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公开(公告)号：CN119059808A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411214223.8
申请日：2024-08-31
Applicant: 江苏师范大学 , 江苏锡沂高新材料产业技术研究院有限公司
IPC: C04B35/44 , C04B35/505 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B37/00
Abstract: 本发明公开了一种YAG基复合激光陶瓷及其制备方法。所述复合激光陶瓷自上而下共有五层结构，分别是微结构凹面YAG透明陶瓷、Nd:YAG透明陶瓷、YAG透明陶瓷Ⅰ、Ce,Nd:YAG透明陶瓷、YAG透明陶瓷Ⅱ；微结构凹面YAG透明陶瓷用于降低温度梯度和补偿热透镜效应；Nd:YAG透明陶瓷用于收集微结构凹面YAG透明陶瓷发射的能量，并进行能量的传递；Ce,Nd:YAG透明陶瓷用于激光能力传递；YAG透明陶瓷Ⅰ和YAG透明陶瓷Ⅱ用于减小陶瓷热透镜效应。采用热键合技术制备得到。本发明的复合激光陶瓷在泵浦源为808nm的激光器激发下，在1064nm附近发射出明亮的黄光。且该复合激光陶瓷光‑光转换效率为19.85％，激光阈值为410mW。
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公开(公告)号：CN117819969A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410014610.0
申请日：2024-01-04
Applicant: 江苏师范大学
IPC: C04B35/505 , C04B35/622 , C04B35/63 , C09K11/77
Abstract: 本发明公开了一种反常浓度猝灭红色荧光陶瓷及其制备方法。该红色荧光陶瓷的分子式为Mg2‑xY1.93Al2Si2O12:0.07Ce3+,xMn2+，其中x为Mn2+掺杂Mg位的摩尔百分数，0＜x≤0.05；采用高温固相烧结法制备得到。本发明的荧光陶瓷在波长为460nm附近的蓝光激发下，在618nm附近发射出明亮的宽带红光，且该荧光陶瓷在Mn2+掺杂浓度0.01≤x≤0.05时出现了明显的反常浓度猝灭的现象，即Mn2+离子的进入减少了Ce2+猝灭中心数量，增强了Ce3+离子的发射强度，使整体的荧光陶瓷的发射强度反常。且制备方法简单，用时短，绿色环保，可应用于LED/LD器件工业化生产。
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公开(公告)号：CN117303861A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311078404.8
申请日：2023-08-25
Applicant: 江苏师范大学
IPC: C04B35/04 , C04B35/622 , C04B35/63 , C09K11/77
Abstract: 本发明公开了一种激光照明用高热导MgO/LuAG:Ce复合荧光陶瓷及其制备方法。该复合荧光陶瓷包括MgO陶瓷基底和分布在MgO陶瓷基底中的LuAG:Ce荧光粉，荧光粉在复合荧光陶瓷中的含量为5wt％～20wt％，采用非反应烧结工艺烧结制得。本发明制备的复合陶瓷的在波长为455nm蓝光LD芯片激发下，实现高亮白光发射，可承受激发功率密度为45W/mm2～55W/mm2，发光效率200～230lm/W。其热导率为37～46Wm‑1k‑1，其致密度为99.3％～99.7％，极大地提升了器件的应用价值和使用寿命，并且制备方法简单，绿色环保，可用于LD器件工业化生产。
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公开(公告)号：CN119080497A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411214224.2
申请日：2024-08-31
Applicant: 江苏师范大学 , 江苏锡沂高新材料产业技术研究院有限公司
IPC: C04B35/553 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种激光显示用红色荧光透明陶瓷及其制备方法。该透明陶瓷的化学式为(K0.99‑yLiy)2(Si1‑xMx)F6:0.02Mn4+，其中，M＝Ge或Ti，x为M掺杂的摩尔百分数，0.01≤x≤0.15，y为Li掺杂的摩尔百分数，0.03≤y≤0.45；先采用水热合成法制备纳米级氟化物粉体，再采用热压烧结法制备得到所述荧光透明陶瓷。本发明制备的红光荧光陶瓷材料的在波长为450nm蓝光LD芯片激发下，实现发射波长630nm左右的高亮窄带红光发射，半高宽为20～30nm，透过率达到74～78％，色坐标为(0.682,0.322)左右，可用于激光显示领域。
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公开(公告)号：CN118564868A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410784052.6
申请日：2024-06-18
Applicant: 江苏师范大学 , 江苏锡沂高新材料产业技术研究院有限公司
IPC: F21V9/30 , F21V9/38 , F21V29/70 , F21V29/85 , F21Y113/17
Abstract: 本发明公开了一种高显指高亮度的激光照明光源，包含蓝光激光器、光纤、散热基底、复合荧光陶瓷，所述复合荧光陶瓷由YAG透明陶瓷、YAG:Ce陶瓷、YAG:Ce,Mn陶瓷和LuAG:Ce陶瓷采用共烧紧密粘合组成，其中YAG:Ce陶瓷、YAG:Ce,Mn陶瓷和LuAG:Ce陶瓷组合构成中心圆层，YAG透明陶瓷包裹在中心圆外部；所述蓝光激光器发射的蓝光经过光纤传输到复合荧光陶瓷的中心，激发中心的三种荧光陶瓷转化成高品质白光，外围的YAG透明陶瓷用于散热，所述蓝光激光器通过散热基底散热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118108495A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410233489.0
