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公开(公告)号：CN101972753A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010231659.X
申请日：2010-07-21
Applicant: 河北工业大学
IPC: B08B3/08
Abstract: 本发明公开了一种镁铝合金化学机械抛光后表面清洗方法，旨在提供一种能够降低镁铝合金材料碱性化学机械抛光的后续加工成本，使用方法简单易行，能够提高晶片表面质量的清洗方法。取电阻为18MΩ以上的超纯水边搅拌边加入非离子表面活性剂和FA/O螯合剂；采用电阻为18MΩ以上的超纯水稀释阻蚀剂；将稀释后的阻蚀剂边搅拌边加入到上述液体中，搅拌均匀后得到水溶性表面清洗液，使用得到的水溶性表面清洗液迅速对碱性化学机械抛光后的镁铝合金材料采用大流量低压力条件下进行抛光清洗；用电阻为18MΩ以上的超纯水在零压力、大流量条件下冲洗。
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公开(公告)号：CN100382243C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200610014305.3
申请日：2006-06-09
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明涉及提高P型硅外延电阻率一致性的控制方法，其步骤如下：(1)硅片抛光清洗后进行背封，使硅片表面生成洁净氧化层；(2)外延前提高赶气温度使之比硅外延生长温度高80-120℃，改变气体流速，使气体流速控制在硅外延生长时气体流速的0.05-1.2倍，反复变化4-12个周期，每个周期为10-30s；(3)变温、变速赶气后，立即降温至生长温度，在硅片及石墨基座表面生长本征层，将石墨基座及衬底正、侧面和与石墨接触边缘全部封闭；(4)再进行步骤(2)所述的3-6个周期的变温、变速赶气；(5)按所需的掺杂浓度对外延系统进行预掺杂。该方法通过对外延系统的预处理及表面本征层的制备，实现掺杂杂质浓度的控制，有效避免了自掺杂效应的产生。
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公开(公告)号：CN1140599C
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN02116759.1
申请日：2002-05-10
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02
Abstract: 一种超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平面化抛光液，其组成成分重量%是：SiO2、CeO2、Al2O3、ZrO、MgO的水溶胶18～50，无金属离子的羟胺类化合物和胺盐类化合物0.1～10，多羟多胺类化合物和胺盐类化合物0.005～25，非离子表面活性剂0.1～10，非金属氧化剂1～20，余量为去离子水。该抛光液损伤小、平整度高、易清洗；不腐蚀设备，不污染环境；选择性强，速率高；价格便宜，成本低。用于超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光。
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公开(公告)号：CN119592231A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411920236.7
申请日：2024-12-25
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明为一种基于氧化铈磨料的氧化硅/氮化硅酸性抛光液及其制备方法。该抛光液使用季铵盐类化合物作为离子活性助剂，在酸性条件下通过小粒径氧化铈磨料与氨基酸、表面活性剂和离子活性助剂的共同作用，实现了对氧化硅抛光速率的提高及对氮化硅的抛光速率的抑制，并获得了较低的氧化硅/氮化硅表面粗糙度。本发明实现了氧化硅抛光速率在#imgabs0##imgabs1#以上、氮化硅抛光速率在#imgabs2#以下的同时，氧化硅和氮化硅表面均达到了低于0.1nm的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN118299304A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410601960.7
申请日：2024-05-15
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明涉及半导体加工领域，具体是一种半导体晶圆加工清洗装置，包括清洗液箱、污水箱、清洗箱和加热风机，污水箱顶部固定连接于清洗液箱底部，清洗液箱顶部固定连接与加热风机底部固定连接，加热风机顶部与清洗箱底部固定连接，清洗箱内部安装有旋转电机，旋转电机顶部固定连接有中心杆，中心杆上周向设有若干可拆卸链接的用于放置晶圆的放置架，放置架内部开有两侧窄中间宽的放置槽，放置架上开有若干通液口，中心杆内部设有LED灯，中心杆与放置架均具有透光性，清洗箱外壁为透明玻璃，LED灯输入端与控制器输出端信号连接，清洗箱顶部设有可拆卸连接的顶盖。本发明结构简单，能有效提高晶圆清洗的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115786918A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211451885.8
