一种大直径低位错锗单晶热场系统及配置方法

    公开(公告)号:CN117305969A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311055377.2

    申请日:2023-08-22

    Abstract: 本发明公开了一种大直径低位错锗单晶热场系统及配置方法,包括炉体、坩埚、保温层、托杆以及加热装置;所述保温层在炉体内壁,所述坩埚设置在炉体内部中心,所述托杆的上端与坩埚连接,下端穿过炉体;所述加热装置包括筒状加热器、底座以及高度调节装置,所述底座上设有石墨电极,所述筒状加热器通过石墨螺栓固定设置在石墨电极上,所述底座通过高度调节装置可调节的设置在炉体内;所述筒状加热器从上至下包括第一环形段、锥面段以及第二环形段,三段式筒状加热器降低了热场中的温度梯度、结晶液位温度平稳,通过液位检测仪实时监测液位高度,从而调节筒状加热器保持液位中心处于热应力中心,保持单晶低位错生长。

    一种从废CRT荧光粉中回收稀土的方法

    公开(公告)号:CN114854990A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202210459810.8

    申请日:2022-04-24

    Abstract: 一种从废CRT荧光粉中回收稀土的方法,包括以下步骤:(1)将废CRT荧光粉加入浓硫酸中,然后水浴反应;(2)将步骤(1)后得到的反应物进行水浸,得到富铕渣和含稀土钇和少量铕的浸出液;(3)将步骤(2)得到富铕渣加水继续水浸,得到浸出渣和含铕的浸出液。本发明采用浓硫酸预处理废CRT荧光粉,可使废CRT荧光粉中稀土转化成可溶性的硫酸盐,同时钝化杂质铝,减少杂质的干扰,在一定程度上实现了稀土元素的选择性浸出;同时荧光粉中的主要杂质硫化锌与浓硫酸反应,生成二氧化硫气体,避免了有毒气体硫化氢的产生,二氧化硫可以通过收集制备硫酸,可再次用于废CRT荧光粉回收过程的预处理,实现硫元素的循环利用。

    一种高纯草酸镓制备装置

    公开(公告)号:CN116328694B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310580301.5

    申请日:2023-05-23

    Abstract: 本发明公开了一种高纯草酸镓制备装置,包括第一反应釜、精滤装置、第二反应釜、第一真空过滤机、第一洗涤装置、第一真空干燥装置、第三反应釜、第二真空过滤机、结晶装置、微滤过滤器、浓缩釜、高速离心过滤机、第二真空干燥装置;所述第二反应釜包括釜体、进酸管、胶状物下沉装置;用于制备高纯度的草酸镓,第二反应釜设置进酸管缓慢滴加醋酸生成氢氧化镓胶状物,胶状物达到一定饱和度影响中和反应的效率,及时将胶状物下沉加快反应速率,胶状物下沉装置伞架可收放,打开状态下降使得胶状物下沉,提升复位时合起降低阻力,复位后再打开,自动化程度高。

    一种从废CRT荧光粉中回收稀土的方法

    公开(公告)号:CN114854990B

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202210459810.8

    申请日:2022-04-24

    Abstract: 一种从废CRT荧光粉中回收稀土的方法,包括以下步骤:(1)将废CRT荧光粉加入浓硫酸中,然后水浴反应;(2)将步骤(1)后得到的反应物进行水浸,得到富铕渣和含稀土钇和少量铕的浸出液;(3)将步骤(2)得到富铕渣加水继续水浸,得到浸出渣和含铕的浸出液。本发明采用浓硫酸预处理废CRT荧光粉,可使废CRT荧光粉中稀土转化成可溶性的硫酸盐,同时钝化杂质铝,减少杂质的干扰,在一定程度上实现了稀土元素的选择性浸出;同时荧光粉中的主要杂质硫化锌与浓硫酸反应,生成二氧化硫气体,避免了有毒气体硫化氢的产生,二氧化硫可以通过收集制备硫酸,可再次用于废CRT荧光粉回收过程的预处理,实现硫元素的循环利用。

    一种高纯草酸镓的固相合成方法
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119059899A

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202410965256.X

    申请日:2024-07-18

    Abstract: 本发明涉及精细化学品合成技术领域,具体为一种高纯草酸镓的固相合成方法,包括以下步骤:将含镓金属源、草酸分别进行研磨,得到含镓金属源粉末、草酸粉末;将研磨后的含镓金属源粉末、草酸粉末混合,得到第一混合物;向第一混合物中加入低共熔溶剂混合,得到第二混合物;将第二混合物转移至反应器中,程序升温,惰性气氛下充分反应;将得到的反应产物冷却后研磨,得到高纯草酸镓。本发明的设备和操作条件简单,整个合成过程不产生含镓废液,绿色环保,可以减少对人体和生态环境的危害,且可以提高草酸镓的转化率和纯度。

    一种原料锗的清洗装置及其清洗方法

    公开(公告)号:CN117920656A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202311809643.6

    申请日:2023-12-26

    Abstract: 本发明公开了一种原料锗的清洗装置及其清洗方法,涉及原料锗清洗技术领域,包括以下步骤,步骤一:原料准备,通过进料口注入桶体内部,通过设置的搅拌机构进行搅拌带动水流流动,以方便对原料进行冲洗;步骤二:原料热处理,启动环形加热管对原料进行全面加热时长半小时,使原料发生反应,通过与搅拌机构配合使得原料得到完全冲洗的同时使得原料受热均匀;通过启动设置的伺服电机提供动力带动转杆旋转,使得底部的U字形刮板旋转搅动桶体的内部的原料旋转进行充分冲洗。

    一种超高纯锗的提纯方法
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116949301A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202310701745.X

    申请日:2023-06-14

    Abstract: 本发明公开了一种超高纯锗的提纯方法,包括以下步骤:S1:将含锗含硅的废料溶于碱性溶液中,经电解析出得到锗料,其中废料经球磨、碱液浸泡后过滤获得碱性滤液;S2:对S1中的固体物质进行水洗处理,得到水洗液,并对水洗液中加入络合剂、有机相、反萃液进行萃取处理,并控制反萃后液和锗沉淀剂在pH为8~9下进行锗沉淀反应,得到萃余液和反萃后液。该一种超高纯锗的提纯方法,不仅确保提纯后锗具有非常高的纯度,还提高了提纯效率和收率,如采用电子级锗作为原料,纯化锗为高纯锗,纯度在1×1012cm~3以下,其中大部分纯度为1×1010cm~3~1×1011cm~3,同时每次区熔处理结束后不需要头尾都切除,提高了提纯收率,区熔次数也能够控制在30次以内。

    一种高纯二氧化锗制备装置及制备方法

    公开(公告)号:CN116870825A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202310640818.9

    申请日:2023-05-30

    Abstract: 本发明公开了一种高纯二氧化锗制备装置及制备方法,涉及二氧化锗生产设备技术领域。包括萃取塔;萃取塔底端设有支脚,萃取塔一侧设有三个进料口,萃取塔内部设有四个隔板,四个隔板将萃取塔内部分隔成三个萃取隔间,萃取塔另一侧设有连接管,连接管将相邻萃取隔间相互连通,萃取塔内部设有升降机构,隔板固定设置在升降机构上,隔板顶端设有搅拌机构,隔板底端设有联动机构。通过设置的联动式搅拌机构可以通过单个驱动结构进行驱动,从而使多个搅拌机构保持同步运行并对原料进行搅拌操作,进而降低了驱动结构的使用以及后续的维护成本,通过设置的升降式搅拌结构可以在搅拌过程中将整体结构下移,从而便于提升整体的搅拌效果。

Patent Agency Ranking