申请日：2024-03-01
Applicant: 江苏师范大学 , 江苏锡沂高新材料产业技术研究院有限公司
IPC: C04B35/44 , C04B35/10 , C04B35/622 , F21V9/30 , C09K11/80
Abstract: 本发明公开了一种反射式激光照明用复合荧光陶瓷及其制备方法，该方法包括：S1：分别制备YAG粉体、YAG:Ce粉体和YAG‑Al2O3粉体；S2：采用干压成型压制YAG/YAG:Ce/YAG‑Al2O3复合陶瓷素坯，进行真空烧结和退火；S3：采用激光雕刻在复合陶瓷表面YAG处形成圆锥形结构阵列，最终复合荧光陶瓷厚度为4～5mm。本发明制备方法制得的反射式激光照明用复合荧光陶瓷作为发光材料具有热导率高、发光效率高、入射光表面温度低的优点。
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公开(公告)号：CN117342866A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311256068.1
申请日：2023-09-27
Applicant: 江苏师范大学
IPC: C04B35/44 , C04B35/50 , C04B41/85 , C09K11/80 , C09K11/78 , C09K11/64 , C09K11/59 , C09K11/66 , C09K11/67 , C09K11/61 , C09K11/02 , H01S5/00 , F21K9/00 , F21K9/90 , F21V9/32 , F21Y115/30
Abstract: 本发明公开了一种激光照明用高显色指数高光效荧光转换复合材料及其制备方法，荧光转换复合材料由透镜形荧光陶瓷和涂覆在所述荧光陶瓷表面的荧光硅胶层组成，所述荧光陶瓷由蓝光激发光激发而发出黄绿光，所述荧光硅胶层由所述蓝光激发光激发而发出红光；先采用凝胶注模法制备透镜形荧光陶瓷，再在透镜形荧光陶瓷表面涂抹红色荧光硅胶层，干燥后得到荧光转换复合材料。本发明制备的复合荧光材料在波长为455nm蓝光LD芯片激发下，实现高亮白光发射，发光效率190～260lm/W，其显色指数为90～96，且制备简单，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN116589271A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310620829.0
申请日：2023-05-29
Applicant: 江苏师范大学
IPC: C04B35/44 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种激光照明用高热导、高显指复相荧光陶瓷及其制备方法，所述复相荧光陶瓷包括作为主相的(Gd,Ce)3(Al,Ga)5O12相，以及均匀分布在主相中的第二相Al2O3，其中发光离子为Ce3+；以GdGaO3、CeO2、Al2O3作为初始原料，采用固相反应法烧结。本发明制备的复相陶瓷的激发光谱在波长460nm波长激发下，发射光谱主峰在567～582nm之间，半高宽在105～120nm之间。在波长为455nm蓝光LD(1～5W)激发下，实现暖白光发射，色温3800～4250K，显色指数在78～84之间；热导率为20～25Wm‑1k‑1，相比单相荧光陶瓷的热导率提升了40～69％，并且制备方法简单，绿色环保，可用于LD器件工业化生产。
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公开(公告)号：CN116425544A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310434299.0
申请日：2023-04-20
Applicant: 江苏师范大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/44 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种激光照明用高亮度高发光效率复相荧光陶瓷及其制备方法，所述复相荧光陶瓷以Ce:LuAG粉体、SrAl2O4粉体作为陶瓷原料粉体，由放电等离子烧结法制备得到，其中Ce:LuAG作为陶瓷主体，引入SrAl2O4为第二相，SrAl2O4第二相的引入可以显著地抑制LuAG的晶粒生长，使Ce:LuAG陶瓷颗粒分布小而均匀，制备得到的复相荧光陶瓷具有高亮度及高发光效率。该荧光陶瓷具有更好的发光特性，解决了现有技术热稳定性差、光转换效率低等问题，复相陶瓷制备方法简单、用时短、烧结温度低，可应用于大功率LEDs/LDs器件，极大地提升了器件的应用价值。
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公开(公告)号：CN222861609U
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202421819121.4
申请日：2024-07-29
Applicant: 徐州盛唐光电科技有限公司 , 江苏师范大学
Abstract: 本实用新型公开了一种镀膜靶材磁控溅射成型装置，包括磁控溅射镀膜机、操作仓、磁控溅射靶、靶材和镀膜便捷切换机构，其中，装配仓固定连接在操作仓的内侧顶部，限位头固定连接在装配仓的底部，开槽开设于装配仓的底部偏心处，驱动组件安装在磁控溅射镀膜机的顶部，装配组件设置有多组，并与驱动组件的端部相连接，且多组装配组件呈圆周阵列式安装在装配仓的内部。由此，多个擦拭垫呈圆周阵列式内嵌在装配仓的内侧底部，进而通过启动驱动装置，在其能够带动多个装配组件进行切换的同时，也能够带动镀膜后的金属通过多个擦拭垫进行擦拭，从而避免了镀膜完成后的金属需要另行擦拭清理，由此可降低生产成本，同时提高生产效率。
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