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公开(公告)号：CN118382351A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410528781.5
申请日：2024-04-29
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于温和等离子体技术实现厚层碲化钼固定深度相变的方法，属于半导体器件领域。本发明通过等离子体对底部电极结构厚层碲化钼进行部分相变处理，相变后，对其进行等离子体刻蚀处理，将相变的1T′相碲化钼刻蚀，对刻蚀前后的碲化钼进行AFM测试，计算其高度差，也就得到了刻蚀掉1T′相碲化钼的层数，从而通过等离子体刻蚀的方法确定了相变的深度。本发明操作简单，可重复性强，解决了实现固定相变深度的问题，达到了调控异相界面的效果。
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公开(公告)号：CN118173628A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410020999.X
申请日：2024-01-05
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/101 , H01L31/112 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了基于MoS2‑In2Se3异质结的多源信息探测器及制备方法，属于半导体器件领域。本发明的多源信息探测器包括：衬底、电极和异质结构，所述电极与异质结构位于所述衬底上表面，所述异质结构位于所述电极之间且两端与电极接触，所述异质结构为MoS2‑In2Se3垂直异质结，且提出了一种利用干法转移技术制备MoS2‑In2Se3异质结的方法，通过底部搭建In2Se3实现了底部栅极对In2Se3极化方向的控制，实现了对器件的多维调控方式，调控手段简单且有效，短暂的栅压即可切换极化方向实现暗电流的有效降低，且提高了对人体静电、震动探测的灵敏度，有利于推动二维异质结在多功能探测领域和半导体行业的发展。
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公开(公告)号：CN117328034A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311255433.7
申请日：2023-09-26
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明提供了一种以硫化镉作为硫源生长双层二维材料的方法，所述制备方法包括：将过渡金属源与硫化镉粉末在保护性气体中进行化学气相沉积反应，通过将沉积时的温度控制在700‑850℃，在生长衬底表面制备出AA堆叠和AB堆叠的双层过渡金属硫族化合物。所述双层过渡金属硫族化合物的尺寸为10‑100μm，厚度为1～3nm。本发明首次提出使用单硫分子的硫化镉粉体作为硫源来进行化学气相沉积生长堆叠方式可控的双层二维材料，本发明所述方法简单易操作，过程可控，所得材料形貌较好，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114300575B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202111597763.5
申请日：2021-12-24
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种宽光谱硅基‑硫化钼异质结光电探测器的制备方法，属于半导体器件领域。本发明所述的制备宽光谱硅基‑硫化钼异质结光电探测器的方法包括如下步骤：先利用温和等离子体技术处理硅基衬底表面的SiO2层，使得SiO2层的厚度在50～100nm，得到预处理的衬底；利用机械剥离技术得到少层的MoS2薄膜；之后通过干法转移技术将MoS2薄膜转移至预处理的衬底表面，得到硅基MoS2异质结；最后利用光刻技术刻出器件结构，蒸镀电极，得到所述的宽光谱硅基‑硫化钼异质结光电探测器。本发明的制备方法简单，且制备的光电探测器兼有响应时间短、高光电响应度、宽光谱探测范围的性能。
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公开(公告)号：CN114300575A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111597763.5
申请日：2021-12-24
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种宽光谱硅基‑硫化钼异质结光电探测器的制备方法，属于半导体器件领域。本发明所述的制备宽光谱硅基‑硫化钼异质结光电探测器的方法包括如下步骤：先利用温和等离子体技术处理硅基衬底表面的SiO2层，使得SiO2层的厚度在50～100nm，得到预处理的衬底；利用机械剥离技术得到少层的MoS2薄膜；之后通过干法转移技术将MoS2薄膜转移至预处理的衬底表面，得到硅基MoS2异质结；最后利用光刻技术刻出器件结构，蒸镀电极，得到所述的宽光谱硅基‑硫化钼异质结光电探测器。本发明的制备方法简单，且制备的光电探测器兼有响应时间短、高光电响应度、宽光谱探测范围的性能。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN118794653A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410883298.9
申请日：2024-07-03
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光栅型结构验证界面对光电探测器影响的方法，包括如下步骤：S1、构建不同节数的光栅型同质结光电探测器；S2、通过光电测试系统测量不同节数的所述光栅型同质结光电探测器的响应时间，通过响应时间的不同验证界面对同质结光电探测器的影响。本发明通过构建不同节数的光栅型同质结光电探测器，并表征光电探测器的响应时间，通过响应时间验证相邻节数之间的界面对光电探测器的影响，验证方法简单，说服力强；界面对光电探测器影响的研究，为构建基于光栅型同质结结构的非易失存储器提供有效数据支撑。
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公开(公告)号：CN118016758A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410109834.X
申请日：2024-01-26
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/108 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种自驱动MoTe2光电探测器及其制备方法，属于半导体器件领域。所述方法包括：先在衬底上曝光出底部电极的电极图案；之后使用等离子体刻蚀衬底层；然后蒸镀同样深度的底部电极；最后通过机械剥离和转移技术将MoTe2转移到底部内嵌电极上，同时预留下足够的大小的MoTe2，再蒸镀顶部电极，得到上下电极器件。本发明的制备方法简单，且制备的底部电极器件和顶部电极器件之间具有高整流比，具有自驱动光响应，可以广泛地应用于输出特性测试、接触电阻测试、载流子迁移率、开关比、不同波长可见光及940nm近红外光下的光电流及光响应等领域。
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公开(公告)号：CN114695597B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202210269277.9
申请日：2022-03-18
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/18 , C23C14/04 , C23C14/18 , C23C14/26 , C23C14/30 , H01L31/0296 , H01L31/103
Abstract: 本发明公开了一种基于二维碲化钼的同质异相光电探测器的制备方法及其应用手段，属于半导体器件领域。本发明所述的制备碲化钼同质异相光电探测器的方法包括如下步骤：先通过机械剥离与转移技术将MoTe2转移至硅基衬底上；之后通过光刻将MoTe2的两端暴露在环境中；接着使用氧气等离子体处理被光刻胶覆盖的MoTe2衬底，其中MoTe2两端发生相变而沟道处未发生相变；最后在两端蒸镀电极，得到所述的碲化钼同质异相光电探测器。本发明所述的碲化钼同质异相光电探测器的应用包括如下领域：载流子迁移率、开关比、不同波长可见光及940nm近红外光下的光电流及光响应。本发明的制备方法简单，且制备的光电探测器具有高迁移率、高开关比、高光电流及高响应度的性能。
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公开(公告)号：CN117594697A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311561606.8
申请日：2023-11-21
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/0336 , H01L31/032 , H01L31/109 , G06N3/067
Abstract: 本发明公开了一种基于ReS2/ZnO异质结的神经突触器件及制备方法，属于半导体器件领域。所述方法包括：将ReS2薄膜转移至清洗好的衬底上；在材料表面光刻出电极图形，得到带有部分光刻胶掩膜的样品；带有光刻胶掩膜的样品置于蒸镀机内，蒸镀电极，洗去光刻胶，得到具有电极的器件；将ZnO溶液均匀地旋涂在ReS2器件上并烘烤，重复多次；本发明制备方法简单、易于集成，且仿真实验证明，本发明制备的神经突触器件具有光信号和电信号合作的仿生光电突触，具备较好的突出可塑性，优化了信息处理、学习或记忆等神经网络功能的能力。
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