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公开(公告)号：CN109180221B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201811255509.5
申请日：2018-10-26
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明公开了一种在石墨模板上大面积沉积碳化硅薄膜的制备方法，首先将氮化硅粉末和碳化硅粉末按照适当比例混合，添加无水乙醇在研砵中研磨，经清洗、干燥后将粉体装入匣钵中真空烧结，烧结温度为1900℃以上，保温时间为1h。本发明方法涉及的条件可控、操作简便、反应条件温和，所得碳化硅薄膜面积大且具有优异的稳定性，使得石墨模具寿命大大提高，为玻璃加热石墨模板改性技术提供了一条新途径，具有重要的经济和工程价值。
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公开(公告)号：CN111470869A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010383135.6
申请日：2020-05-08
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/573 , C04B35/622 , C04B38/00 , B01D71/02 , B01D67/00 , B01D69/02
Abstract: 本发明公开了一种基于高固含量碳化硅浆料的分离膜的制备方法，首先制备出固含量为58～70voL％、粘度为800～1000mPa·s的碳化硅浆料，然后采用喷涂的方法将该浆料均匀的喷覆在支撑体上经过一定烧结工序制得分离膜；本发明所述制备工艺可有效避免分离膜成型后烧结过程中的开裂等问题，显著提升碳化硅分离膜的强度、成品率和耐久性能，且涉及的制备方法简单，适合推广应用。
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公开(公告)号：CN105835209B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201610203804.0
申请日：2016-04-01
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及一种基于琼脂糖的陶瓷凝胶注模成型方法，该方法包括：分多次将陶瓷粉末加入到装有水的球磨罐中，期间加入分散剂，搅拌均匀并调节PH至8‑11得陶瓷浆料；配制质量分数为3‑4.5％的琼脂糖溶液；将琼脂糖溶液按比例注入到真空除泡并预热后的陶瓷浆料中，再一同注入预热后的模具中冷却得坯体；坯体经静置、多步干燥后烧结即得。采用该方法可以制备各种复杂形状和大小的陶瓷部件，琼脂糖为天然无毒的大分子环境友好，坯体中有机物含量极少不需要排胶，干燥成型过程不会开裂，生坯具有一定的强度，可在烧结前进行加工。
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公开(公告)号：CN107129006A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710507897.0
申请日：2017-06-28
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及一种基于碳化硅陶瓷膜的油水分离方法，该方法首先将含油废水超声分散，然后调节其pH至1‑13之间，接着以1个单位为步长测定不同pH值下含油废水的zeta电位和粒度，根据zeta电位值变化的拐点和粒度大小选取合适孔径的碳化硅陶瓷膜进行过滤。与现有技术相比，本发明通过对废水进行预处理(超声分散和调pH)，改变了颗粒表面的电荷量，使其zeta电位发生变化，降低了废水中油滴的稳定性，促进其团聚，达到了提高过滤效率的目的。
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公开(公告)号：CN105835209A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610203804.0
申请日：2016-04-01
Applicant: 武汉工程大学
CPC classification number: B28B1/26 , B28B17/026
Abstract: 本发明涉及一种基于琼脂糖的陶瓷凝胶注模成型方法，该方法包括：分多次将陶瓷粉末加入到装有水的球磨罐中，期间加入分散剂，搅拌均匀并调节PH至8?11得陶瓷浆料；配制质量分数为3?4.5％的琼脂糖溶液；将琼脂糖溶液按比例注入到真空除泡并预热后的陶瓷浆料中，再一同注入预热后的模具中冷却得坯体；坯体经静置、多步干燥后烧结即得。采用该方法可以制备各种复杂形状和大小的陶瓷部件，琼脂糖为天然无毒的大分子环境友好，坯体中有机物含量极少不需要排胶，干燥成型过程不会开裂，生坯具有一定的强度，可在烧结前进行加工。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104030357B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410305359.X
申请日：2014-06-27
