上制备有源层，所述有源层为掺杂硼或硅的半导体薄膜；采用热蒸发镀膜法在有源层上制备金属Al薄膜作为源漏电极。本发明采用掺杂易与氧空位结合的硼（B）或硅（Si），减少绝缘层和有源层界面处的氧空位，提高薄膜晶体管的稳定性，从而提高器件的稳定性和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106298961A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610993713.1
申请日：2016-11-11
Applicant: 河南大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，它包括分别作为源极和漏极的源漏电极层，作为栅极的导电薄膜层，作为有源层的金属氧化物半导体薄膜层，以及设置在所述导电薄膜层和所述金属氧化物半导体薄膜层之间的同时充当绝缘层和衬底层的绝缘衬底层，在所述薄膜晶体管结构中，所述绝缘衬底层同时起到了衬底和绝缘薄膜的作用，大大简化了薄膜晶体管的制备工艺，降低了制备成本。本发明还提供制备所述薄膜晶体管的方法，该方法工艺简单、成本低廉，在大面积电子电路中有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN108963080A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810740497.9
申请日：2018-07-07
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明公开了一种多孔有机半导体薄膜的制备方法，将有机半导体材料与高分子聚合物溶解在有机溶剂中，混合均匀，形成前驱体溶液。将前驱溶液旋涂在基底上，由于气息图案原理，形成多孔有机半导体薄膜。由于高分子聚合物的掺入，抑制了有机半导体材料的聚集和结晶，促进了多孔薄膜结构的形成。同时，高分子聚合物的掺入有利于提高有机半导体材料的电学稳定性。本发明工艺简单、重复性好、对设备和环境条件要求低，适用于大部分多孔有机半导体薄膜的制备，在新型有机半导体器件制备中有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN108899419A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810740495.X
申请日：2018-07-07
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明公开了一种有机无机复合PIN二极管及其制备方法，该PIN二极管包括从下至上依次布设的衬底、下电极、N型金属氧化物半导体层、高分子聚合物绝缘层、P型有机半导体层和上电极，高分子聚合物绝缘层位于旋涂薄膜底部并和N型金属氧化物半导体层接触，P型有机半导体层位于高分子聚合物绝缘层顶部，从而形成PIN结构薄膜二极管。本发明中高分子聚合物绝缘层和P型有机半导体层通过一次制膜完成，简化了制备工艺，减少了多次旋涂引起的杂质污染，降低了界面态电荷密度，有利于得到高性能PIN二极管。
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公开(公告)号：CN108963080B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201810740497.9
申请日：2018-07-07
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明公开了一种多孔有机半导体薄膜的制备方法，将有机半导体材料与高分子聚合物溶解在有机溶剂中，混合均匀，形成前驱体溶液。将前驱溶液旋涂在基底上，由于气息图案原理，形成多孔有机半导体薄膜。由于高分子聚合物的掺入，抑制了有机半导体材料的聚集和结晶，促进了多孔薄膜结构的形成。同时，高分子聚合物的掺入有利于提高有机半导体材料的电学稳定性。本发明工艺简单、重复性好、对设备和环境条件要求低，适用于大部分多孔有机半导体薄膜的制备，在新型有机半导体器件制备中有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN107706231B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201710988060.2
申请日：2017-10-21
Applicant: 河南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/227 , H01L29/24 , H01L29/51 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 一种高稳定性氧化物半导体薄膜晶体管，包括衬底、栅电极、绝缘层、有源层和源漏电极，所述绝缘层为掺杂硼或硅的绝缘膜，所述有源层为掺杂硼或硅的半导体薄膜，一种高稳定性氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，包括选择重掺杂硅衬底或ITO导电玻璃为衬底，同时作为栅电极；采用磁控溅射法在衬底上制备绝缘层，所述绝缘层为掺杂硼或硅的绝缘膜；采用磁控溅射在绝缘层上制备有源层，所述有源层为掺杂硼或硅的半导体薄膜；采用热蒸发镀膜法在有源层上制备金属Al薄膜作为源漏电极。本发明采用掺杂易与氧空位结合的硼（B）或硅（Si），减少绝缘层和有源层界面处的氧空位，提高薄膜晶体管的稳定性，从而提高器件的稳定性和可靠性。
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