申请日：2022-11-21
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种铜碱性化学机械抛光液。该抛光液的质量百分组成为二乙醇胺0.05‑1％、磨料3‑6％、季铵化合物0.1‑2％、铜强刻蚀剂8‑13％，余量为去离子水；抛光液pH值为7.5‑10；所述的抛光液还包括质量百分比0.01‑0.5％的黄原胶。本发明可以提高含有季铵碱的碱性的铜抛光液的pH值稳定性，防止磨料分层、凝胶、颗粒直径长大，降低抛光缺陷。
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公开(公告)号：CN110484388A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910863463.3
申请日：2019-09-12
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种适用于集成电路制程中低k介质材料清洗剂及其清洗方法。所述的组成包括复配活性剂、有机溶剂、pH调节剂和去离子水；所述的复配活性剂为椰子油二乙醇酰胺和十二烷基二甲基甜菜碱；体积比为椰子油二乙醇酰胺：十二烷基二甲基甜菜碱＝1：5～10；pH调节剂为乙二胺，羟乙基乙二胺或四甲基氢氧化铵；清洗剂的pH值为8-9.5；有机溶剂异丙醇或乙醇；清洗方法中，通过洗刷参数的设置，以及加热烘干、CVD处理步骤的增加，本发明可以对低k介质材料进行保护，改善刷子使用寿命，并能对低k材料结构破坏部分修复，实现k值的恢复。
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公开(公告)号：CN104449404A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410781702.8
申请日：2014-12-16
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种锗晶体化学机械抛光的抛光液及使用方法，包括粗抛液和精抛液，所述粗抛液按重量％计主要由下列原料组成：磨料粒径15-110nm、浓度≥40wt％、硬度≤7 Mohs的SiO2水溶胶磨料10-50％、氧化剂0.2-1.5％、pH调节剂0.5-2％、螯合剂0.2-1.5％、表面活性剂0.1-1％；精抛液主要有表面活性剂0.1-0.5％，余量为去离子水。选择两步抛光法进行化学机械抛光，第一步选用粗抛液，第二步选用精抛液，两步抛光在同一台抛光机上完成。有益效果：可以解决锗晶体材料化学机械抛光过程中速率低、粗糙度高、金属离子及颗粒沾污等问题。
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公开(公告)号：CN104449398A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410682284.7
申请日：2014-11-25
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种适用于钴阻挡层的碱性化学机械抛光液。本发明抛光液包括研磨颗粒、络合剂、氧化剂、表面活性剂、腐蚀抑制剂、抑菌剂和水；络合剂含量为重量百分比0.01～10％；研磨颗粒含量为重量百分比1～40％；所述的氧化剂为过氧化氢，含量为重量百分比0.1～10％；表面活性剂含量为重量百分比0.01～5％；腐蚀抑制剂含量为重量百分比0.1～5％；抑菌剂含量为重量百分比0.001～1％，用水补充含量至100％。此抛光液适用于钴阻挡层的抛光，抛光液呈碱性，解决了钴在含有氧化剂的酸性抛光液中易于溶解的问题，同时提高了钴的抛光速率，降低了表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN101879509B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201010232556.5
申请日：2010-07-21
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种液晶屏的清洗方法，旨在提供一种能够消除有机物及清洗剂残留，消除水基清洗的环保隐患，满足环保要求的清洗方法。在第一槽中放入液晶屏清洗剂，加热到50-60℃，将装有液晶屏的花篮浸泡在第一槽中，配合超声波或兆声作用清洗3-5分钟；在第二槽中放入电化学氧化液，加热到50-60℃，将装有液晶屏的花篮从第一槽中取出放入第二槽中，配合超声波或兆声作用清洗。之后进行三次去离子水配合超声波清洗，再喷淋、烘干。由于在使用清洗剂清洗后采用电化学氧化液配合超声波清洗，能够避免产生大量含有清洗剂的废水，消除了水基清洗的环保隐患，满足环保要求。
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