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明涉及一种有机溶胶凝胶制备二氧化钒薄膜的方法，包括以下步骤：1)以预先处理过的石英玻璃为基底，采用旋涂法将二氧化钒前驱液在基底上镀膜，通过控制旋涂转速、旋涂层数，制备不同厚度的凝胶薄膜，其中每层旋涂结束后，干燥；2)预先在空气下热处理凝胶薄膜使PVP分解：热处理温度100℃～300℃、热处理时间2～4h，然后在管式电阻炉中，N2气氛下热处理制备二氧化钒薄膜：热处理温度500℃～600℃、热处理时间30min～60min。本发明通过控制涂膜工艺、热处理温度制度控制，最终制得二氧化钒薄膜，该方法具有操作简单、生产效率高，膜与基材附着力高的特点。
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公开(公告)号：CN103613406B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201310567992.1
申请日：2013-11-13
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B41/85
Abstract: 本发明公开了一种高性能陶瓷表面修饰方法。包括对陶瓷胚体表面进行预处理，然后涂覆硅溶胶并烘干，最后高温烧结。陶瓷胚体表面预处理为除尘和干燥；硅溶胶粒径范围为3.5nm-10nm，固含量为5wt％-20wt％；烘干温度在80℃-100℃，时间为2-5h；高温烧结4-8℃/min由室温升至1100℃-1200℃，恒温2-5h。用硅溶胶作为表面修饰剂，经高温烧结后的主要产物是SiO2，其耐热性和稳定性都很好，而且硅溶胶无毒环保，不易开裂且促进烧结，不像有机物在挥发或裂解过程中对制品造成显微缺陷，且硅溶胶作为典型的无机溶胶，具备显著的抗菌能力，因此无需在涂层中再添加抗菌剂，经济环保。
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公开(公告)号：CN113856491B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202111230567.4
申请日：2021-10-22
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅纳滤膜及其制备方法。方法包括如下步骤：S1:将碳化硅粉、硅粉、第一塑化剂、第一粘结剂和第一溶剂按照一定比例混合后挤压成型、干燥、排胶、烧结后得碳化硅支撑体；S2:将碳化硅粉制成浆料，将S1制得的碳化硅支撑体的一表面浸泡于上述浆料中，然后干燥；S3:将纳米硅粉和一维碳源混合均匀形成混合物，负压涂覆技术将混合物涂覆在碳化硅支撑体的一表面，烧结得碳化硅纳滤膜。本发明通过法在多孔碳化硅支撑体的表面构筑三维碳网，然后原位生长碳化硅晶须，得到一种孔径可控、应用前景好的碳化硅纳滤膜，其具有优异的高温机械强度、良好的耐强酸强碱性和高导热性、低热膨胀系数和高抗热冲击性，以及极强的亲水性。
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公开(公告)号：CN115253724B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202210951825.6
申请日：2022-08-09
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明属于膜材料技术领域，公开了一种碳化硅陶瓷纳米线网格化纳滤膜分离层及其制备方法。所述分离层由长度10‑100μm、直径10‑100nm的碳化硅纳米线交错分布而成，分离层的厚度为1‑5μm，平均孔径为1‑15nm，孔隙率为45‑60％。所述分离层的制备方法包括：首先采用硅源、碳源、粘结剂、分散剂、溶剂配制分离层浆料，再通过负压涂覆分离层浆料形成分离层生坯，最后经两段式烧结得到碳化硅陶瓷纳米线网格化纳滤膜分离层。本发明采用创新的网格化结构设计，使分离层在具有纳滤膜过滤精度的同时还具有极薄的厚度，可以提高分离效率和抗污堵能力，在石油化工的油水分离、生物医药分离提纯、高价与低价无机盐分离、高品质直饮水的制备以及果汁浓缩等领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111747385A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010596614.6
申请日：2020-06-28
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C01B21/064 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种原位合成氮化硼纳米片-纳米管复合材料及其制备方法。其制备为：在去离子中依次加入氮化硼纳米片、螯合剂和镍盐，搅拌、超声、过滤、真空干燥，得锚定催化剂的氮化硼纳米片，其中氮化硼纳米片、螯合剂和镍盐的物质的量之比为1：5～25：25～50；然后将锚定催化剂的氮化硼纳米片置于化学气相沉积系统中，以环硼氮烷为前驱体，以氩气为载流气体，在1000～1200℃热处理反应1～3h，得到原位合成的氮化硼纳米片-纳米管复合材料。该方法可在氮化硼纳米片上原位生长氮化硼纳米管，所得复合材料结构稳定，界面结合较强，纳米管长径比较大，且制备简单，重复性好，可推动氮化硼纳米材料在先进复合材料领域的应用。
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